2025年年度报告摘要

宁波江丰电子材料股份有限公司 2025 年年度报告摘要1证券代码：300666证券简称：江丰电子公告编号：2026-022宁波江丰电子材料股份有限公司 2025 年年度报告摘要一、重要提示本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到证监会指定媒体仔细阅读年度报告全文。所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。立信会计师事务所（特殊普通合伙）对本年度公司财务报告的审计意见为：标准的无保留意见。非标准审计意见提示□适用 不适用公司上市时未盈利且目前未实现盈利□适用 不适用董事会审议的报告期利润分配预案或公积金转增股本预案适用 □不适用公司经本次董事会审议通过的利润分配预案为：以 2025 年 12 月 31 日公司股份总数 265,320,683 股扣除回购专用证券账户中已回购股份 1,020,200 股后的股本 264,300,483 股为基数，向全体股东每 10 股派发现金红利 3.86 元（含税），送红股 0 股（含税），以资本公积金向全体股东每 10 股转增 0 股。董事会决议通过的本报告期优先股利润分配预案□适用 不适用二、公司基本情况1、公司简介股票简称江丰电子股票代码300666股票上市交易所深圳证券交易所联系人和联系方式董事会秘书证券事务代表姓名邹俊伟施雨虹宁波江丰电子材料股份有限公司 2025 年年度报告摘要2办公地址浙江省余姚市经济开发区名邦科技工业园安山路浙江省余姚市经济开发区名邦科技工业园安山路传真0574-581224000574-58122400电话0574-581224050574-58122405电子信箱investor@kfmic.cominvestor@kfmic.com2、报告期主要业务或产品简介（一）主营业务公司主要专注于超高纯金属溅射靶材和半导体精密零部件的研发、生产和销售。其中超高纯金属溅射靶材包括铝靶、钛靶、钽靶、铜靶以及各种超高纯金属合金靶材等，这些产品主要应用于超大规模集成电路芯片、液晶面板制造的物理气相沉积（PVD）工艺以制备电子薄膜材料。半导体精密零部件包括金属、陶瓷、树脂等多种材料经复杂工艺加工而成的精密零部件，主要用于半导体芯片以及平板显示器生产线的机台，覆盖了包括 PVD、CVD、刻蚀、离子注入以及产业机器人等应用领域，其生产过程对于材料精密制造技术、表面处理特种工艺等技术要求极高，产品主要出售给晶圆制造商作为设备使用耗材或出售给设备制造商用于设备生产。（二）主要产品1、超高纯金属溅射靶材公司主要生产超高纯金属溅射靶材，包括超高纯铝靶材、超高纯钛靶材及环件、超高纯钽靶材及环件、超高纯铜靶材及铜合金靶、钨钛靶、镍靶和钨靶等。（1）超高纯铝靶材超高纯铝及其合金是目前使用最为广泛的半导体芯片配线薄膜材料之一。在其应用领域中，超大规模集成电路芯片的制造对溅射靶材金属纯度的要求最高，通常要求达到 99.9995%（5N5）以上，平板显示器用铝靶的金属纯度略低，一般要求达到 99.999%（5N）以上。目前，公司生产的铝靶已经广泛应用于超大规模集成电路芯片、平板显示器制造等领域。（2）超高纯钛靶材及环件在超大规模集成电路芯片中，超高纯钛是最为常用的阻挡层薄膜材料之一（相应的导电层薄膜材料为铝）。钛靶材及环件主要应用于 130-5nm 工艺当中，钛靶材及环件配套使用，其主要功能是辅助钛靶完成溅射过程，以实现更好的薄膜性能并达到更高的集成度要求。目前，公司生产的钛靶、钛环主要应用于超大规模集成电路芯片制造领域。（3）超高纯钽靶材及环件宁波江丰电子材料股份有限公司 2025 年年度报告摘要3在先端的铜制程超大规模集成电路芯片中，超高纯钽是阻挡层薄膜材料。钽靶材及环件是在 90-3nm 的先进制程中必需的阻挡层薄膜材料，主要应用在最尖端的芯片制造工艺当中。因此，钽靶材及环件是靶材制造技术难度最高、品质一致性要求最高的尖端产品，在此之前仅有少数几家跨国公司能够生产。特别是钽环件生产技术要求极高，目前只有公司及头部跨国企业掌握了生产此产品的核心技术。近年来随着高端芯片需求的增长，钽靶材及环件的需求大幅增长，全球供应链极其紧张。目前，公司生产的钽靶材及环件主要用于超大规模集成电路芯片制造领域。（4）超高纯铜靶材及铜合金靶超高纯铜靶材及铜锰、铜铝合金靶材是目前使用最为广泛的先端半导体导电层薄膜材料之一。在其应用领域中，超大规模集成电路芯片的制造对溅射靶材金属纯度的要求最高，通常要求达到 99.9999%（6N）以上，平板显示器用铜靶的金属纯度略低，要求达到 99.999%（5N）。铜及铜合金作为导电层通常用于 90-3nm 技术节点的先端芯片中。特别是铜锰合金靶材制造难度高，目前只有公司及头部跨国企业掌握了生产此产品的核心技术。近年来随着高端芯片需求的增长，铜锰合金靶材的需求大幅增长，全球供应链极其紧张。公司生产的铜及铜合金靶材主要用于超大规模集成电路芯片、平板显示器制造领域。（5）超高纯钨靶材超高纯钨靶主要应用在 IC 集成电路存储芯片中，是存储芯片的“金属骨架”，在 3D NAND 工艺中作为薄膜种子层。半导体级超高纯钨及合金靶纯度需达到 5N 以上（99.999%），关键特定有害杂质（如 Na/K 等）需控制在千万分之一以下水平。近年来存储芯片市场由人工智能（AI）和高带宽内存（HBM）技术重塑，导致超高纯钨靶的市场需求激增，全球供应链极其紧张。目前只有公司及头部跨国企业掌握了生产此产品的核心技术，近年来公司生产的超高纯钨靶已在多家国际知名存储芯片制造商实现批量应用。2、半导体精密零部件超大规模集成电路芯片 PVD、CVD、刻蚀机等半导体设备由各种精密零部件结合构成，这些部件主要包括传输腔体、反应腔体、膛体、圆环类组件（Ring）、腔体遮蔽件（Shield）、保护盘体（Disc）、冷却盘体（Cooling Arm）、加热盘体（Heater）、气体分配盘（Shower Head）、气体缓冲盘（BlockPlate）等；材料包括金属类（不锈钢、铝合金、钛合金）、非金属类（陶瓷、石英、硅、高分子材料）等；制造工艺包括超精密加工、扩散焊、氩弧焊、真空钎焊、表面处理、阳极氧化、等离子喷涂、热喷涂、特殊涂层、超级净化清洗等。在芯片先进制程生产工艺中，各种精密零部件作为耗材被广泛使用，零部件产品对精密制造技术、表面处理特种工艺等技术要求极高。目前，公司生产的零部件产品包括设备制造零部件和工艺消耗零部件，主要用于超大规模集成电路芯片制造领域。宁波江丰电子材料股份有限公司 2025 年年度报告摘要43、主要会计数据和财务指标（1） 近三年主要会计数据和财务指标公司是否需追溯调整或重述以前年度会计数据□是 否单位：元2025 年末2024 年末本年末比上年末增减2023 年末总资产10,582,798,046.078,689,443,785.5121.79%6,271,647,079.35归属于上市公司股东的净资产4,968,925,631.424,501,834,620.3610.38%4,174,314,633.252025 年2024 年本年比上年增减2023 年营业收入4,604,100,743.123,