半导体量／检测设备行业专题报告：前道设备弹性最大环节之一，迎国产替代最佳机遇

半导体量/检测设备专题报告：前道设备弹性最大环节之一，迎国产替代最佳机遇证券研究报告 行业研究 专用设备证券分析师：周尔双执业证书编号：S0600515110002zhouersh@dwzq.com.cn证券分析师：黄瑞连执业证书编号：S0600520080001huangrl@dwzq.com.cn2022年12月6日仅供内部参考，请勿外传核心观点2◆大陆晶圆厂逆周期大规模扩产，半导体设备需求维持高位。相较半导体设计、封测环节，晶圆制造仍是中国大陆当前半导体行业短板，自主可控驱动本土晶圆厂逆周期大规模扩产。据集微咨询预测，中国大陆未来5年将新增25座12英寸晶圆厂，总规划月产能将超过160万片，对半导体设备的需求将维持高位。美国新一轮制裁对中国大陆存储（ 128层及以上3D NAND、18nm及以下DRAM）及14nm或以下制程逻辑扩产虽有一定不确定性，但我们认为随着美国对中国大陆半导体产业持续打压，会加速设备国产替代进程。◆前道国产化率最低环节之一，国产替代弹性空间大。①量/检测设备是半导体制造重要的质量检查工艺设备，价值量占比较高，2019年销售额在半导体设备中占比达到11%，仅次于薄膜沉积、光刻和刻蚀设备，远高于清洗、涂胶显影、CMP等环节。我们预计2023年中国大陆量/检测设备市场规模将达到326亿元，市场需求较为广阔。②全球范围内来看，KLA在半导体量/检测设备领域一家独大，2020年在全球市场份额高达51%，尤其是在晶圆形貌检测、无图形晶圆检测、有图形晶圆检测领域，KLA全球市场份额更是分别高达85%、78%、72%。中科飞测、上海精测、睿励科学、东方晶源等本土厂商虽已经实现一定突破，但量/检测设备仍是前道国产化率最低的环节之一。若以近期批量公开招标的华虹无锡和积塔半导体为统计标本，2022年1-10月份2家晶圆厂量/检测设备国产化率仅为8%，远低于去胶机、刻蚀设备、薄膜沉积设备等环节。展望未来，在美国制裁升级背景下，KLA在中国大陆市场的业务开展受阻，我们看好在此轮制裁升级刺激下，本土晶圆厂加速国产设备导入，量/检测设备有望迎来国产替代最佳窗口期。◆投资建议：量/检测设备市场规模大，国产化率低，看好制裁升级下国产替代加速，前瞻性布局的本土企业有望深度受益。建议关注精测电子、赛腾股份、中微公司，以及即将上市的中科飞测。1）精测电子：2021.12.1至2022.11.11，上海精测销售合同累计达到3.38亿元，约是2018-2021年收入之和的2倍，已进入重复订单放量阶段。2）赛腾股份：并购日本Optima切入量/检测领域，外观缺陷检测设备具备全球竞争力，中国大陆市场开拓有望快速推进。3）中微公司：三次增资睿励科学，睿励科学在光学薄膜测量领域具备较强竞争力，看好睿励科学在中微公司的产业资源加持下产业化快速推进。4）中科飞测：专注于半导体量/检测设备的国产领军者，量/检测设备覆盖面已经达到27%，新品突破后有望超过50%，龙头地位显著。◆风险提示：半导体行业投资不及预期、设备国产化不及预期、美国制裁升级风险。仅供内部参考，请勿外传四、本土部分量/检测设备企业梳理目录一、晶圆厂逆周期大规模扩产，半导体设备需求维持高位二、量/检测设备价值量占比排第四，2023年市场规模超300亿元三、前道国产化率最低环节之一，国产替代将迎来最佳机遇五、投资建议六、风险提示仅供内部参考，请勿外传1.1. 大陆晶圆厂逆周期扩产，半导体设备需求维持高位◆ 相较半导体设计、封测环节，晶圆制造是中国大陆当前半导体行业短板，自主可控驱动本土晶圆厂逆周期大规模扩产。