2025年年度报告摘要

恒烁半导体（合肥）股份有限公司2025 年年度报告摘要公司代码：688416公司简称：恒烁股份恒烁半导体（合肥）股份有限公司2025 年年度报告摘要恒烁半导体（合肥）股份有限公司2025 年年度报告摘要第一节 重要提示1、 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）网站仔细阅读年度报告全文。2、 重大风险提示报告期内公司实现归属于上市公司股东的净利润-9,949.39 万元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-11,424.15 万元。2025 年，尽管受益于行业景气度提升及公司积极的市场策略带来营收增长和毛利率同比改善，同时资产减值损失显著减少，但由于公司全年综合毛利率仍处于较低水平，且期间费用率保持高位，公司本年度亏损虽较上年收窄，但尚未扭转亏损。公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分，请投资者注意投资风险。3、 本公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。4、 公司全体董事出席董事会会议。5、 容诚会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。6、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利□是 √否7、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案经容诚会计师事务所（特殊普通合伙）审计，公司2025年度实现归属于上市公司股东的净利润为人民币-9,949.39万元，截至2025年12月31日，母公司期末可供分配利润为人民币-27,929.65万元。充分考虑到公司的整体盈利水平以及实际发展需求，为更好地维护全体股东的长远利益，公司2025年度拟不分配利润，不派发现金红利，以资本公积向全体股东每股转增0.3股。本年度以现金为对价，采用集中竞价方式已实施的股份回购金额14,812,925.60元（不含印花税、交易佣金等交易费用），占本年度归属于上市公司股东净利润绝对值的比例为14.89%。上述2025年度利润分配及资本公积金转增股本方案已经第二届董事会第十四次会议审议通过，该议案尚需提交公司2025年年度股东会审议。恒烁半导体（合肥）股份有限公司2025 年年度报告摘要母公司存在未弥补亏损√适用 □不适用截至2025年12月31日，母公司期末可供分配利润为人民币-27,929.65万元，主要系近几年受存储行业周期波动、主营产品价格下滑、公司综合毛利率较低、计提资产减值损失和期间费用相较于营收规模较高等综合因素影响。8、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项□适用 √不适用恒烁半导体（合肥）股份有限公司2025 年年度报告摘要第二节 公司基本情况1、 公司简介1.1 公司股票简况√适用 □不适用公司股票简况股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称A股上海证券交易所科创板恒烁股份688416不适用1.2 公司存托凭证简况□适用 √不适用1.3 联系人和联系方式董事会秘书证券事务代表姓名周晓芳肖倩倩联系地址合肥市庐阳区天水路与太和路交口西北庐阳中科大校友企业创新园11号楼合肥市庐阳区天水路与太和路交口西北庐阳中科大校友企业创新园11号楼电话0551-656732520551-65673252传真0551-656732520551-65673252电子信箱Zbitsemi@zbitsemi.comZbitsemi@zbitsemi.com2、 报告期公司主要业务简介2.1 主要业务、主要产品或服务情况（1）、主要业务情况公司是一家主营业务为存储芯片和 MCU 芯片研发、设计及销售的集成电路设计企业。公司现有主营产品包括 NOR Flash 存储芯片、基于 Arm® Cortex®-M0+内核架构的通用 32 位 MCU 芯片、大容量存储产品业务和 AI 芯片业务（通用 AI SoC 芯片、AI 算法模型和 AI 模组板卡）。（2）、主要产品（2.1）NOR Flash 存储芯片公司 NOR Flash 产品在制程、电压、功耗、频率、工作温度及产品稳定性等方面均处于行业主流水平，部分产品技术水平达到行业先进水平。公司自主研发的 NOR Flash 产品，采用高速串行外设接口（SPI）技术，具备高可靠性、低功恒烁半导体（合肥）股份有限公司2025 年年度报告摘要耗特性、良好的兼容性和成本效益等特点。①技术工艺：公司的 NOR Flash 产品采用了业界广泛认可的浮栅工艺（Floating Gate 工艺，也称为 ETOX 工艺）。这种基于 ETOX 的 NOR Flash 技术完全拥有国内自主知识产权，无需依赖外部技术授权。经过长期和广泛的客户验证，该技术已证明其在可靠性和稳定性方面的卓越表现。同时，公司也对 NORD 架构的 NOR Flash 产品进行研发，致力于保持产品及技术领先。②制程技术：目前销售的主要 NOR Flash 产品采用了武汉新芯的 50nm 制程技术，以及中芯国际的 55nm 制程技术。除部分特殊工规等产品保留 65nm 工艺节点，其他全系 NOR Flash 产品，已全面过渡到 5Xnm 工艺节点，以提高产品性能和生产效率。③容量选择：能够提供从 1Mb 到 512Mb 的 NOR Flash 产品系列，以满足不同容量需求的市场。④工作电压：公司 NOR Flash 产品根据工作电压可分为三个系列：低电压（1.65-2.0V）、高电压（2.3-3.6V）以及宽电压（1.65-3.6V），全面覆盖了市场上主要的工作电压等级。⑤性能参数：公司的 NOR Flash 产品支持最高 166MHz 的工作频率，在双线（SPI Dual Mode）和四线（SPI Quad Mode）的工作模式下，数据传输带宽可分别达到 332Mbits/s 和 664Mbits/s。在双边沿数据传输模式下，数据带宽更是高达 532Mbits/s。静态电流低至 1μA，工作温度范围标准为-40℃至 125℃，数据保持时间长达 20 年，擦写次数可达 10 万次，确保了产品的长期稳定性和耐用性。⑥车规认证：部分 NOR Flash 产品已通过 AEC-Q100 的标准认证，公司将致力于实现车规产品全容量系列的认证，以满足汽车行业对高可靠性存储解决方案的需求。综上所述，公司的 NOR Flash 产品在制程技术、工作电压范围、功耗控制、操作频率、工作温度适应性以及产品稳定性方面均处于行业领先水平，部分产品技术已达到行业先进水平，能够为客户提供了高性能和高可靠性的存储解决方案。（2.2）通用 MCU 芯片公司目前销售的 ZB32L002、ZB32L003、ZB32L030、ZB32L032 系列共计 30 余款型号产品，均为基于 Arm Cortex-M0+内核的通用 32 位微控制器（MCU）。相关产品具备宽电压工作范围、低动态功耗、低待机电流及高性价比等特点，并集成 ADC、RTC、比较器、多通道 UART 等多种模拟与数字外设。产品支持休眠和深度休眠两种低功耗模式，其中深度休眠模式可在约 3μs 内快速唤醒