集成电路行业快报：CoWoS或迎量／价／需三振，L路线有望为主流

http://www.huajinsc.cn/1 / 5请务必阅读正文之后的免责条款部分2025 年 01 月 01 日行业研究●证券研究报告集成电路行业快报CoWoS 或迎量/价/需三振，L 路线有望为主流投资要点据中国台湾媒体《自由财经》报道，自 2025 年 1 月起，台积电将对其 3nm、5nm及 CoWoS 工艺的代工价格进行上调，预计涨幅将在 5%到 20%之间。 CoWoS 或迎来量/价/需求齐升，CoWoS-S 转向 CoWoS-L 趋势明显。（1）量：根据 DIGITIMES Research 数据，受云端 AI 加速器需求旺盛推动，2025 年全球对 CoWoS 及类似封装产能的需求或将增长 113%。主要供应商台积电、日月光科技控股（包括矽品精密工业、SPIL）和安靠正在扩大产能。根据 DIGITIMESResearch 报告，到 2025 年第四季度末，台积电的月产能预计将增至 6.5 万片以上 12 英寸晶圆当量，而安靠和日月光合用产能将增至 1.7 万片晶圆；英伟达是台积电 CoWoS 封装工艺最大客户，受惠于英伟达 Blackwell 系列 GPU 量产，台积电将从 2025 年第四季开始由 CoWoS-S 转为 CoWoS-L 制程，使 CoWoS-L成为台积电 CoWoS 技术的主要制程；英伟达对 CoWoS-L 工艺需求可能会从2024 年的 3.2 万片晶圆大幅增加至 2025 年的 38 万片晶圆，同比增长 1018%。根据 DIGITIMES Research 预计，2025 年第四季 CoWoS-L 将占台积电 CoWoS总产能的 54.6%，CoWoS-S 为 38.5%，CoWoS-R 则为 6.9%。（2）价：根据半导体创芯网数据，台积电 3nm 和 5nm 制程技术的价格将上升 5%到 10%，CoWoS 工艺将涨价 15%到 20%（供不应求），这一调整既源于 AI 领域对计算能力的需求激增，也显示了制程技术成本的不断上升。（3）需求：根据半导体纵横数据，英伟达占CoWoS整体供应量比重超过50%，A100、H100及BlackwellUltra 等产品均会采用CoWoS封装，2025年英伟达将会推广采用 CoWoS-L 技术的 B300 和 GB300 系列。AMD 的 MI300 采用台积电 SoIC（3D）和 CoWoS（2.5D）两种封装技术。此外，博通、微软、亚马逊、谷歌对于 CoWoS 也存有一定需求。 CoWoS-L 确保良好的系统性能同时避免大型硅中介层良率损失。CoWoS-L 中介层包括多个本地硅互连（LSI） 芯片和全域再分布层（RDL），形成一个重组中介层（RI），以取代 CoWoS-S 中的单片硅中介层。LSI Chiplet 与 CoWoS-S相比保留了亚微米级铜互连、硅通孔（TSV） 和嵌入式深沟电容器（eDTC），以确保良好系统性能，同时避免大型硅中介层良率损失问题。此外，在 RI 中引入穿绝缘体通孔（TIV）作为垂直互连，以提供比 TSV 更低的插入损耗路径。CoWoS-L 目前已成功实现采用 3 倍掩模尺寸（约 2500 平方毫米）的插接器，搭载多个 SoC/芯片模组和 8 个 HBM 方案。LSI 制造有两种路线，LSI-1 和LSI-2，主要区别在于互连金属方案：1）在制造 LSI-1 时，首先在 300 毫米硅芯片上制造 TSV 和一层单大马士革铜金属(M1)。然后，用未掺杂硅酸盐玻璃（USG）作为介电层的双大马士革铜形成互连结构。在 LSI-1 金属方案中，双大马士革铜工艺提供的最小金属宽度/空间为 0.8/0.8μm，厚度为 2μm。2）LSI-2具有相同的 TSV 结构和 M1 金属方案。制造出 M1 层后，通过半新增工艺（SAP），以聚酰亚胺（PI） 为介质层的铜 RDL 形成互连结构。SAP 铜 RDL的最小宽度/空间为 2/2μm，厚度为 2.3μm。投资评级领先大市(维持)首选股票评级一年行业表现资料来源：聚源升幅%1M3M12M相对收益3.7227.4213.97绝对收益4.1925.3628.65分析师孙远峰SAC 执业证书编号：S0910522120001sunyuanfeng@huajinsc.cn分析师王海维SAC 执业证书编号：S0910523020005wanghaiwei@huajinsc.cn报告联系人宋鹏songpeng@huajinsc.cn相关报告消费电子：Meta 欲添加显示，光波导+MicroLED 或将受益-华金证券-电子-眼镜终端-行业快报 2024.12.24消费电子：眼镜终端价至千元档，核心零部件国产超 9 成-华金证券-电子-眼镜终端-行业快报2024.12.22消费电子：Meta Ray-Ban 再进化，模型/生态为眼镜终端竞争所在-华金证券-电子-AI 眼镜-消费电子 2024.12.19兆易创新：利基 DRAM 价格下行空间有限，持续受益头部厂商减产/退出-华金证券-电子-兆易创新-公司快报 2024.12.18消费电子：Android XR 发布，有望吸引多终端厂 进 入 - 华 金 证 券 - 电 子 -XR- 行 业 快 报2024.12.16行业快报http://www.huajinsc.cn/2 / 5请务必阅读正文之后的免责条款部分 投资建议：ChatGPT 依赖大模型、大数据、大算力支撑，其出现标志着通用人工智能的起点及强人工智能的拐点，未来算力将引领下一场数字革命，xPU 等高端芯片需求持续增长。先进封装为延续摩尔定理提升芯片性能及集成度提供技术支持，随着 Chiplet 封装概念持续推进，先进封装各产业链（封测/设备/材料/IP等）将持续受益。建议关注：封测：通富微电、长电科技、华天科技、甬矽电子、伟测科技；设备：北方华创、中微公司、盛美上海、华峰测控、长川科技、中科飞测、华海清科、华封科技（未上市）；材料：华海诚科、鼎龙股份、深南电路、兴森科技、艾森股份、上海新阳、联瑞新材、飞凯材料；EDA：华大九天、广立微、概伦电子；IP：芯原股份。 风险提示：下游需求复苏低于预期；先进封装技术研发不及预期；人工智能发展不及预期；系统性风险。先锋精科：刻蚀/薄膜沉积零部件专家，将持续受益设备国产化-华金证券-电子-先锋精科-公司快报 2024.12.12消费电子：端侧 AI 风起云涌，眼镜终端系最佳落地场景之一-华金证券-电子-眼镜终端-行业快报 2024.12.11行业快报http://www.huajinsc.cn/3 / 5请务必阅读正文之后的免责条款部分表 1：英伟达 Blackwell Ultra 产品线产品HBM 类型CoWoS 类型B100HBM3e 8hi*8 (192GB)CoWoS-LB200HBM3e 8hi*8 (192GB)CoWoS-LB300HBM3e 12hi*8 (288GB)CoWoS-LGB200HBM3e 8hi*8 (192GB)CoWoS-LGB300HBM3e 12hi*8 (288GB)CoWoS-LB300AHBM3e 12hi*4 (144GB)CoWoS-SGB300AH