赛迪前瞻2021年第69期（总682期）： 专利储备应是我国dram企业实现赶超的动力源（知识产权所）终发 - 水印版

- 1 - 2021 年 10 月 14 日 第 69 期 总第 682 期 专利储备应成为我国 DRAM 企业 实现赶超的动力源 20 世纪 70 年代以来，全球 DRAM 主要厂商历经三次重构，持续有效的大量关键核心技术专利储备助推日企 1985 年反超美企、韩企 1995 年反超日企。当前，国内 DRAM 市场需求量激增，DRAM 产业体系开始建立，在全球产业格局仍在加速重构的背景下，我国企业既有反超机遇，也有被卡脖子的风险。赛迪研究院知识产权研究所认为，我国 DRAM 领军企业在追赶之路上需高度重 - 2 - 视关键核心技术专利储备。 一、专利储备是 DRAM 产业格局重构的助推器 迄今为止，DRAM 产业格局主要历经三次重构，大量的专利储备是其重要推动力量。 第一阶段：美企主导。1974 年以前，全球 DRAM 专利均掌握在以英特尔、德州仪器和 IBM 为代表的美国企业（合称第 1代企业）手中，英特尔在 1974 年占据了全球 82.9%的市场份额。 第二阶段：日企主导。1976 年，以东芝、日立、三菱为龙头的日本企业（合称第 2 代企业）从专利总量上形成了对第 1 代企业的反超；后续经过长达十年的专利储备积累，1985 年在市场占有率上首次超过第 1 代企业，拿下全球 80%以上的市场份额。 第三阶段：美韩主导。上世纪 90 年代，以三星、海力士和美光为代表的美韩企业（合称第 3 代企业）结束了第 2 代企业专利储备遥遥领先的局面（1995 年专利年申请量实现超越，2004年专利申请总量实现超越）；1992 年三星首超第 2 代企业，DRAM专利全球市场占有率名列第一。 可见，没有大量关键核心技术的专利储备，就没有美、日、 - 3 - 韩 DRAM 产业的成长和发展。没有领军企业在关键核心技术专利储备方面的久久为功，就没有日企对美企的反超、韩企对日企的反超，更没有 DRAM 产业主要厂商格局的加速演进和重构。 表 1 全球 DRAM 产业格局三次重构情况 阶段 代表企业 专利储备情况 市场占有情况 第 1 代 企业 英特尔、德州仪器、IBM 1974 年前囊括了 DRAM 专利，专利数量 16 件。 1974 年英特尔占据全球 82.9%的 DRAM 市场份额。 第 2 代 企业 东芝、日立、三菱 1976 年实现对第 1 代企业专利总量的反超，专利数量 78 件。 1985 年第 2 代企业占据了全球DRAM 市场 90%的市场份额。 第 3 代 企业 三星、 海力士、美光 1995 年年度申请量超过第 2 代企业，年申请量 896 件；2004 年专利总量超过第 2 企业，专利总量16156 件。 1992 年，三星首超第 2 代企业，占据了全球 DRAM 市场份额第一。 数据来源：赛迪知识产权所整理 图 1 三代 DRAM 企业专利申请量年度趋势 数据来源：赛迪知识产权所整理 - 4 - 二、国内企业专利布局与美日韩企业存在差距 与美、韩等第 3 代巨头企业相比，国内企业专利储备实力不够。第 3 代企业维持了近 10 年超 1.5 倍的专利年申请量，才实现对第 2 代企业专利储备的反超，反超后仍持续发力，2017-2019年三年间专利年申请量均超过 1000 件。反观国内企业，一方面进入 DRAM 产业较晚，目前虽有企业已实现量产，但专利储备与国际巨头相差悬殊。比如，国内 DRAM 领军企业长鑫 2017-2019三年间年平均申请量仅为 163 件。现阶段 DRAM 领域全球专利年申请量与 20 年前已不可同日而语，中国企业要想实现产业追赶，还需在专利储备上持续下真功夫、下大功夫。 图 2 国内 DRAM 企业年度申请趋势 数据来源：赛迪知识产权所整理 - 5 - 与美、日等第 1 代和第 2 代退市企业相比，国内企业专利储备仍有不足。美、日等国第 1 代和第 2 代企业陆续退出 DRAM 市场后，仍保持着一定量的专利年申请量，比如英特尔、IBM、东芝等企业。英特尔 1985 年暂别 DRAM 市场后，一直并未放弃在全球 DRAM 领域的专利布局，即使是在 2002 年后，其专利年申请量也维持在 100 件以上，甚至略高于国内 DRAM 领军企业。尽管英特尔申请的大多为存储器外围控制电路专利，但其大量的基础核心专利储备极有可能成为国内领军企业追赶之路上的拦路虎，甚至成为国内 DRAM 产业创新发展的风险源。 三、几点建议 对标国际巨头，持续强化领军企业关键核心技术专利储备。从专利储备来看，我国 DRAM 企业专利年申请量需达 1500 件以上且持续 8-10 年，才能与第 3 代企业持平。建议国内 DRAM 领军企业对标三星、海力士、美光等国际巨头的专利储备量，紧盯国际标杆企业，从数量上追赶、从质量上提升，在专利布局上进行全面的跟踪监测，不断进行技术创新、专利积累、市场拓展协同推进、有序深化、持续发力，最终实现市场占有率的反超。 - 6 - 找准突破口，多渠道支持国内企业实现追赶。目前，无电容存储是国内外主要企业及科研院所认可且关注的一项新技术。从专利看，无电容存储技术国内起步时间与国际同行接近，专利总量差距也不是很大（美 227 件、韩 77 件、日 55 件、中 40 件），国内 DRAM 企业可以该技术为切入点，找准实现赶超的突破口。同时，充分发挥我国新型举国体制的制度优势和超大规模的市场优势，全要素、全产业链聚合创新、资本、人才等资源，细化专项扶持的关键环节和专利储备重点，精准施策，助力国内 DRAM领军企业加速超越之路。 国内企业形成合力，联合对抗巨头打压。从产业链协同攻关和产业基础再造的战略需求出发，构建以企业为主体、产学研用深度融合的 DRAM 产业专利储备联盟，协同开展关键核心技术的专利储备和布局。支持科研院所、高校、创新中心对 DRAM 产业关键环节的卡脖子技术进行联合攻坚，形成一批产业化导向的专利储备。充分发挥行业组织贴近产业、贴近企业、联络政府的作用，引导产业链上下游企业建立关键核心技术专利跟踪和监测机制，协同运用专利储备，形成专利保护合力；筛选优质的第三 - 7 - 方知识产权机构组织构建 DRAM 专利池，合力应对国外巨头企业的遏制、打压和专利滥用。 本文作者：赛迪工业和信息化研究院 毛文侠 李新 张义忠 刘亦玮 联系方式：13911565208 电子邮件：lix @ccidthinktank.com - 8 - - 9 - 编 辑 部：赛迪工业和信息化研究院 通讯地址：北京市海淀区万寿路27号院8号楼12层 邮政编码：100846 联 系 人：王乐 联系电话：010-68200552 13701083941 传 真：010-68209616 网 址：www.ccidwise.com 电子邮件：wangle@ccidgroup.com