电子行业研究：长鑫存储IPO加速国产DRAM产业链验证进程

请务必阅读正文之后的免责条款 行 业 研 究 证 券 研 究 报 告 行 业 重 大 事 件 点 评 报 告 ‘’ [Table_RepTitle] 长鑫存储 IPO 加速国产 DRAM 产业链验证进程 [Table_Author] 分析师： 崔国涛 执业证书编号： S1380513070003 联系电话：010-51789093 邮箱： cuiguotao@gkzq.com.cn 研究助理： 邓垚 执业证书编号： S1380116110007 联系电话：010-51789074 邮箱： dengyao@gkzq.com.cn 分析师： 邓垚 执业证书编号：S1380519040001 联系电话：010-88300849 邮箱： dengyao@gkzq.com.cn 电子（申万）与沪深 300 走势图 资料来源：Wind，国开证券研究与发展部 行业评级 中性 [Table_Date] 2025 年 12 月 31 日 [Table_Summary] 内容提要：  长鑫存储作为中国大陆DRAM产业的唯一IDM龙头，其IPO不仅是企业资本运作的里程碑，标志着中国大陆DRAM产业从“技术验证阶段”正式迈入“规模化扩产 + 产业协同”的新阶段。据招股说明书及公开披露信息，当前国内DRAM产能占全球比例不足5%，在“十五五”规划强调半导体全产业链自主可控的背景下，长鑫的资本化与扩产节奏，已成为国产存储产业安全与供给能力提升的关键抓手。  设备端：验证加速 性能与良率协同提升。长鑫扩产对设备厂商的拉动效应最为直接，DRAM制造工艺复杂度高，对刻蚀、薄膜沉积及清洗等关键设备的性能、稳定性和一致性要求极高。设备在关键工艺环节中的参与度有望持续提升，国产化率存在突破临界点的现实基础，其验证逻辑也将从“单机可用”逐步过渡至“整线可复制”。在刻蚀、薄膜沉积等核心工艺上，国产方案已在先进存储制造中实现导入，并有望在关键层次中提升份额。随着工艺平台向更高平整度、更薄介质层和更高深宽比演进，ALD 等高阶薄膜技术的重要性显著提升，相关设备持续受益。与此同时，工艺复杂度上升带来清洗步骤数量增加，单片式与槽式清洗设备在扩产过程中具备直接放量弹性。  材料端：耗材属性叠加工艺升级 需求释放具备持续性。半导体材料具有明显的“耗材”特征，其需求与产能利用率及工艺复杂度高度相关。随着长鑫产能利用率的持续爬坡，以18.5nm（第四代）及更先进工艺的逐步量产，对高纯度前驱体、电子特气及CMP抛光液等关键材料的需求将呈现结构性放大。这一需求增长并非短期脉冲，而是伴随产线长期运行而持续释放。  产业链传导：技术迭代的“溢出效应”。长鑫已基本攻克了10nm级（18.5nm/17nm）工艺节点的良率瓶颈，即将进入DDR5的大规模放量期。这将加速国产PC和服务器内存从DDR4向DDR5的切换。内存接口芯片、下游封装产能等相关环节亦将同步受益。  综合来看，长鑫存储IPO的产业意义，并不局限于单一企业融资或产能扩张，而在于其推动DRAM产业由“点状突破”向“体系化推进”演进。本轮扩产在节奏、规模与确定性上的显著提升，意味着产业链协同正在进入更深水区，对上游设备与材料环节等拉动也将更具持续性。  给予行业“中性”评级。  风险提示：全球宏观经济下行，贸易摩擦加剧，技术创新不达预期，下游需求不达预期，业绩增长低于预期，中美关系进一步恶化，乌克兰危机，黑天鹅事件，国内经济复苏低于预期，国内外二级市场系统性风险等。 [Table_MainProfit] 行业重大事件点评报告 4 请务必阅读正文之后的免责条款 从全球视角看，中国是全球最大的电子终端消费市场之一，但大陆 DRAM 产能占全球比例仍处于低个位数水平，在全球产业链博弈加剧的背景下，存在一定供应链安全风险。 在此背景下，长鑫作为大陆唯一具备规模化能力的 DRAM IDM 厂商，其扩产不再只是企业自身的成长选择，而是承担了明显的产业职能属性。本轮 IPO 的推进，本质上是政策导向、产业安全诉求与企业自身发展阶段的共同结果，其资本化和扩产节奏将有望成为国产存储产业安全与供给能力提升的关键抓手。 一、 事件回顾与募投项目拆解 2025 年 12 月 30 日，上海证券交易所发布信息，正式受理长鑫科技科创板 IPO 申请（已预先审阅）。据招股说明书及公开披露信息，当前国内 DRAM 产能占全球比例不足 5%，中国作为全球最大电子消费市场，在“十五五”规划强调全产业链自主可控的背景下，长鑫的规模化扩产是保障供应链安全的必由之路。 本次 IPO 募资主要投向以下两大方向，指引了未来 3-5 年的设备采购节奏： 1）存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目（合肥一期） 投资规模：设备购置及安装费拟投入 46.66 亿元。 核心动作：对原有产线进行“利旧改造”，利用刻蚀、薄膜沉积、清洗等环节的工艺升级，实现从旧工艺向中高端产品（DDR4/LPDDR4X 向 DDR5/LPDDR5）的切换。 战略意义：这是一个明确的“国产设备验证场”，有望带来后续本土及新型设备、材料零部件的持续导入。 2）DRAM 存储器技术升级项目 投资规模：设备购置及安装费拟投入 174 亿元。 时间表：2025 年 Q4 启动设备采购，2026-2027 年分批搬入调试，2028 年上半年竣工。 信号：2026-2027 年将是国产半导体设备厂商确认收入的高峰期。 二、设备端：验证加速 性能与良率协同提升 在设备端，长鑫扩产对上游设备厂商的拉动效应最为直接。DRAM 制造工艺复杂度高，对刻蚀、薄膜沉积及清洗等关键设备的性能、稳定性和一致性要求极高。随着存量产线升级改造与新产线建设并行推进，相关设备需求不仅体现在数量增长，更体现在技术规格与可靠性要求的同步抬升。 在这一过程中，国产设备在关键工艺环节中的参与度有望持续提升，国产化率存在突破临界点的现实基础，其验证逻辑也将从“单机可用”逐步过渡至“整线可复制”。 行业重大事件点评报告 5 请务必阅读正文之后的免责条款 DRAM 制造工艺中，电容制造是核心难点，涉及高深宽比刻蚀和原子层沉积（ALD），DRAM 制造需要对电容孔进行极高深宽比的刻蚀。 在刻蚀、薄膜沉积等核心工艺上，国产方案已在先进存储制造中实现导入，并有望在关键层次中提升份额。随着工艺平台向更高平整度、更薄介质层和更高深宽比演进，ALD 等高阶薄膜技术的重要性显著提升，相关设备持续受益。与此同时，工艺复杂度上升带来清洗步骤数量增加，单片式与槽式清洗设备在扩产过程中具备直接放量弹性。 三、材料端：耗材属性叠加工艺升级 需求释放具备持续性 半导体材料具有明显的“耗材”特征，其需求与产能利用率及工艺复杂度高度相关。随着长鑫产能利用率的持续爬坡，以 18.5nm（第四代）及更先进工