突破减薄机超薄晶圆加工技术，半导体先进封装领域加速布局

证券研究报告·公司点评报告·光伏设备 东吴证券研究所 1 / 8 请务必阅读正文之后的免责声明部分 晶盛机电（300316） 突破减薄机超薄晶圆加工技术，半导体先进封装领域加速布局 2024 年 08 月 14 日 证券分析师 周尔双 执业证书：S0600515110002 021-60199784 zhouersh@dwzq.com.cn 证券分析师 李文意 执业证书：S0600524080005 liwenyi@dwzq.com.cn 股价走势 市场数据 收盘价(元) 27.20 一年最低/最高价 26.78/59.88 市净率(倍) 2.22 流通A股市值(百万元) 33,498.31 总市值(百万元) 35,619.32 基础数据 每股净资产(元,LF) 12.23 资产负债率(%,LF) 52.26 总股本(百万股) 1,309.53 流通 A 股(百万股) 1,231.56 相关研究 《晶盛机电(300316)：电池片设备顺利出海，光伏产业链设备加速一体化布局》 2024-07-09 《晶盛机电(300316)：2024 年一季报点评：业绩持续高增，材料+设备双轮驱动》 2024-04-26 买入（维持） [Table_EPS] 盈利预测与估值 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 营业总收入（百万元） 10638 17983 21946 24656 27418 同比（%） 78.45 69.04 22.04 12.35 11.20 归母净利润（百万元） 2924 4558 5581 6521 7303 同比（%） 70.84 55.85 22.45 16.86 11.99 EPS-最新摊薄（元/股） 2.23 3.48 4.26 4.98 5.58 P/E（现价&最新摊薄） 12.44 7.98 6.52 5.58 4.98 [Table_Tag] 关键词：#新产品、新技术、新客户 [Table_Summary] 投资要点 ◼ 事件：近日，晶盛机电自主研发的新型 WGP12T 减薄抛光设备成功实现了稳定加工 12 英寸 30μm 超薄晶圆。 ◼ 晶圆呈现超薄化趋势，对减薄机提出更高要求：器件小型化要求不断降低芯片封装厚度，超薄晶圆也因其高集成度、低功耗和优异性能，成为当前半导体产业发展的关键材料之一。因此晶圆超薄化是必然趋势。一般较为先进的多层封装（如 2.5D、3D 封装）所用的芯片厚度都在 100μm 以下甚至 30μm 以下，但超薄晶圆呈现柔软、刚性差、实质脆弱等特点，对减薄机的精度、工艺控制等方面提出极高的要求。 ◼ 日本 DISCO 和东京精密为全球晶圆减薄机龙头，2022 年 CR2 达 68%：2023 年我国进口研磨机金额为 4.4 亿美元，同比+16%，2017-2023 年CAGR 为 18%。2024H1，我国进口减薄机的均价约 450 万元人民币/台，接近国产减薄机价格的 1.5 倍。全球减薄设备主要由日本企业主导，主要包括日本 DISCO、东京精密、G&N 等，2022 年 CR2、CR3 分别达68%和 85%，其中 DISCO 份额最高，占据全球主导地位。2023 财年，DISCO 实现营收 145 亿元人民币，同比+8%，其中来自中国大陆的收入占 36%；分产品看，划片机和减薄机为 DISCO 的主要产品，收入占比分别为 32%和 28%。DISCO 拥有 TAIKO 优势减薄工艺，其畅销机型DGP8760 的升级款 DGP8761 型减薄机可高效稳定地实现厚度在 25μm以下的晶圆减薄加工。 ◼ 晶盛成功突破 12 英寸 30μm 超薄晶圆的高效、稳定减薄技术，未来晶圆减薄机产品放量可期：近期，晶盛机电对其自主研发的新型 WGP12T减薄抛光设备进行一系列的技术优化和工艺流程改进后，使晶圆在设备上能减薄抛光至 30μm 厚度以下，确保晶圆的表面平整度和粗糙度的同时，成功解决了超薄晶圆减薄加工过程中出现的变形、裂纹、污染等难题，真正实现了 30μm 超薄晶圆的高效、稳定的加工技术，大大提升了公司在全球晶圆减薄机市场中的竞争力。未来在先进封装扩产带动下，公司的晶圆减薄机有望快速放量。 ◼ 晶盛半导体设备定位大硅片、先进封装、先进制程、碳化硅：（1）大硅片设备：晶盛机电为国产长晶设备龙头，能够提供长晶、切片、研磨、抛光整体解决方案；（2）先进封装：已布局晶圆减薄机，并突破 12 英寸 30μm 超薄晶圆的高效、稳定减薄技术；（3）先进制程：开发了 8-12英寸减压硅外延设备、LPCVD 以及 ALD 等设备；（4）碳化硅外延设备：开发了 6-8 英寸碳化硅长晶设备、切片设备、减薄设备、抛光设备及外延设备，8-12 英寸常压硅外延设备等，推出双片式碳化硅外延设备。 ◼ 盈利预测与投资评级：光伏设备是晶盛机电成长的第一曲线，第二曲线是光伏耗材和半导体耗材的放量，第三曲线是碳化硅设备+材料和半导体设备的放量。我们维持公司 2024-2026 年归母净利润为 56/65/73 亿元，对应 PE 为 7/6/5 倍，维持“买入”评级。 ◼ 风险提示：下游扩产低于预期，新品拓展不及预期。 -53%-48%-43%-38%-33%-28%-23%-18%-13%-8%-3%2023/8/142023/12/132024/4/122024/8/11晶盛机电沪深300 请务必阅读正文之后的免责声明部分 公司点评报告 东吴证券研究所 2 / 8 1.1. 晶圆呈现超薄化趋势，对减薄机提出更高要求 器件小型化要求不断降低芯片封装厚度，晶圆超薄化发展，对减薄机提出更高要求。一般的减薄工艺和晶圆传输方式只能实现对 150μm 以上厚度晶圆的加工，但随着器件减小，芯片厚度不断减薄，强度随之降低，减薄过程容易形成损伤和微裂纹。以存储器为例，其封装形式主要为叠层封装，封装的层数目前已达到 96 层以上，为满足先进封装要求，在封装整体厚度不变甚至减小的趋势下，堆叠中各层芯片的厚度就不可避免地需要减薄，一般较为先进的多层封装所用的芯片厚度都在 100μm 以下甚至 30μm 以下，呈现柔软、刚性差、实质脆弱等特点，要求其 TTV 小于 1μm、表面粗糙度 Rz<0.01μm，显著增大加工难度。 图1：硅片直径与芯片厚度的变化趋势 图2：30μm 厚度、12 英寸晶圆的柔性 数据来源：《超薄晶圆减薄工艺研究》，东吴证券研究所 数据来源：晶盛机电官方微信公众号，东吴证券研究所 超薄晶圆减薄后可叠加抛光工序，消除残余应力和表面损伤。由于磨削是通过机械作用去除材料，会在硅片表面产生表面损伤、残余应力，导致加工后的晶圆强度降低、翘曲变形，因此精磨加工后通常还需要其他工艺，如化学机械抛光，采用晶圆吸附在承片台上，抛光垫粘结在抛光头上的方式，将抛光液喷洒到晶圆上，与晶圆发生化学反应，并通过抛光头与承片台的相互运动，实现对材料表面的去除，从而实现对晶圆的抛光，减小了晶圆表明损伤层的深度，提高了表面质量。抛光液中，磨粒的直径大小在 70-100nm，消除晶圆表面因为精磨磨削的物理加工方