2025年年度报告摘要

盛美半导体设备（上海）股份有限公司2025 年年度报告摘要公司代码：688082公司简称：盛美上海盛美半导体设备（上海）股份有限公司2025 年年度报告摘要盛美半导体设备（上海）股份有限公司2025 年年度报告摘要第一节 重要提示1、 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。2、 重大风险提示报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在 2025 年年度报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分内容。3、 本公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。4、 公司全体董事出席董事会会议。5、 立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。6、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利□是 √否7、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案经第三届董事会第三次会议决议，公司2025年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本扣减公司回购专用证券账户中股份为基数进行利润分配。本次利润分配方案如下：截至2025年12月31日，公司总股本为480,164,789股，以剔除已回购股份443,400股后的总股本为基准，拟每10股派发现金红利6.233元（含税），共计派发现金红利299,010,341.76元（含税），本次利润分配现金分红金额占2025年合并报表归属于母公司股东净利润的21.42%。本次利润分配不送红股，不进行资本公积转增股本。公司于2025年6月至8月期间，通过集中竞价交易方式实施股份回购金额50,012,340.46元，现金分红和回购金额合计349,022,682.22元，占2025年合并报表归属于母公司股东净利润25.00%。如在本报告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，公司总股本发生增减变动的，公司维持分配总额不变，相应调整每股分配比例。如后续总股本发生变化，将另行公告具体调整情况。母公司存在未弥补亏损□适用 √不适用8、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项□适用 √不适用盛美半导体设备（上海）股份有限公司2025 年年度报告摘要第二节 公司基本情况1、 公司简介1.1 公司股票简况√适用 □不适用公司股票简况股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称A股上海证券交易所科创板盛美上海688082不适用1.2 公司存托凭证简况□适用 √不适用1.3 联系人和联系方式董事会秘书证券事务代表姓名罗明珠/联系地址中国（上海）自由贸易试验区丹桂路999弄B2栋/电话021-50276506/传真021-50808860/电子信箱ir@acmrcsh.com/2、 报告期公司主要业务简介2.1 主要业务、主要产品或服务情况公司经过多年持续的研发投入和技术积累，先后开发了前道半导体工艺设备，包括清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、涂胶显影 Track 设备、等离子体增强化学气相沉积 PECVD设备、无应力抛光设备；后道晶圆级先进封装工艺设备、面板级先进封装设备；以及硅材料衬底制造工艺设备等。（1）前道半导体工艺设备①清洗设备A.SAPS 兆声波单片清洗设备晶圆表面的兆声波能量与晶圆和兆声波发生器之间的距离呈现周期性的变化。在传统的兆声波清洗工艺中，不同工序后应力带来的晶圆翘曲，使得晶圆上不同点到兆声波发生器的距离不同，因此晶圆上不同位置的兆声波能量也不相同，无法实现兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。而且由于硬件位置控制的误差，也会造成兆声波能量在晶圆表面分布的不均匀。公司自主研发的 SAPS 兆声波技术采用扇形兆声波发生器，通过精确匹配晶圆旋转速度、液膜厚度、兆声波发生器的位置、交变位移及能量等关键工艺参数，通过在工艺中控制兆声波发生器和晶圆之间的半波长范围的相对运动，使晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，从而很好的控制了兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。B.TEBO 兆声波单片清洗设备公司自主研发的 TEBO 清洗设备，可适用于 28nm 及以下的图形晶圆清洗，通过一系列快速盛美半导体设备（上海）股份有限公司2025 年年度报告摘要（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司 TEBO 清洗设备，在器件结构从 2D 转换为 3D 的技术转移中，可应用于更为精细的具有 3D 结构的 FinFET、DRAM 和新兴 3D NAND 等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。公司通过自主研发并具有全球知识产权保护的 SAPS 和 TEBO 兆声波清洗技术，解决了兆声波技术在集成电路单片清洗设备上应用时，兆声波能量如何在晶圆上均匀分布及如何实现图形结构无损伤的全球性难题。为实现产能最大化，公司单片清洗设备可根据客户需求配置多个工艺腔体，最高可单台配置 18 腔体，有效提升客户的生产效率。C.高温单片 SPM 设备随着技术节点推进，工艺温度要求在 150 摄氏度以上，甚至超过 200 摄氏度的 SPM 工艺步骤逐渐增加。高剂量离子注入后的光刻胶去除、无灰化步骤的纯湿法去胶工艺，以及特殊的金属膜层刻蚀或剥离，都对 SPM 的温度提出了更高的要求。公司的新型单片高温 SPM 设备使用独特的多级梯度加热系统来预热硫酸，然后将硫酸与过氧化氢混合以达到超高温。同时，公司的腔体支持配置其他多种化学品，并配备在线化学品混酸（CIM）系统，可用于动态设置工艺中的化学品配比及温度。该腔体配置还可支持更多的化学品和灵活的辅助清洗方案，比如公司独有的专利技术 SAPS 和 TEBO 兆声波技术。该设备可支持 300mm 晶圆单片 SPM（硫酸和过氧化氢混合酸）工艺，可广泛应用于逻辑、DRAM 和 3D-NAND 等集成电路制造中的湿法清洗和刻蚀工艺，尤其适合处理高剂量离子注入后的光刻胶（PR）去除工艺，以及金属刻蚀和剥离工艺。单片中低温 SPM清洗设备在多家客户端实现量产 26nm 颗粒数量少于 10 颗，平均颗粒数量少于 5 颗。高温（硫酸温度大于 170 摄氏度）SPM 设备装入盛美上海的专利申请保护的喷嘴技术，可以有效改善清洗腔的氛围，大幅减少清洗腔的清洗频度，增加运行时间，实现 26nm 小颗粒数量少于 10 颗，平均颗粒数量少于 5 颗；19nm 小颗粒数量少于 10 颗；15nm 颗粒数量少于 20 颗，颗粒控制水平达到全球领先水平。D.单片槽式组合清洗设备公司自主研发的具有全球知识产权保护的 Tahoe 清洗设备在单个湿法清洗设备中集成了两个模块：槽式模块和单片模块。Tahoe 清洗设备可被应用于光刻胶去除、刻蚀后清洗、离子注入后清洗和机械抛光后清洗等几十道关键清洗工艺中。Tahoe 清洗设备的清洗效果与工艺适用性可与单片中低温 SPM 清洗设备相媲美。该设备通过减少高达 75%的硫酸消