2025年年度报告摘要

拓荆科技股份有限公司2025 年年度报告摘要公司代码：688072公司简称：拓荆科技拓荆科技股份有限公司2025 年年度报告摘要拓荆科技股份有限公司2025 年年度报告摘要第一节 重要提示1、 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。2、 重大风险提示报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分内容。3、 本公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。4、 公司全体董事出席董事会会议5、 天健会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。6、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利□是 √否7、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案公司2025年度向特定对象发行A股股票申请已获得中国证监会出具的《关于同意拓荆科技股份有限公司向特定对象发行股票注册的批复》（证监许可〔2026〕913号）（以下简称“批复文件”），公司董事会将按照中国证监会批复文件和相关法律法规的要求以及公司股东会的授权，在规定期限内办理本次向特定对象发行股票的相关事项，并及时履行信息披露义务。根据《证券发行与承销管理办法》的相关规定：“上市公司发行证券，存在利润分配方案、公积金转增股本方案尚未提交股东会表决或者虽经股东会表决通过但未实施的，应当在方案实施后发行”。为确保2025年向特定对象发行A股股票相关工作顺利推进，避免利润分配与发行时间产生冲突，公司拟延迟审议2025年度利润分配方案。待发行完成后，公司将尽快按照法律法规与《拓荆科技股份有限公司章程》等规定，履行2025年度利润分配方案的审议并落实。母公司存在未弥补亏损□适用 √不适用拓荆科技股份有限公司2025 年年度报告摘要8、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项□适用 √不适用第二节 公司基本情况1、 公司简介1.1 公司股票简况√适用 □不适用公司股票简况股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称A股上海证券交易所科创板拓荆科技688072不适用1.2 公司存托凭证简况□适用 √不适用1.3 联系人和联系方式董事会秘书证券事务代表姓名赵曦刘锡婷联系地址辽宁省沈阳市浑南区水家900号辽宁省沈阳市浑南区水家900号电话024-24188000-8089024-24188000-8089传真024-24188000-8080024-24188000-8080电子信箱Dongban@piotech.cnir@piotech.cn2、 报告期公司主要业务简介2.1 主要业务、主要产品或服务情况1、主要业务情况公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研发、自主创新，一直在高端半导体专用设备领域持续深耕、拓展，重点聚焦薄膜沉积设备和应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备（以下统称“三维集成设备”）的研发与产业化。报告期内，公司积极把握半导体芯片技术迭代升级与国产替代的发展机遇，依托深厚的技术储备及前瞻性的产业格局，积极拓展应用于集成电路先进制程领域的新产品、新工艺，目前已构建了较为完善的薄膜沉积设备、三维集成设备的产品矩阵。2、主要产品情况拓荆科技股份有限公司2025 年年度报告摘要公司目前已形成 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD 等薄膜沉积设备产品，以及晶圆对晶圆混合键合、晶圆对晶圆熔融键合、芯片对晶圆混合键合等三维集成设备产品，已广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等领域。报告期内，公司在薄膜沉积设备和三维集成设备方面的核心竞争力持续提升，在先进制程领域的新产品拓展与量产应用方面取得了突出成果，业务规模快速增长，设备性能和产能达到国际同类设备先进水平。具体产品情况如下：（1）PECVD 系列产品PECVD 设备作为公司核心产品，是芯片制造的核心设备之一，其主要功能是将硅片控制到预定温度后，使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的 CVD 设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。公司自成立就开始研制 PECVD 设备，在 PECVD 设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆盖全系列 PECVD 薄膜材料的设备，主要包括 PECVD 产品和薄膜后处理相关的UV Cure 产品。① PECVD 产品公司 PECVD 系列产品具体情况如下：主要产品型号产品图片产品应用情况PF-300T主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片、功率器件、Micro-OLED、硅光技术等领域，可以沉积 SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG 等通用介质薄膜材料，以及 LoK-Ⅰ、LoK-Ⅱ、ACHM、ADC-Ⅰ、ADC-Ⅱ、HTN、a-Si、Stack（ONO叠层）、OPN、SiB 等先进介质薄膜材料，可实现 8 英寸与 12 英寸 PECVD 设备兼容，在客户端具有高产能、低生产成本优拓荆科技股份有限公司2025 年年度报告摘要势。PF-300T eXPF-300T Plus eXPF-300T Plus pXPF-300T PlusSupra-DPF-300M Supra-DPF-300T Bianca主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领域，可以在晶圆背面沉积 SiN、SiO2等介质薄膜材料，实现对晶圆翘曲的纠正以及晶圆背面的保护。拓荆科技股份有限公司2025 年年度报告摘要NF-300H主要应用于集成电路存储芯片制造、三维集成领域，适用于沉积较厚的薄膜，如Thick TEOS 和 Ultra-thick TEOS 介质材料薄膜。NF-300M Supra-H主要应用于集成电路存储芯片制造领域，可以沉积 Stack（ONO 叠层）等介质材料薄膜。PF-150TPF-200T主要应用于新型功率器件领域，可以沉积SiC/GaN 器件制造中的 SiO2、SiN、TEOS、SiON 等介质材料薄膜。② UV Cure 产品UV Cure 设备主要用于薄膜紫外线固化处理，该工序通过对薄膜进行后处理，有效改善薄膜性能，提升薄膜应力、硬度等关键性能指标。公司 UV Cure 产品具体情况如下：主要产品型号产品图片产品应用情况PF-300TUpsilon主要应用于集成电路芯片制造领域。该设备可以与 PECVD 成套使用，为 PECVDHTN、Lok-Ⅱ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。拓荆科技股份有限公司2025 年年度报告摘要（2）ALD 系列产品ALD 设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面，形