半导体存储行业深度研究报告：企业级需求高增，驱动新一轮存储超级周期

证 券 研 究 报 告 证监会审核华创证券投资咨询业务资格批文号：证监许可（2009）1210 号 电子 2025 年 11 月 5 日 半导体存储行业深度研究报告 推荐 （维持） 企业级需求高增，驱动新一轮存储超级周期 ❑ 企业级需求高增，存储价格全面上涨。（1）DRAM：服务器建置动能回暖，25Q4 DRAM 价格涨幅预期上修。海外原厂退产 DDR4 导致 PC 领域 DDR5 渗透率提高，服务器领域受到 CSP 建置动能回温，DDR5 产品需求持续增强，近期 DDR5 价格稳健上扬。DDR4 主要受到原厂产能缩减影响，自 24Q4 主流存储原厂宣布减产/转产 DDR4 至今已逾半年，随着产能调整深入演进，DDR4 颗粒供不应求价格持续攀升。展望 25Q4，Trendforce 预计 DRAM 涨幅预期可观，且 25 年 10 月由于供应商收到 CSP 厂商加单后明显提高调升报价的意愿，Trendforce 上调 25Q4 DRAM 价格预测，一般型 DRAM 价格预估涨幅从 8-13%上修至 18-23%，并且很有可能再度上修。展望 26 年，由于 Server 需求维持强劲，预期 DDR5 合约价于 2026 全年都将呈上涨态势，尤其以上半年较为显著。（2）NAND Flash：供给优化&企业级需求攀升，价格强势上涨。受人工智能应用以及数据中心、客户端和移动领域日益增长的存储需求的推动，闪迪于 25年 9 月宣布对所有渠道和消费者客户的产品价格调涨 10%以上。25 年 9 月以来，在原厂控货+涨价双重驱动下，现货 Flash Wafer 价格强势上涨，截至 2025年 10 月 29 日，TLC 闪存 256Gb/512Gb/1Tb 价格相比 25 年 9 月 2 日价格涨幅16.7%/61.3%/27.0%。由于颗粒端价格持续拉升，SSD 成品 9 月起同步跟涨。据 Trendforce 预测，由于供给优化&企业级 SSD 需求攀升，预计 25Q4 NAND合约价有望全面上涨，平均涨幅达 5-10%。 ❑ AI 服务器大幅提升存储要求，驱动新一轮创新大周期。全球数据中心基础设施扩建浪潮升温，其中存储器为数据存储直接载体，大模型迭代下容量&性能同步进阶，近年服务器 NAND 和 DRAM 应用占比持续增长，已成全球存储市场增长核心引擎。（1）DRAM：低功耗内存需求日益旺盛，26 年传统 DRAM新增产能有限。数据中心面临如何在提供海量算力的同时降低能耗的问题，因此低功耗内存架构是数据中心必备战略要务，英伟达新一代 Grace CPU 已使用带有纠错码的 LPDDR5X 显存来实现服务器级可靠性，同时将能效提高 5倍。针对 AI 数据中心对低功耗 DRAM 的需求，存储厂商亦积极拓展低功耗内存在数据中心的应用。供给方面，HBM 是 DRAM 行业最核心的价值增长引擎，单位元收入贡献远超传统 DRAM，且差距仍在不断扩大。因此主要原厂26 年均聚焦 HBM 产能扩张，传统 DRAM 新增产能有限。（2）NAND:受 KV Cache 卸载&HDD 挤占影响，NAND 出货或将出现爆发式增长。为确保模型训练的准确度，所需的数据量不断增长，且已拓展至多模态数据来源。近年8TB/16TB 及以上中高容量 eSSD 应用占比大幅提升。且 PCIe5.0 SSD 可加速模型部署，渗透率逐步提高。除容量和配置的升级以外，KV Cache 用于缓存历史 token 计算结果，通过实现对重复计算过程的智能规避来提高计算效率，一般存储于 GPU 内存中。KV Cache 容量的增长已超过 HBM 承载上限，频繁的内存溢出可能导致推理过程出现“记忆断片”，迫使 GPU 执行重复计算，从而引发延迟和卡顿。将 KV Cache 卸载到 DRAM、SSD 等成本更低、容量更充裕的内存层级成为业界核心策略。此外，HDD 是数据中心冷数据的首选，承载近 80%存储容量。由于全球主要 HDD 制造商近年未规划扩大产线，推理需求导致 Nearline HDD 严重缺货，云厂商开始考虑使用 SSD 去补齐 HDD 缺口，促使高效能、高成本的 SSD 逐渐成为市场焦点，特别是大容量的 QLC SSD 出货可能于 2026 年出现爆发性增长。 ❑ 投资建议：近期存储价格全面上涨，除 DDR4 供给收缩逻辑以外，主要系数据中心建置动能回暖，且 AI 服务器大幅提升存储要求，驱动新一轮创新大周期，从而大幅提高存储需求。随着数据中心建设以及服务器单柜存储配置提升，我们对 25Q4 及 26 年存储价格预期乐观。建议关注：江波龙、德明利、香农芯创、兆易创新、佰维存储、聚辰股份、联芸科技、北京君正、普冉股份、东芯股份。 ❑ 风险提示：存储产品价格波动影响、下游需求不及预期 证券分析师：岳阳 邮箱：yueyang@hcyjs.com 执业编号：S0360521120002 证券分析师：吴鑫 邮箱：wuxin@hcyjs.com 执业编号：S0360523060001 联系人：卢依雯 邮箱：luyiwen@hcyjs.com 行业基本数据 占比% 股票家数(只) 168 0.02 总市值(亿元) 69,714.56 5.80 流通市值(亿元) 52,952.28 5.46 相对指数表现 % 1M 6M 12M 绝对表现 -4.3% 46.9% 51.2% 相对表现 -4.5% 23.5% 31.5% 相关研究报告 《光刻机：半导体设备价值之冠，国产替代迎来奇点时刻》 2025-10-14 《半导体先进封装行业深度研究报告：AI 算力需求激增，先进封装产业加速成长》 2025-08-25 《半导体存储行业深度研究报告：供需双振驱动价格持续上扬，企业级存储国产化加速推进》 2025-07-01 -9%13%36%58%24/1125/0125/0325/0625/0825/102024-11-04~2025-11-03电子沪深300华创证券研究所 半导体存储行业深度研究报告 证监会审核华创证券投资咨询业务资格批文号：证监许可（2009）1210 号 投资主题 报告亮点 本文系统性地阐述了“供给优化”与“企业级需求”共同驱动下的存储价格全面上涨趋势。在 DRAM 领域，本文分析了 DDR4 因产能缩减与 DDR5 因服务器需求回暖带来的差异化涨价路径，并指出主流预测机构已因 CSP 厂商加单而上修 2025 年第四季度的价格涨幅预期。在 NAND Flash 领域，本文通过原厂提价与具体颗粒价格数据，说明了自 2024 年第四季度以来由供给调整到目前全领域需求推动的涨价态势，并预计 2025 年第四季度合约价将延续涨势。 本文重点探讨了 AI 服务器对存储产业带来的深远影响与结构性变化。本文指出，大模型训练与推理不仅提升了存储的容量与性能要求，更驱动了存储架构的革新。一方面，HBM 的产能扩张可能限制 2026 年传统 DRAM 的供给增长，此外 LPDDR5X 等低功耗内存成为数据中心能效管理的关键；另一方面，本文分析了“KV Cach