玻璃纤维行业2026年中期策略报告：T布，先进封装物理地基，算力升级驱动通胀加速

玻璃纤维行业2026年中期策略报告T布：先进封装物理地基，算力升级驱动通胀加速证券研究报告中期行业策略报告发布日期：2026年5月5日本报告由中信建投证券股份有限公司在中华人民共和国（仅为本报告目的，不包括香港、澳门、台湾）提供。在遵守适用的法律法规情况下，本报告亦可能由中信建投（国际）证券有限公司在香港提供。请务必阅读正文之后的免责条款和声明。分析师：韩宇hanyu1@csc.com.cnSAC 编号：S1440525120005核心观点 T布：先进封装物理地基，小却重要的刚需材料。T布用于IC载板，通过匹配硅芯片热膨胀系数，确保载板在大尺寸与高算力环境下的结构平整与焊点可靠，是先进封装中抵御“热失配”应力的“定海神针”。T布需求中有70%左右用于FCBGA用ABF载板，30%用于手机等FCCSP用BT载板。AI算力推动IC载板迭代升级，T布正成为先进封装中需求增速最快的刚需材料之一。 云端AI+端侧AI共振升级，T布需求非线性增长。云端AI：算力芯片迭代→封装面积增大→ABF载板层数与尺寸齐升→核心层结构复杂化→T布消耗量呈倍数级通胀。端侧AI：端侧AI放量→主板mSAP工艺渗透率提升/芯片封装尺寸扩大→主板T布渗透率提升/ABF载板层数与尺寸齐升→核心层结构复杂化→T布消耗量快速提升。我们测算2025-2028年全球T布合计需求分别为963.14、2041.6、4026.58、6959.56万米，2026-2028分别同比+111.97%、+97.23%、+72.84%。 T布供需存明显缺口，看好国产超越机会。T布需求端非线性增长，供给增速追不上需求增长，存明确涨价基础。台湾工研院测算T布供需差由2025年的14个点将扩大至2026年的18个点，随后在2027年回落至8个点，2026年为缺口最大阶段。台湾福邦投顾预估，全球T布到2027年预计仍将呈现供不应求的格局，缺口高达27%。供应格局来看，当前日东纺占据垄断地位（85%份额），2027年中有效供应才将释放的现实为内资企业进入T布高端市场打开了长达一年左右的窗口期。我们看好国产超越机会：1） 2025年以来日东纺接连涨价仍难以完全抑制高增需求，T布需求高增明确，日东纺涨价为内资企业产品向上迭代创造明确空间；2）以宏和科技为代表的内资企业快速响应客户需求，积极配合扩产，资本开支密集，当前宏和科技T布性能指标已经达到2.9-3ppm/℃，接近日东纺产品水平，有望打破日东纺垄断，公司客户进展积极，密集资本开支剑指T布产能高速扩张，具备在T布端超越日东纺地位潜力。此外，中材科技、国际复材、中国巨石等电子布大厂也有望凭借研发积累、客户拓展和资本开支速度分得一杯羹。 风险提示：下游需求不及预期的风险；产能无序扩张的风险；终端客户拓展不及预期的风险；信息更新不及时的风险。提纲01.T布：先进封装物理地基，小却重要的刚需材料02. 云端AI+端侧AI共振升级，T布需求非线性增长03. T布供需存明显缺口，看好国产超越机会T布：先进封装物理地基，小却重要的刚需材料51.先进封装物理地基，小却重要的刚需材料芯片CTE：3.3ppm/℃封装载板用T布CTE：2.8ppm/℃主板（使用普通E/low-dk一代/low-dk二代布等）CTE：5.6ppm/℃左右图表：T布与E布在芯片封装结构中的应用位置对比 T布，即low-cte电子布，从结构位置来看，T布位于芯片与主板之间的封装载板环节，低CTE特征有助于缩小芯片、封装载板与PCB之间的热膨胀差异；E布则更多用于主板PCB基材，承担常规绝缘增强与线路承载功能。资料来源：日东纺官网，Prismark,Binghamton University,中信建投研究所图表：芯片封装显微镜照片61.先进封装物理地基，小却重要的刚需材料指标E布T布NE布（Low-Dk一代）NER布（Low-Dk二代）NEZ布Q布Dk@10GHz6.65.34.74.54.03.7Df@10GHz0.0060.0070.00250.00180.0010.0005CTE（ppm/℃）5.62.83.33.43.10.5拉伸模量75GPa86GPa64GPa50GPa46GPa78GPaSiO₂含量52%–56%64%–66%45%–55%45%–55%50%–55%99.9%Al₂O₃含量12%–16%24%–26%10%–15%10%–18%10%–18%–覆铜板等级M4–M6–M7–M8M9–M10终端应用通用领域IC载板AI服务器、400G交换机、HDI/PTHAI服务器、800G交换机、HDI/PTHAI服务器、1.6T交换机、HDI/PTH 不同电子布的性能差异主要体现在热膨胀控制与介电损耗控制两条主线。E布主要面向通用PCB基材，Dk、Df及CTE相对较高；T布的核心优势在于低CTE与高拉伸模量，更适配IC载板对尺寸稳定性和封装可靠性的要求；NE（Low-Dk一代）、NER（Low-Dk二代）、NEZ、Q布则沿低Dk、低Df方向迭代，主要面向AI服务器、高速交换机等高阶覆铜板材料体系。图表：主流电子布性能指标与应用等级对比资料来源：Trendforce，中信建投研究所7 T布的核心价值在于通过低CTE、高模量特性提升封装载板的尺寸稳定性。随着GPU、ASIC等高阶芯片封装面积扩大，硅芯片、interposer与封装载板之间的热膨胀失配更容易带来翘曲、焊点应力和界面可靠性问题，T布嵌入BT Core后可降低载板整体CTE并增强支撑能力，成为先进封装中提升可靠性的关键材料。作用对应封装问题在 GPU/ASIC 链条中的意义降低 CTE硅芯片、interposer、ABF/BT载板之间热膨胀不一致降低芯片封装热循环中的尺寸失配，减少焊点、凸点和界面应力抑制翘曲大尺寸封装在回流焊、高温工作、冷热循环下容易翘曲封装尺寸越大，热膨胀失配带来的绝对位移呈比例同步放大，越需要低CTE支撑提高刚性和尺寸稳定性高密度线路、细间距封装对平整度和尺寸变化敏感保证封装基板加工、贴装和长期运行可靠性1.先进封装物理地基，小却重要的刚需材料图表：T布对封装载板翘曲的改善效果图表：T布在封装载板中的核心作用资料来源：日东纺官网，Panasonic官网，Amkor/iMAPS，中信建投研究所81.先进封装物理地基，小却重要的刚需材料应用领域具体应用设 备 /部件基板类型对 应器件/用途高端电子布类型中端电子布类型通信、算力等基建设施手机基站、数据中心交换机/路由器/服务器、AI服务器处理器、控制器封装载板CPU/GPU/ASICT布E布NAND存储T布E布DDR存储NE/NERE布主板服务器（AI及通用服务器）NE/NERE布交换机（核心/AI）NE/NER/NEZE布网卡（NIC）NE/NERE布终端设备智能手机、平板电脑、移动PC、边缘AI设备处理器封装载板AP/CPU/NPU超薄T布、T布超薄E布非易失性存储NAND存储超薄T布极薄E布易失性存储DDR存储超薄T布DDR存储NE布主板主板基板超薄NE布超薄E布无线通信市场射频封装基板超薄NE布超薄E布台式机、笔记本电脑、AI PCCPU/存储封装载板CPU/GPU/NPUT布E布主板DD