苏州锴威特半导体股份有限公司2025年年度报告摘要

苏州锴威特半导体股份有限公司2025 年年度报告摘要公司代码：688693公司简称：锴威特苏州锴威特半导体股份有限公司2025 年年度报告摘要苏州锴威特半导体股份有限公司2025 年年度报告摘要第一节 重要提示1、 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。2、 重大风险提示报告期内，公司实现营业总收入 25,456.78 万元，同比增长 95.62%；归属于母公司所有者的净利润为-9,078.26 万元，同比减亏 640.67 万元。受全球经济增速放缓及行业竞争加剧影响，公司产品售价与毛利率有所承压。与此同时，为构筑长期核心竞争力，公司坚持前瞻性战略布局，持续加大研发投入以覆盖全品类功率器件芯片，推动功率 IC 及第三代半导体产品的系列化、自主可控与成本优化，并同步强化市场推广、渠道建设及管理升级。尽管公司通过优化产品组合、迭代工艺平台及拓展市场实现了销售规模的增长，但短期营收尚无法覆盖中长期战略投入带来的成本费用的增加，致使净利润仍处于亏损状态。未来若市场需求波动、竞争加剧或产品迭代加速，而公司未能持续提升竞争力或充分释放规模效应，可能导致营收大幅波动并延长盈利周期，进而对现金流、财务状况及团队稳定产生不利影响。虽然公司已采取多项降本增效措施，但若未来无法有效应对上述挑战或控制成本，仍面临业绩持续亏损的风险。公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分，敬请投资者注意投资风险。3、 本公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。4、 公司全体董事出席董事会会议。5、 北京德皓国际会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。6、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利□是 √否7、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案经北京德皓国际会计师事务所（特殊普通合伙）审计，公司2025年度实现归属于母公司所有者的净 利 润 为 人 民 币 -90,782,595.70 元 ， 截 至 2025 年 12 月 31 日 ， 母 公 司 期 末 未 分 配 利 润 为 人 民 币-103,802,655.97元。苏州锴威特半导体股份有限公司2025 年年度报告摘要根据《上市公司监管指引第3号——上市公司现金分红》以及《公司章程》等相关规定，鉴于公司归属于母公司所有者的净利润为负数，综合考虑公司生产经营及未来资金投入的需求，为保障公司持续稳定经营，稳步推动后续发展，更好维护全体股东的长远利益，因此公司2025年度不进行利润分配，不派发现金红利，不送红股，不以资本公积金转增股本。上述利润分配预案已经公司第三届董事会第七次会议审议通过，尚需提交公司股东会审议。母公司存在未弥补亏损√适用 □不适用截至报告期末，公司母公司财务报表中存在累计未弥补亏损人民币103,802,655.97元。根据《中华人民共和国公司法》及《上市公司监管指引第3号——上市公司现金分红》等相关法律法规的规定，公司目前不满足实施现金分红的前提条件。敬请广大投资者注意相关投资风险。未来公司将继续做好经营管理，改善经营业绩。8、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项□适用 √不适用第二节 公司基本情况1、 公司简介1.1 公司股票简况√适用 □不适用公司股票简况股票种类股票上市交易所及板块股票简称股票代码变更前股票简称A股上海证券交易所科创板锴威特688693不适用1.2 公司存托凭证简况□适用 √不适用1.3 联系人和联系方式董事会秘书证券事务代表姓名严泓王勇联系地址张家港市杨舍镇华昌路10号沙洲湖科创园B2幢01室张家港市杨舍镇华昌路10号沙洲湖科创园B2幢01室电话0512-589799500512-58979950传真//电子信箱zhengq@convertsemi.comzhengq@convertsemi.com苏州锴威特半导体股份有限公司2025 年年度报告摘要2、 报告期公司主要业务简介2.1 主要业务、主要产品或服务情况公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，通过自主创新和技术沉淀，已同时具备功率器件和功率 IC 的设计、研发能力。在产品布局上，公司主要产品包含功率器件及功率 IC 两大类，同时也为部分客户提供芯片设计及工艺开发等技术服务。基于上述业务的协同效应，公司积极推进“功率器件+功率 IC 融合”战略，针对高可靠功率电源模块及电机驱动模块应用场景，提供覆盖各功率段的系统化芯片解决方案。主要产品或服务情况如下：1、功率器件方面在功率器件方面，公司产品布局平面 MOSFET、集成快恢复高压功率 MOSFET（FRMOS）、中低压沟槽型 MOSFET、超结 MOSFET 和 SiC MOSFET 产品。平面 MOSFET 产品已实现产品系列化，覆盖 40~1500V 电压段，已形成低压、中压、高压全系列功率 MOSFET 产品系列；在平面MOSFET 工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压 MOSFET（FRMOS）系列产品，产品采用重金属掺杂工艺，具有优异的反向恢复特性，可为客户降低系统功耗，解决系统电磁干扰问题；中低压沟槽型 MOSFET 在已有产品基础上，针对 BMS、电机驱动等应用场景开发了抗短路能力强的 30V、40V、60V、80V、100V 沟槽屏蔽栅 MOSFET；超结 MOSFET 采用多次外延的技术路线，已完成第2代和第3 代超结技术平台的研发，形成 600V~850V电压段产品系列化；SiC MOSFET产品是公司功率器件方向布局未来的重要产品线，公司与晶圆工厂密切合作，优化产品设计和工艺流程，提升产品竞争力，已从公司第 2 代 SiC MOS 提升到第 3 代 SiC MOS 技术平台，将 1200VSiC MOS Ronsp 降低至 3.0mR•cm2以下，同时研发了集成 SBD 的 SiC MOSFET，解决 SiC MOSFET寄生二极管的缺陷问题，适用于 OBC、电机驱动等应用场合，针对小电流 SiC MOSFET ESD 耐量弱的问题，研发集成 ESD 保护的 SiC MOSFET，可以通过 2KV 的 ESD 耐量测试。功率器件产品及应用方向如下：苏州锴威特半导体股份有限公司2025 年年度报告摘要产品种类封装后成品示意图产品特点覆盖参数段主要应用方向平面 MOSFET具有功率密度高、产品击穿耐压稳定性高、阈值电压一致性好、高温漏电小、开关损耗小、抗浪涌能力强等性能特点电压范围：40V-1500V电流范围：0.3A-190A公 司 产 品 广 泛 用 于LED 照明、电源适配器、智能家电、PC 电源、逆变器、智能电表等集成快恢复高压功率 MOSFET（FRMOS）采用重金属掺杂工艺制造，具有低反向恢复电荷、反向恢复时间短和低高温漏电流的特性关键动态指标反向恢复电荷 Qrr＜0.2uC 反向恢复时间 Trr＜100ns电