异质结行业深度报告：HJT系列报告二：硅片薄片化+吸杂，可较好实现HJT电池降本增效

电力设备 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 1 / 16 电力设备 2023 年 02 月 17 日 投资评级：看好（维持） 行业走势图 数据来源：聚源 《坚定看好 2023 年新能源景气度，期待板块拐点—行业周报》-2023.2.5 《特高压建设有望迎来高峰期，解决清洁能源跨区互济瓶颈—行业投资策略》-2023.2.4 《八部门印发公共领域车辆全面电动化试点通知，充电桩行业有望迎来量利齐升期—行业点评报告》-2023.2.4 HJT 系列报告二：硅片薄片化+吸杂，可较好实现HJT 电池降本增效 ——异质结行业深度报告 殷晟路（分析师） yinshenglu@kysec.cn 证书编号：S0790522080001  硅片薄片化及吸杂为 HJT 重要降本增效方式 HJT 降本增效方式主要包含“三减一增”+提效。减少银浆消耗和减少主栅线银耗主要是降低金属化成本，减少硅料用量主要为减少硅成本，增加光吸收量为减少光学损失，提效可摊薄各环节通量成本。2022年底HJT电池中硅成本占比71%，为 HJT 电池成本第一大项，通过硅片薄片化可直接降低硅成本，通过吸杂工艺可降低硅成本和提升转换效率。  HJT 适用更薄硅片，100 元/kg 硅料价格下每减薄 10μm 可降本 1.6 分钱/W HJT 电池为全对称结构，制造工艺流程简单，且由于非晶硅层存在制造过程最高温度不超过 200℃。PERC 和 TOPCon 电池最低需要 850/900℃，且由于均为非对称电池结构，烧结过程由于内部应力不一致容易导致硅片翘曲，增加电池及组件失效风险，因此薄片化潜力相对较小。HJT 电池由于对称结构+低温工艺，不容易引起硅片翘曲更适合薄片化降本。HJT 电池通过薄片化，在多晶硅致密料价格约 200 元/kg 下，硅片每减薄 10μm 在 25.5%转换效率下可降低硅成本约 0.016元/W，若硅料价格回落到 100 元/kg，对应 0.008 元/W。  HJT 导入硅片吸杂可同时降本提效，并提升整体经济性 吸杂技术是减少硅片的加工和工艺过程的污染、改善硅片的性能的一种非常有效的方法，通过管式扩 P 或者链式涂覆 P 源后高温扩散可降低硅片中杂质含量。通过导入吸杂工艺，可降低 HJT 电池硅料采购要求实现降低硅成本；通过硅片品质改善可减少硅片中少数载流子复合中心，提高电池的开路电压,从而提高HJT电池光电转换效率提升超过 0.15%；通过提效带来单瓦硅成本下降，以及电池组件环节除设备投资外非硅成本下降，预计导入吸杂工艺可降低 HJT 组件成本约0.6 分钱/W。  随着 HJT 产业发展，硅片薄片化及吸杂产业链均有望受益 HJT 电池通过硅片薄片化可降低硅成本，通过吸杂可降低硅成本及提升组件整体经济性，随着产业发展，硅片薄片化及吸杂环节产业链均有望受益。受益标的：TCL 中环、高测股份、宇晶股份、奥特维。  风险提示：光伏终端需求不及预期的风险；硅片薄片化不及预期的风险；HJT接受度不及预期的风险； -36%-24%-12%0%12%24%2022-022022-062022-10电力设备沪深300相关研究报告 开源证券 证券研究报告 行业深度报告 行业研究 行业深度报告 请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 2 / 16 目 录 1、 硅片薄片化及吸杂为 HJT 重要降本增效方式 ........................................................................................................................ 4 1.1、 “三减一增”+提效为 HJT 主要降本增效方式 ............................................................................................................... 4 1.2、 硅成本为 HJT 成本第一大项，可通过薄片化+吸杂降本增效 ................................................................................... 4 2、 HJT 为低温工艺，适用于更薄硅片......................................................................................................................................... 5 2.1、 HJT 电池工艺流程简单，电极金属化需要低温防止失效 .......................................................................................... 5 2.2、 HJT 为低温工艺，利于硅片薄片化降本 ...................................................................................................................... 5 3、 HJT 导入硅片吸杂可同时降本提效，并提升整体经济性 ..................................................................................................... 7 3.1、 吸杂可提升硅片品质，同时实现降本提效 .................................................................................................................. 7 3.1.1、 吸杂可采购普通硅料降本................................................................................................................................... 7 3.1.2、 吸杂可提升 HJT 电池效率 .................................................................................................................................. 8 3.2、 吸杂可提升 HJT 电池经济性......................................................................................................................................... 8