电子行业简评报告：英飞凌SiC投资持续加码，2025年目标市占率30%

请务必仔细阅读本报告最后部分的重要法律声明 [Table_Rank] 评级： 看好 [Table_Authors] 何立中 电子行业首席分析师 SAC 执证编号：S0110521050001 helizhong@sczq.com.cn 电话：010-81152682 韩杨 电子行业研究助理 hanyang@sczq.com.cn 电话：010-81152681 [Table_Chart] 市场指数走势（最近 1 年） 资料来源：聚源数据 相关研究 [Table_OtherReport]  “东数西算”启动，利好高性能计算芯片  英伟达收购 ARM 失败，利好国内高性能计算芯片  进出口 ASP 价差缩小，半导体发展成果显著 核心观点 [Table_Summary] ⚫ 英飞凌拟投资超 20 亿欧元建设 SiC 和 GaN 前道生产线。2 月 17 日，英飞凌宣布将投资超 20 亿欧元在马来西亚居林工厂建设一个前道生产线作为其第三厂区，旨在提高其在第三代半导体 SiC 和 GaN 领域的制造能力。新厂区主要涉及外延和晶圆切割等关键工艺，预计第一批晶圆于 2024 年下半年下线。达产后，预计新厂每年将新增 20 亿欧元来自 SiC 和 GaN 产品收入。 ⚫ 英飞凌预计 2025 年 SiC 收入将达 10 亿美元，市占率有望达 30%。在新能源汽车和光伏等领域的旺盛需求下，2021 财年，英飞凌 SiC 产品实现收入约 2 亿美元，较 2020 财年同比+100%。展望未来，预计下游仍将保持旺盛需求，2022 财年英飞凌预计 SiC 产品收入仍有望实现90%左右的同比增速。至 2025 年，英飞凌预计 SiC 产品收入将达 10亿美元，全球市占率将达 30%左右。 ⚫ 英飞凌布局 SiC 产品较早，多款产品引领行业发展。英飞凌早在 1992年便开始启动大功率 SiC 二极管和晶体管研发，2001 年发布世界首款商用 SiC 器件，2006 年英飞凌推出首款面向工业电机驱动的内置 SiC器件的功率模块，2016 年英飞凌在纽伦堡的 PCIM 大会上发布 SiC MOSFET 技术，2020 年英飞凌陆续推出 650V 和 1700V SiC MOSFET单管、车用 HPD 封装 1200V SiC MOSFET 模块以及世界首款 1200V转移模压（transfer molded）SiC IPM 解决方案。 ⚫ 电子板块行情强于大盘 2 月 14 日至 2 月 18 日，上证指数上涨 0.80%，中信电子板块上涨2.39%，跑赢大盘 1.59 个百分点。年初至今，上证指数下跌 4.09%，中信电子板块下跌 14.22%，跑输大盘 10.13 个百分点。 ⚫ 电子各细分行业涨幅 2 月 14 日至 2 月 18 日，电子细分行业中涨幅前五的板块分别为半导体设备、半导体材料、消费电子组件、消费电子和消费电子设备，分别上涨 6.88%、5.09%、4.49%、4.32%和 3.02%。 ⚫ 个股涨跌幅：A 股 2 月 14 日至 2 月 18 日，电子行业涨幅前五的公司分别为天华超净、石英股份、恒久科技、深华发 A 和电连技术，分别上涨 16.92%、14.21%、13.37%、12.50%和 11.94%；跌幅前五的公司分别为厦门信达、证通电子、协创数据、华铭智能和力芯微，分别下跌 10.78%、9.35%、6.70%、5.99%和 5.76%。 ⚫ 投资建议 推荐关注第三代半导体相关标的三安光电、天岳先进、斯达半导、时代电气、新洁能、宏微科技等。 ⚫ 风险提示 研发不及预期、下游需求不及预期、SiC 衬底产能提升不及预期。 -0.4-0.200.222-Feb5-May16-Jul26-Sep7-Dec17-Feb电子沪深300 [Table_Title] 英飞凌 SiC 投资持续加码，2025 年目标市占率 30% [Table_ReportDate] 电子 | 行业简评报告 | 2022.02.21 股票报告网 行业简评报告  证券研究报告 请务必仔细阅读本报告最后部分的重要法律声明 1 1 英飞凌 SiC 投资加码，2025 年目标市占率 30% 英飞凌拟投资超 20 亿欧元建设 SiC 和 GaN 前道生产线。2 月 17 日，英飞凌宣布将投资超 20 亿欧元在马来西亚居林工厂建设一个前道生产线作为其第三厂区，旨在提高其在第三代半导体 SiC 和 GaN 领域的制造能力。新厂区主要涉及外延和晶圆切割等关键工艺，预计第一批晶圆于 2024 年下半年下线。达产后，预计新厂每年将新增 20 亿欧元来自 SiC 和 GaN 产品收入。 英飞凌预计 2025 年 SiC 收入将达 10 亿美元，市占率有望达 30%。在新能源汽车和光伏等领域的旺盛需求下，2021 财年，英飞凌 SiC 产品实现收入约 2 亿美元，较 2020财年同比+100%。2022 财年，预计下游仍将保持旺盛需求，2022 财年英飞凌预计 SiC 产品收入仍有望实现 90%左右的同比增速。至 2025 年，英飞凌预计 SiC 产品收入将达 10亿美元，全球市占率将达 30%左右。 图 1 英飞凌 FY2020-FY2025 SiC 产品收入及市占率 资料来源：英飞凌，首创证券 英飞凌布局 SiC 产品较早，多款产品引领行业发展。英飞凌启早在 1992 年便开始启动大功率 SiC 二极管和晶体管研发，2001 年发布世界首款商用 SiC 器件，2006 年英飞凌推出首款面向工业电机驱动的内置 SiC 器件的功率模块，2016 年英飞凌在纽伦堡的 PCIM 大会上发布 SiC MOSFET 技术，2020 年英飞凌陆续推出 650V 和 1700V SiC MOSFET 单管、车用 HPD 封装 1200V SiC MOSFET 模块以及世界首款 1200V 转移模压（transfer molded）SiC IPM 解决方案。 股票报告网 行业简评报告  证券研究报告 请务必仔细阅读本报告最后部分的重要法律声明 2 图 2 英飞凌 SiC 产品发展历程 资料来源：英飞凌，首创证券 启动功率器件、工业用大功率SiC 二极管和晶体管研发 发布世界首款商用 SiC 分立器件 推出首款面向工业电机驱动应用的内置 SiC 器件的功率模块(混合模发布第二代 SiC 二极管 开始在 3 吋晶圆产线上生产 发布第三代 SiC 二极管 推出首款采用 SiC 二极管大功率模块 开始在 4 吋晶圆产线上生产 推出适用于光伏组串式逆变器的 SiC 产品组合 发布第五代 SiC 二极管，推出 SiC芯片减薄技术 将第五代 SiC 二极管向 1200V 拓展 开始转向 6 吋晶圆生产工艺 在纽伦堡的 PCIM 大会上发布CoolSiC MOSFET 技术  发布 CoolSiC MOSFET 模块和分立器件  收购 Siltectra 利用其冷切割技术提升晶圆良品率