电子行业AI产业系列深度报告：AI技术创新与供需格局变化，共同驱动存储景气周期

[Table_RightTitle] 证券研究报告|电子 [Table_Title] AI 技术创新与供需格局变化，共同驱动存储景气周期 [Table_IndustryRank] 强于大市(维持) [Table_ReportType] ——AI 产业系列深度报告 [Table_ReportDate] 2025 年 12 月 08 日 [Table_Summary] 行业核心观点： 存储市场规模较大，有望迎来以 AI 驱动的新一轮景气周期：据 CFM 闪存市场数据显示，2025Q3 全球存储市场规模创造季度历史新高，且已连续两个季度增长，其中 DRAM 市场规模环比增长 24.7%至 400.37 亿美元，NAND 市场规模环比增长 16.8%至 184.22 亿美元。当前存储芯片有望迎来以 AI 驱动的新一轮景气周期，需求拉动力更强、存储技术迭代进一步加速、供给端产能调控策略升级，同时短期供给端新增产能有限，供需缺口有望维持，本轮存储行业涨价持续性或更强。 投资要点： ⚫ 服务器存储受益于云厂商资本开支加速，端侧存储有望持续扩容：全球八大核心云端服务提供商 2025 年以来均加大资本投入以响应 AI 数据中心与云端运算的旺盛需求，根据 TrendForce 集邦咨询预测，2025 年全球八大云厂商资本支出总额年增率预计为 65%，并预期 2026 年行业仍将维持积极投资节奏，合计资本支出将突破 6000 亿美元，年增率达40%。资本支出的持续扩张有望全面带动 AI 服务器需求升温，进而拉动存储器等上游供应链需求。在存储器下游应用中，服务器存储占比有望进一步提升，NAND 领域，算力中心积极应用超高容量 eSSD 提升性能、降低能耗；DRAM 方面，随着支持 DDR5 的处理器平台渗透率提升、搭载AI 加速芯片的 AI 服务器出货放量，服务器 DDR5 及 HBM 需求快速增长。同时，2024-2025 年全球手机及 PC 出货量持稳，AI 手机、AIPC 等智能终端加速渗透，端侧存储有望持续扩容。 ⚫ 技术创新驱动存储市场成长,供给端调控产能致 DDR4 等供不应求：HBM、DDR5 引领高端 DRAM 市场，其中 HBM 技术持续迭代，存储容量与带宽不断提升，主流 AI 加速卡多数采用 HBM 配置方案，有望推动 HBM 市场规模稳步增长；DDR5 在企业级与数据中心客户的应用规模有望持续提升。NAND 市场方面，QLC NAND 技术逐步成熟，兼顾大容量、低功耗、高性能的 QLC SSD 成为企业级存储新星，渗透率有望提升。为应对 AI 算力旺盛需求，存储大厂调整产能规划至 HBM 等高端环节，减产或停供 DDR4等传统产品，使相关产品价格大幅上扬。 ⚫ 存储市场集中度较高，国产存储技术突破有望提升出货量，产业链迎来发展机遇：全球存储市场集中度较高，竞争格局较为稳定，三星、SK 海力士、美光等厂商稳居前列。国产 DRAM 龙头厂商长鑫存储已实现DDR5/LPDDR5X 的技术突破与产品供应，出货量有望逐步攀升。国产 NAND Flash 龙头厂商长江存储已实现 QLC、TLC 等多款产品的技术突破。AI驱动、技术创新叠加供需格局变化，国内存储厂商、模组厂商有望充分受益于存储新一轮景气周期。此外，存储景气周期有望推动存储厂商提升资本开支，上游半导体设备有望受益。 [Table_Chart] 行业相对沪深 300 指数表现 数据来源：聚源，万联证券研究所 [Table_ReportList] 相关研究 12 月 TV 面板价格有望企稳，明年需求端转暖可期 SW 电子 Q3 业绩高增长，持续关注 AI 与国产链 SW 电子基金重仓比例创新高，存储关注度提升 [Table_Authors] 分析师: 夏清莹 执业证书编号： S0270520050001 电话： (0755) 8322 3620 邮箱： xiaqy1@wlzq.com.cn 分析师: 陈达 执业证书编号： S0270524080001 电话： 13122771895 邮箱： chenda@wlzq.com.cn -20%-10%0%10%20%30%40%50%60%70%电子沪深300证券研究报告 行业深度报告 行业研究 [Table_Pagehead] 证券研究报告 万联证券研究所 www.wlzq.cn 第 2 页 共 24 页 ⚫ 投资建议：AI 浪潮持续推进，云厂商资本开支加速，服务器存储需求旺盛；同时 AI+消费终端等应用加速渗透，端侧存储持续扩容，存储行业有望迎来以 AI 驱动的新一轮景气周期。1）存储原厂，需求端迎来 AI强驱动，供给端存储厂商产能调控叠加技术创新加速，行业供需缺口或进一步扩大，产品价格上涨态势有望延续，关注存储厂商盈利能力提升带来的投资机遇；同时国内存储厂商技术持续突破，国产份额有望提升，关注存储行业国产替代的投资机遇。2）存储模组厂商，国内存储模组厂商毛利率有所回升，同时备货力度持续加大，叠加下游终端需求改善，模组厂商盈利能力有望改善，关注模组厂商业绩转暖的投资机遇。3）上游设备供应商，存储景气周期有望推动存储厂商提升资本开支，提振上游半导体设备行业需求，建议关注设备领域龙头厂商。 ⚫ 风险因素：中美科技摩擦加剧；AI 应用发展不及预期；国产技术突破 不及预期；下游终端需求不及预期；市场竞争加剧。 [Table_Pagehead] 证券研究报告 万联证券研究所 www.wlzq.cn 第 3 页 共 24 页 $$start$$ 正文目录 1 存储市场规模较大，有望迎来以 AI 驱动的新一轮景气周期 .................................... 5 1.1 存储芯片以 DRAM 和 NAND Flash 等产品为主 ............................................... 5 1.2 存储芯片产业链上游为设备及材料，下游应用广泛 ........................................ 6 1.3 存储市场规模较大，有望迎来以 AI 驱动的新一轮景气周期 .......................... 7 2 存储需求持续扩容，供给端调控与技术创新共同驱动增长 ....................................... 8 2.1 云厂商资本开支加速，服务器存储需求旺盛 .................................................... 8 2.2 人工智能+消费终端加速渗透，端侧存储有望持续扩容 ................................ 10 2.3 HBM、DDR5 引领高端 DRAM 市场，QLC NAND 技术逐步成熟 ............... 12 2.4 供给端调控产能致 DDR4 等供不应求，产品价格攀升 .................................. 15 3 国产存储技术创新突破，存储产业链迎来发展机遇 ....