2025年年度报告

深圳市皇庭国际企业股份有限公司 2025 年年度报告 1 证券代码：000056、200056 证券简称：皇庭国际、皇庭 B 公告编号：2026-012 深圳市皇庭国际企业股份有限公司 2025 年年度报告 2026 年 4 月 24 日 深圳市皇庭国际企业股份有限公司 2025 年年度报告 2 2025 年年度报告 第一节 重要提示、目录和释义 公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 公司负责人郑康豪、主管会计工作负责人史冉冉及会计机构负责人（会计主管人员）李亚莉声明：保证本年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。 尤尼泰振青会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了无法表示意见的审计报告，本公司董事会对相关事项已有详细说明，请投资者注意阅读。 公司在经营中主要存在战略实施风险、业务增长乏力风险、市场不确定性加大的风险、人才储备不足与团队管理风险等，敬请广大投资者注意投资风险。详细内容见本报告“第三节管理层讨论与分析，十一、公司未来发展的展望”。 公司计划不派发现金红利，不送红股，不以公积金转增股本。 截至报告期末，母公司存在未弥补亏损，公司母公司报表层面未分配利润-761,990,037.60 元，合并报表层面未分配利润-4,998,446,168.73元，未弥补亏损金额较大，结合公司实际经营情况，可能存在较长时间内无法实施现金分红的风险。敬请投资者关注该情形，并注意投资风险。 深圳市皇庭国际企业股份有限公司 2025 年年度报告 3 目录 第一节 重要提示、目录和释义 ................................... 2 第二节 公司简介和主要财务指标 ................................. 6 第三节 管理层讨论与分析 ....................................... 10 第四节 公司治理、环境和社会 ................................... 22 第五节 重要事项 ............................................... 34 第六节 股份变动及股东情况 ..................................... 46 第七节 债券相关情况 ........................................... 51 第八节 财务报告 ............................................... 52 深圳市皇庭国际企业股份有限公司 2025 年年度报告 4 备查文件目录 一、载有法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的财务报表。 二、载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。 三、报告期内在《证券时报》以及巨潮资讯网上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。 深圳市皇庭国际企业股份有限公司 2025 年年度报告 5 释义 释义项 指 释义内容 本公司、公司、皇庭国际 指 深圳市皇庭国际企业股份有限公司 皇庭集团 指 深圳市皇庭集团有限公司 皇庭投资 指 深圳市皇庭投资管理有限公司 皇庭产控、皇庭产业控股 指 深圳市皇庭产业控股有限公司 百利亚太 指 百利亚太投资有限公司 皇庭国际集团 指 皇庭国际集团有限公司 融发投资 指 深圳融发投资有限公司，公司全资子公司 同心再贷款 指 深圳市同心小额再贷款有限公司 同心基金 指 深圳市同心投资基金股份公司 瑞泽租赁 指 瑞泽国际融资租赁有限公司，公司控股子公司 皇庭商务服务 指 深圳市皇庭商务服务有限公司，公司全资子公司 重庆皇庭 指 重庆皇庭珠宝广场有限公司，公司全资子公司 意发功率 指 德兴市意发功率半导体有限公司，公司控股子公司 半导体 指 导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如：硅和锗 集成电路 指 将一定数目的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等集成在一起，从而实现电路或者系统功能的半导体器件 晶圆、芯片 指 在半导体片材上（单晶硅上）进行扩散、光刻、蚀刻、清洗、钝化、金属化等多道工艺加工，制成的能实现某种功能的半导体器件 电力电子器件 指 又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路等方面 SBD 指 肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），是以其发明人肖特基博士命名的一种金属-半导体（接触）二极管 FRD 指 快恢复二极管（简称 FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管 IGBT 指 绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是由 BJT（双极型三极管）和 MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件 Fabless 指 是 Fabrication(制造)和 less(无、没有)的组合，是指"没有制造业务、只专注于设计"半导体公司运营模式 MOSFET、MOS 指 金属-氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect Transistor）,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管 SiC 指 碳化硅，一种碳硅化合物，是第三代半导体的主要材料 GaN 指 氮化镓，一种氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体 IDM 指 垂直整合制造（Integrated Design and Manufacture），指从设计、制造、封装测试到销售自有品牌都一手包办的半导体垂直整合型公司 深圳市皇庭国际企业股份有限公司 2025 年年度报告 6 第二节 公司简介和主要财务指标 一、公司信息 股票简称 皇庭国际、皇庭 B 股票代码 000056、200056 变更前的股票简称（如有） 深国商 股票上市证券交易所 深圳证券交易所 公司的中文名称 深圳市皇庭国际企业股份有限公司 公司的中文简称 皇庭国际 公司的外文名称（如有） ShenzhenWongtee International Enterprise Co., Ltd. 公司的外文名称缩写（如有） Wongtee International 公司的法定代表人 郑康豪 注册地址 深圳市福田区福田街道岗厦社区福华路 350 号岗厦皇庭大厦 28A01 单元 注册地址的邮政编码 518048 公司注册地址历史变更情况 2011 年 8 月 25 日，公司注册地址由“深圳市人民南路深圳发展中心大厦 23 层”，变更为“深圳市福田区金田路 2028 号皇岗商务中心主楼 6 楼 A”；2016 年 2 月 23 日，公司注册地址由“深圳市福田区金田路 2028 号皇岗商务中心主楼 6 楼 A”，变更为“深圳市福田区金田路 2028 号皇岗商务中心 58 楼 03 单元”；2019 年 6 月 21 日，公司注册地址由“