据SEMI数据，2021-2022年全球新增晶圆厂29座中，中国大陆新增8座，占比达到27.59%。然而，中国大陆市场晶圆产能缺口依旧较大，2021年底晶圆全球产能占比仅为16%（包含台积电、海力士、三星等外资企业在本土的晶圆产能），远低于半导体销售额全球占比（2021年约35%）。在自主可控驱动下，本土晶圆厂具备较强逆周期扩产诉求。◆ 在半导体行业下行周期中，2022年8月26日，中芯国际拟在天津投资75亿美元建设12英寸晶圆代工生产线项目，工艺节点为28-180nm，规划产能为10万片/月。此外，中芯国际拟将2022年资本开支计划从320.5亿元上调到456.0亿元，均进一步验证逆周期扩产需求。4图：2021年底中国大陆晶圆产能全球占比仅16%资料来源：Knometa Research，东吴证券研究所图：2021年中国大陆半导体销售额全球占比为35%资料来源：SIA，东吴证券研究所韩国23%中国台湾21%中国大陆16%日本15%美洲11%欧洲5%其他地区9%美洲21%欧洲9%日本8%中国大陆35%亚太及其他地区27%仅供内部参考，请勿外传◆ 就具体晶圆厂而言，我们统计发现，仅华虹集团、中芯国际、长江存储、合肥长鑫四家晶圆厂未来合计扩产产能将过100万片/月。5厂商实施主体工厂代码工艺尺寸类型项目地点2021年底产能（万片/月）规划产能（万片/月）状态华虹集团华虹半导体Fab1-3功率器件1um-90nm8寸上海17.818建成上海华力F5功率器件50-40-28nm12寸上海3.53.5建成上海华力F6功率器件28-14nm12寸上海34建成华虹半导体Fab7功率器件90-65/55nm12寸无锡68建成上海华力Fab812寸上海04计划华虹半导体Fab912寸无锡08计划中芯国际中芯上海S1(Fab1 2 3)逻辑代工0.35µm~0.15µm制程，主要0.11/0.13um8寸上海11.513.5建成中芯南方SN1逻辑代工FinFET14-7nm12寸上海1.53.5建成中芯南方SN2逻辑代工FinFET14-7nm12寸上海03.5在建中芯北京B1(Fab4、6)逻辑代工0.18µm~55nm12寸北京5.26建成中芯北方B2逻辑代工65-24nm12寸北京6.210建成中芯京城B3P1逻辑代工45/40-32/38nm12寸北京05在建中芯京城B3P2逻辑代工45/40-32/38nm12寸北京05计划中芯京城B3P312寸北京05计划中芯京城B3P412寸北京05计划中芯深圳Fab15逻辑代工0.35µm~0.15µm，主要0.25um/0.35um8寸深圳4.47建成中芯深圳Fab16A/B逻辑代工28nm12寸深圳04建成中芯天津FabB7P2逻辑代工0.35µm~90nm,主要0.15/0.18um8寸天津9.518建成中芯天津28~180nm逻辑12寸天津010计划中芯绍兴MEMS、功率器件8寸绍兴4.2510建成中芯宁波N10.18um射频及高压模拟器件8寸宁波1.51.5建成中芯宁波N2特种工艺模拟芯片8寸宁波02.75建成合肥长鑫合肥长鑫Fab1DRAM12寸合肥612.5建成合肥长鑫Fab2DRAM12寸合肥012.5计划合肥长鑫Fab3DRAM12寸合肥012.5计划长江存储长江存储Fab13D NAND FLASH12寸武汉810建成长江存储Fab23D NAND FLASH12寸武汉010在建长江存储Fab33D NAND FLASH12寸武汉010计划武汉新芯Fab1Nor FLASH12寸武汉2.52.5建成