电子11月周专题：算力需求驱动增长，HBM产业链迎来新机遇

1 行业报告│行业周报 请务必阅读报告末页的重要声明 电子 11 月周专题（11.20—11.24） 算力需求驱动增长，HBM 产业链迎来新机遇 ➢ 高算力需求带动存储市场快速扩张 根据 SK 海力士的研究，普通服务器不需要使用 HBM，DDR5 的用量为 500GB；而在 AI 服务器中，HBM 用量超过 500GB，DDR5 的用量也将达到普通服务器的 2-4 倍。以 NVIDIA 最新 GPU 产品 H200 为例，NVIDIA H200 是首款采用HBM3E 的 GPU，与上一代架构的 NVIDIA A100 相比，其容量几乎翻了一倍，带宽也增加了 2.4 倍。受高算力需求的带动，TrendForce 预计 2025 年 HBM市场规模将会突破 100 亿美元。 ➢ HBM 性能相比于 GDDR5/6 大幅提升 和传统内存产品相比，HBM 可以实现更高的内存和带宽，并且降低功耗以及所需要占用的面积。根据美光的统计，HBM2E 的单字节功耗相比 GDDR5 降低约 1/3，相应的内存则从 8GB 提升至 16-32GB。AMD 的研究表明，相比于GDDR5，HBM 的表面积减少了超过 94%。 ➢ 下一代 HBM4 产品方案或将发生变化 2023 年 10 月，三星宣布，下一代产品 HBM4 正在开发中，目标 2025 年供货。三星还在准备开发针对高温热特性优化的非导电粘合膜（NCF）组装技术和混合键合 HCB 技术，以应用于 HBM4 产品。据韩媒 JoongAng 报道，SK海力士已开始招聘 CPU 和 GPU 等逻辑半导体的设计人员，希望将 HBM4 直接堆叠在处理器上，这样 GPU 与 HBM 之间的连接将不再需要依赖中介层。SK海力士和英伟达极有可能从头开始共同设计芯片，并将生产委托给台积电。 ➢ 投资建议 HBM 采用 3D 封装形式，MUF 塑封底填和 TSV 硅通孔是关键技术环节，相关产业链公司有望受益于 HBM 行业的发展。我们建议关注环氧塑封料及其上游原材料、TSV 硅通孔等环节，主要标的包括华海诚科、雅克科技、德邦科技等。同时建议关注下一代 HBM4 技术方案可能带来的产业链变化。 风险提示：HBM4 产品封装技术方案变化的风险、算力需求不及预期的风险、下游厂商验证结果不及预期的风险。 证券研究报告 2023 年 11 月 25 日 投资建议： 强于大市（维持） 上次建议： 强于大市 相对大盘走势 作者 分析师：熊军 执业证书编号：S0590522040001 邮箱：xiongjun@glsc.com.cn 分析师：王晔 执业证书编号：S0590521070004 邮箱：wye@glsc.com.cn 相关报告 1、《电子：新版大模型不断推出，看好算力产业链》2023.11.12 2、《电子：电子行业环比持续改善，看好消费电子复苏》2023.11.06 -10%0%10%20%2022/112023/32023/72023/11电子沪深300请务必阅读报告末页的重要声明 2 行业报告│行业周报 正文目录 1. HBM：高算力需求带动存储市场扩容 ................................... 3 1.1 HBM 性能相比于 GDDR 大幅提升 .................................. 3 1.2 HBM 更新换代或将带来上游产业链新变化 ......................... 4 1.3 算力需求驱动增长，SK 海力士和三星主导市场 .................... 5 1.4 相关标的 .................................................... 7 2. 风险提示 ......................................................... 9 图表目录 图表 1： HBM 侧面结构示意图 ........................................... 3 图表 2： GDDR5/6 与 HBM 产品性能对比 .................................... 3 图表 3： GDDR5 与 HBM 表面积大小对比 .................................... 4 图表 4： HBM 行业发展历史 ............................................. 4 图表 5： HBM3E 产品集成方案示意图 ...................................... 5 图表 6： HBM4 产品集成方案示意图 ....................................... 5 图表 7： AI 领域的竞争是促进存储需求增长的驱动力 ....................... 6 图表 8： HBM 市场规模增长情况（亿美元） ................................ 6 图表 9： HBM 需求量增长情况 ........................................... 6 图表 10： HBM 代际份额变化情况 ........................................ 7 图表 11： 2022 年 HBM 各厂商市场份额 .................................... 7 图表 12： HBM 各厂商市场份额变化情况 ................................... 7 图表 13： SK 海力士 MR-MUF 塑封底填技术示意图 ........................... 8 请务必阅读报告末页的重要声明 3 行业报告│行业周报 1. HBM：高算力需求带动存储市场扩容 1.1 HBM 性能相比于 GDDR 大幅提升 HBM 全称 High Bandwidth Memory，意为高带宽内存，通过 3D 堆叠封装的方式集成多片 DRAM 芯片。相比于 DDR4、GDDR5 可以实现更少的功耗、更小的面积、更高的带宽和容量，常用于搭配 CPU、GPU 或其他类型的高性能计算类芯片。 图表1：HBM 侧面结构示意图 资料来源：AMD 官网，国联证券研究所 从 GDDR5/6 到 HBM，性能大幅度提升。和传统内存产品相比，HBM 可以实现更高的内存和带宽，并且降低功耗以及所需要占用的面积。根据美光的统计，GDDR5 的单字节功耗约为 9 pJpB，HBM2E 则降至 6 pJpB；相应的内存则从 8GB 提升至 16-32GB。AMD 的研究表明，相比于 GDDR5，HBM 的表面积减少了超过 94%。 图表2：GDDR5/6 与 HBM 产品性能对比 High-Performance Memory Comparison GDDR5 Graphi