存储行业专题报告：传统终端需求放缓 HBM成新驱动

务必阅读正文之后的免责条款 行 业 研 究 证 券 研 究 报 告 行 业 专 题 报 告 [Table_RepTitle] 传统终端需求放缓 HBM 成新驱动 ——存储行业专题报告 [Table_Author] 分析师： 崔国涛 执业证书编号： S1380513070003 联系电话：010-51789093 邮箱： cuiguotao@gkzq.com.cn 研究助理： 邓垚 执业证书编号： S1380116110007 联系电话：010-51789074 邮箱： dengyao@gkzq.com.cn 分析师： 邓垚 执业证书编号：S1380519040001 联系电话：010-88300849 邮箱： dengyao@gkzq.com.cn 半导体（申万）与沪深 300 走势图 资料来源：Wind，国开证券研究与发展部 行业评级 中性 [Table_Report] 相关报告 5G 叠加国产替代 半导体设备加速成长——2020 年电子行业策略报告 景气与政策共振 半导体国产化空间广阔 ——2021 年电子行业策略报告 短期扰动不改长期成长 关注设备及功率半导体——2022 年一季度半导体行业分析与展望 关注汽车电子及新能源等驱动下结构性机会 ——2022 年半导体行业中期策略报告 新能源及信创等驱动强劲 需求有望逐步复苏——2024 年半导体行业策略报告 AI 驱动行业持续成长——2024 年电子行业策略报告 [Table_Date] 2024 年 12 月 31 日 [Table_Summary] 内容提要：  受传统终端需求影响 DRAM和NAND价格再度走低。受下游库存高企及需求疲软的影响，23年上半年存储产品经历了量价持续下跌，而后随着存储厂商主动减产及终端复苏，下游库存水位逐渐回归正常，23年9月DRAM价格开始回升，后续期间小幅波动，直至24年7月再度走低，截至24年12月31日，通用PC DRAM产品（DDR4 8Gb 1Gx8）现货平均价较7月高点下跌20.44%；通用NAND产品（128Gb 16Gx8 MLC）23年10月-24年3月连续上涨，后续期间价格基本稳定，直至9月重回跌势，截至24年11月底，128Gb 16Gx8 MLC合约价较8月高点下降56%。  AI及HPC等驱动下 HBM需求快速增长。受益于AI驱动下HBM、DDR5等需求拉动，2024年前三季度全球存储市场整体呈现增长，据CFM闪存市场数据，2024年前三季度全球存储市场同比增幅达96.8%。存储芯片龙头海力士、三星和美光在HBM市场形成垄断格局；同时HBM3e平均售价约为传统DRAM产品的3-5倍，随着英伟达H系列、B系列等算力芯片的迭代升级，HBM3e产能亦将持续扩张。  我国为全球最大DRAM市场 近期DDR5迎来突破。23年我国存储市场规模逆势增长9.3%，明显好于同期全球-29.1%的增速，且是全球最大的DRAM市场，比重达1/3。24年12月，国产内存制造商金百达与光威相继推出基于国产颗粒的DDR5内存产品，标志着国产存储的又一突破。DDR5传输速率、带宽、能效等方面较DDR4有显著提升，能更好地支持AI模型高效运行，AI手机、PC等终端应用加速渗透进程将催化DDR5需求快速增长，随着产品良率和产能的提升，国产DDR5市场份额有望增长。  我们认为，一方面从需求来看，尽管24年以来AI和高性能计算驱动下HBM需求快速增长，但当前渗透占比仍为个位数，主要需求仍集中在消费电子、汽车、工控等传统终端领域，而这些领域的需求复苏总体来说不及预期；另一方面供给端增长较快，导致了存储行业周期性波动，预计厂商为应对市场调整，或再度面临减产压力。中长期来看，随着AI模型参数规模不断增大、HPC算力需求攀升，以及GPU/ASIC加速器在带宽和能耗比上的要求越来越高，HBM、DDR5需求将快速增长，并在带宽、堆叠层数、容量和能效方面持续升级，以支撑高性能应用；叠加终端新一轮创新周期的开启、芯片国产化进程提速等因素，存储市场向上空间将进一步打开，芯片产业链设备、先进封装等环节亦将迎来持续成长。  给予行业“中性”评级。  风险提示：全球宏观经济下行，贸易摩擦加剧，技术创新不达预期，下游需求不达预期，业绩增长低于预期，中美关系进一步恶化，黑天鹅事件，国内经济复苏低于预期，国内外二级市场系统性风险等。 [Table_MainProfit] -28%-18%-8%2%12%22%32%42%24/0124/0324/0524/0824/1024/12半导体(申万)沪深300 行业专题报告 务必阅读正文之后的免责条款 目 录 1．受传统终端需求影响 DRAM 和 NAND 价格再度走低 ......................................... 4 2．AI 及 HPC 等驱动下 HBM 需求快速增长 ............................................................. 5 3．我国为全球最大 DRAM 市场 近期 DDR5 迎来突破 ............................................. 5 4．风险提示 ...................................................................................................................... 6 行业专题报告 务必阅读正文之后的免责条款 4 of 7 1．受传统终端需求影响 DRAM 和 NAND 价格再度走低 受下游库存高企及需求疲软的影响，23 年上半年存储产品经历了量价持续下跌，而后随着存储厂商主动减产及终端复苏，下游库存水位逐渐回归正常，23 年 9 月DRAM 价格开始回升，后续期间小幅波动，直至 24 年 7 月再度走低，截至 24 年12 月 31 日，通用 PC DRAM 产品（DDR4 8Gb 1Gx8）现货平均价为 1.46 美元，较 7 月高点下跌 20.44%； NAND 方面，以存储卡和 USB 设备通用 NAND 产品（128Gb 16Gx8 MLC）来看，23 年 10 月-24 年 3 月连续上涨，后续期间价格基本稳定，直至 9 月重回跌势，截至 24