安集科技2025年半年度报告全文

安集微电子科技（上海）股份有限公司2025 年半年度报告1 / 211公司代码：688019公司简称：安集科技债券代码：118054债券简称：安集转债安集微电子科技（上海）股份有限公司2025 年半年度报告安集微电子科技（上海）股份有限公司2025 年半年度报告2 / 211重要提示一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。二、 重大风险提示公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“四、风险因素”。三、 公司全体董事出席董事会会议。四、 本半年度报告未经审计。五、 公司负责人Shumin Wang、主管会计工作负责人刘荣及会计机构负责人（会计主管人员）刘荣声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案无七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项□适用 √不适用八、 前瞻性陈述的风险声明√适用 □不适用本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况否十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况否十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性否十二、 其他□适用 √不适用安集微电子科技（上海）股份有限公司2025 年半年度报告3 / 211目录第一节释义 .................................................................... 4第二节公司简介和主要财务指标 .................................................. 8第三节管理层讨论与分析 ....................................................... 12第四节公司治理、环境和社会 ................................................... 41第五节重要事项 ............................................................... 43第六节股份变动及股东情况 ..................................................... 62第七节债券相关情况 ........................................................... 68第八节财务报告 ............................................................... 70备查文件目录报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文及公告的原稿载有公司法定代表人、财务负责人签章的财务报表安集微电子科技（上海）股份有限公司2025 年半年度报告4 / 211第一节释义在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：常用词语释义安集科技、公司指安集微电子科技（上海）股份有限公司Anji Cayman指Anji Microelectronics Co. Ltd.，公司控股股东上海安集指安集微电子（上海）有限公司，公司全资子公司宁波安集指宁波安集微电子科技有限公司，公司全资子公司台湾安集指台湾安集微电子科技有限公司，公司全资子公司宁波安集投资指宁波安集股权投资有限公司，公司全资子公司北京安集指北京安集微电子科技有限公司，公司全资子公司安集电子材料指上海安集电子材料有限公司，公司全资子公司新加坡安集指ANJI MICROELECTRONICS PTE. LTD.，宁波安集投资全资子公司法国 CT指CORDOUAN TECHNOLOGIES，新加坡安集全资子公司SEPPURE指SEPPURE PTE. LTD.股东大会指安集微电子科技（上海）股份有限公司股东大会董事会指安集微电子科技（上海）股份有限公司董事会监事会指安集微电子科技（上海）股份有限公司监事会高级管理人员指公司总经理、副总经理、财务总监、董事会秘书《公司章程》指《安集微电子科技（上海）股份有限公司章程》《公司法》指《中华人民共和国公司法》《证券法》指《中华人民共和国证券法》中国证监会指中国证券监督管理委员会上交所指上海证券交易所报告期指2025 年 1 月 1 日-2025 年 6 月 30 日化 学 机 械 抛 光（CMP）指Chemical Mechanical Planarization，集成电路制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺。与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，CMP 技术由化学作用和机械作用两方面协同完成。化学机械抛光液、抛光液、研磨液指由纳米级研磨颗粒和高纯化学品组成，是化学机械抛光工艺过程中使用的主要化学材料。研磨颗粒、纳米磨料指为生产化学机械抛光液所需的关键原材料，主要包括硅溶胶、气相二氧化硅和二氧化铈等品类。清洗技术指通过化学处理、气体或物理方法去除晶片表面杂质的过程。通常在工艺之间进行，用于去除芯片制造中上一道工序所遗留的超微细颗粒污染物、金属残留、有机物残留物，去除光阻掩膜或残留，也可根据需要进行硅氧化膜、氮化硅或金属等薄膜材料的湿法腐蚀，为下一步工序准备好良好的表面条件。晶圆清洗步骤数量约占所有芯片制造工序步骤 30%以上，而且随着节点的推进，清洗工序的数量和重要性会继续提升。根据清洗介质的不同，目前半导体清洗技术主要分为湿法清洗和干法清洗两种工艺路线，晶圆制造产线上通常以湿法清洗为主。湿法清洗指针对不同的工艺需求，采用特定的化学药液和去离子水，对晶圆表面进行无损伤清洗，以去除晶圆制造过程中的颗粒、自然氧化层、有机物、金属污染、牺牲层、抛光残留物等物质，可同时采用超声波、加热、真空等辅助技术手段。湿电子化学品、工艺化学品指是超大规模集成电路、平板显示、太阳能电池等制作过程中不可缺少的关键性基础化工材料之一，一般要求超净和高纯，对生产、包装、运输及使用环境的洁净度都有极高要求。按照组成成分和应用工艺不同，可将湿电子化学品分为通用湿化学品和功能性湿化学品两大类。光刻指半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光安集微电子科技（上海）股份有限公司2025 年半年度报告5 / 211刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。光刻胶指光刻中采用的感光物质，其利用光照反应后溶解度不同将掩膜版图形转移至衬底上。光刻胶去除指刻蚀过程中光刻胶定义的图像被转移到晶圆表面并且刻蚀到定义的深度，刻蚀之后作为刻蚀保护层或者阻挡层的剩余光刻胶需要从晶圆表面去除。光刻胶去除剂、光阻去除剂指又称“清洗液”、“剥离液”、“去胶液”，是光刻胶去除工艺中使用的化学材料，主要由刻蚀剂、溶剂及添加剂等组成，通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶及其