电子行业深度报告：AI DC供电新方案有望助力SiC／GaN打开成长空间

有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 电子行业 告 ⚫ AI DC 高压、高效成为重要趋势，HVDC、SST 等供电新方案需求方向明确。从通算到智算，AIDC 的电力需求激增，高压、高效成为重要趋势。现有供电链路包含多级 AC/DC 与 DC/DC 转换，层层损耗让效率降低，增加了故障点与维护负担。随着单机柜功耗的不断提升，继续采用传统交流配电方案将推高下一代数据中心部署的资本支出和运营成本。因此，更高效、更紧凑、更智能的供电架构已成为迫切需求。基于提升数据中心供电效率的要求，英伟达联合产业链伙伴提出使用 800V HVDC 供电架构，有望大幅提升供电效率、节省电费。进一步地，SST 固态变压器有望成为未来主流的供电系统变压方案。SST 通过电力电子技术实现能量传递和电力变换，与传统变压器比，SST 具有效率更高、电力品质更好、模块化程度高、性能稳定等优点，能大幅提升空间利用率和供电效率。SST 长期有望成为数据中心直流供电变压方案的最佳选择，英伟达在 AI DC 白皮书中指出将 SST 方案作为远期供电架构主流技术方案。 ⚫ 部分投资者认为 SiC/GaN 行业未来成长空间可能有限。根据 Yole 和灼识咨询数据，2024 年碳化硅在全球功率半导体中的渗透率为 4.9%；根据弗若斯特沙利文数据，2023 年氮化镓在功率半导体中的渗透率为 0.5%。由于碳化硅车型在新能源车领域的渗透率逐步迈向较高水平等原因，部分投资者认为宽禁带半导体未来需求成长空间可能有限。 ⚫ 我们认为，HVDC、SST 等 AI DC 供电新方案对 SiC/GaN 器件需求提升，有望打开产业成长空间。相比传统硅基器件，宽禁带半导体器件能提高电源功率密度，减小变压器体积。未来 HVDC 供电架构中，SST、DC-DC 电源等环节对 SiC/GaN 均具有较强确定性需求。英伟达已经宣布与纳微半导体、英诺赛科、英飞凌等多家SiC/GaN 厂商合作。我们认为，SiC/GaN 在 AI DC 供电系统中的应用潜力尚未完全挖掘，根据行家说三代半公众号及纳微半导体数据，到 2030 年应用于 800V HVDC数据中心供电系统的SiC/GaN市场规模可达27亿美元。未来，AI算力设施SiC/GaN器件需求有望持续提升，打开产业成长空间。 ⚫ HVDC、SST 等供电新方案方向明确，AI 服务器及数据中心需求有望打开 SiC/GaN功率器件成长空间。相关标的：GaN 行业龙头英诺赛科；碳化硅衬底行业领军者天岳先进；深入布局 SiC/GaN 功率器件的头部功率器件厂商华润微、新洁能、斯达半导；布局 SiC 功率器件业务的晶圆代工企业芯联集成-U；功率被动器件公司法拉电子、江海股份；布局宽禁带半导体设备市场的中微公司等。此外，HVDC、SST 等供电新方案的发展以及 SiC/GaN 功率器件的成熟有望助力服务器电源厂商打开市场空间，相关标的：为英伟达 800V HVDC 架构提供电源系统组件的比亚迪电子、布局高功率服务器电源业务的领益智造等。 风险提示 消费电子需求不及预期，AI 落地不及预期，竞争格局变化。 投资建议与投资标的 核心观点 国家/地区 中国 行业 电子行业 报告发布日期 2025 年 11 月 04 日 薛宏伟 执业证书编号：S0860524110001 xuehongwei@orientsec.com.cn 021-63326320 蒯剑 执业证书编号：S0860514050005 香港证监会牌照：BPT856 kuaijian@orientsec.com.cn 021-63326320 韩潇锐 执业证书编号：S0860523080004 hanxiaorui@orientsec.com.cn 021-63326320 李晋杰 执业证书编号：S0860125070012 lijinjie@orientsec.com.cn 021-63326320 碳化硅材料有望应用于先进封装，打开成长空间 2025-09-07 AI 服务器市场保持增长，硬件升级正当其时 2025-09-05 AI 算力设施需求驱动，SiC/GaN 打开成长空间 2025-08-02 AI DC 供电新方案有望助力 SiC/GaN 打开成长空间 看好（维持） 电子行业深度报告 —— AI DC供电新方案有望助力SiC/GaN打开成长空间 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 2 重大投资要素 我们区别于市场的观点 部分投资者认为 SiC/GaN 行业未来成长空间可能有限。根据 Yole 和灼识咨询数据，2024 年碳化硅在全球功率半导体中的渗透率为 4.9%；根据弗若斯特沙利文数据，2023 年氮化镓在功率半导体中的渗透率为 0.5%。由于碳化硅车型在新能源车领域的渗透率逐步迈向较高水平等原因，部分投资者认为宽禁带半导体未来需求空间可能受限。 我们认为，HVDC、SST 等 AI DC 供电新方案对 SiC/GaN 器件需求提升，有望打开产业成长空间。基于提升数据中心供电效率的要求，英伟达联合产业链伙伴提出 800V AI 数据中心供电蓝图，预计将于 2027 年全面落地。进一步地，SST 固态变压器方案大幅提升空间利用率和供电效率，英伟达有望将 SST 方案作为远期供电架构主流技术方案。相比传统硅基器件，宽禁带半导体器件能提高电源功率密度，减小变压器体积。未来 HVDC 供电架构中，SST、DC-DC 电源等环节对SiC/GaN 均具有较强确定性需求。英伟达已经宣布与纳微半导体、英诺赛科、英飞凌等多家SiC/GaN 厂商合作。我们认为，SiC/GaN 在 AI DC 供电系统中的应用潜力尚未完全挖掘，根据行家说三代半公众号及纳微半导体数据，到 2030 年应用于 800V HVDC 数据中心供电系统的SiC/GaN 市场规模可达 27 亿美元。未来，AI 算力设施 SiC/GaN 器件需求有望持续提升，打开产业成长空间。 核心逻辑/核心变量 核心逻辑：受 AI 数据中心新供电架构需求驱动，SiC/GaN 有望打开成长空间。 核心变量：新建 AI 数据中心数量；HVDC 供电架构及 SST 方案渗透率；SiC/GaN 用量。 股价上涨的催化因素 新建 AI 数据中心显著提升；HVDC 供电架构及 SST 方案应用显著提速；AI 数据中心内 SiC/GaN用量显著提升。 投资建议与投资标的 HVDC、SST 等供电新方案方向明确，AI 服务器及数据中心需求有望打开 SiC/GaN 功率器件成长空间。相关标的：GaN 行业龙头英诺赛科；碳化硅衬底行业领军者天岳先进；深度布局 SiC/GaN功率器件的头部功率器件厂商华润微、新洁能、斯达半导；布局 SiC 功率器件业务的晶圆代工企业芯联集成-U；功率被动器件公司法拉电子、江海股份；布局宽禁带半导体设备市