存储行业专题：存储延续涨价行情，重点关注核心标的业绩兑现

存储行业专题：存储延续涨价行情，重点关注核心标的业绩兑现证券研究报告2026年10月16日半导体胡剑(证券分析师)高力洋(证券分析师)S0350526040004S0350524010003huj05@ghzq.com.cngaoly01@ghzq.com.cn2163739请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明2相对沪深300表现表现1M3M12M半导体-14.46%-35.89%8.27%沪深300-7.63%-11.27%-9.32%最近一年走势-20%0%20%40%60%80%100%120%2025/10/132026/01/112026/04/112026/07/102026/10/08半导体沪深300请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明3核心观点：行情由前期单纯涨价预期驱动，逐步转向业绩兑现验证阶ü本篇报告解决了以下核心问题：1、当前存储板块处于什么周期阶段、行情由什么驱动：报告判断行业已进入 AI 驱动的结构性景气周期，高端 HBM、服务器存储供需偏紧，普通消费级存储弹性减弱，行情正由前期单纯的涨价预期驱动，逐步转向业绩兑现验证阶段；2、本轮涨价行情能否被最新数据验证：报告统计了相关高频数据，确认涨价趋势延续但品类间景气度分化明显；3、后续行情如何判断、该关注哪些方向：报告预计 2026Q4 合约价涨幅趋缓，建议围绕高业绩兑现标的，按 HBM/服务器存储、利基型存储、上游设备材料、内存模组、存储模组五条细分主线梳理配置机会。ü当前存储板块处于AI 驱动的结构性景气周期，高端 HBM、服务器存储供需偏紧，普通消费级存储弹性减弱；行情由前期单纯涨价预期驱动，逐步转向业绩兑现验证阶段，重点关注高业绩兑现标的。l核心逻辑1. AI 算力拉动存力需求：大模型训练与推理对高带宽、大容量存储需求持续提升，HBM、企业级 SSD、服务器 DRAM成为本轮景气主线；传统手机、PC 端存储需求偏弱，品类之间景气度分化明显。2. 供给约束支撑周期延续：海外原厂扩产谨慎，新增有效产能释放节奏偏慢，高端存储产能受限；国内长江存储、长鑫存储持续推进国产替代，上游设备、材料、零部件受益于产线资本开支，系中长期投资主线。3. 周期数据PK长协约束：存储作为典型的强周期行业，价格上行并非永久持续。后续海外大厂扩产落地、AI 资本开支放缓，都可能扭转供需格局。然而目前越来越多存储原厂与下游云厂商、AI 算力客户签订中长期供货协议，锁定采购量与价格，能够平滑短期供需扰动，弱化现货价格暴涨暴跌特征。因此，后续市场如何定义存储行业的周期属性或成长属性，将决定其估值与空间。ü细分方向关注顺序1. HBM/服务器存储：具备AI+存储制造能力的核心存储原厂，AI长期乐观需求保障业绩稳定性。【长鑫科技】【长存控股】2. 利基型存储芯片：NOR Flash、利基DRAM，2D NAND面向消费电子、AIoT、车载，周期波动相对温和，受益于车载、边缘 AI 需求，同时供给侧海外原厂退出速度加快且不可逆。【兆易创新】【君正股份】【普冉股份】【东芯股份】【恒烁股份】3. 存储上游设备/材料/零部件：国产存储原厂扩产拉动资本开支，国产化率提升带来持续订单。【中微公司】【拓荆科技】【北方华创】【雅克科技】4.内存模组配套：随着AI服务器内存模组出货量持续增长，及DDR5渗透率加速提升，配套内存接口芯片数量需求旺盛。【澜起科技】【聚辰股份】5.存储模组：企业级存储产品需求旺盛，传统存储模组厂加速转型，同时稳健的颗粒拿货能力保障短期业绩稳定。【江波龙】【德明利】【佰维存储】【香农芯创】ü风险提示：下游需求不及预期风险；市场竞争加剧风险；国内厂商研发进展不及预期风险；国产化进度不及预期风险；国际地缘政治冲突加剧风险请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明4本月数据概览Ø指数端，10 月 13 日 DRAM 指数报4407.53点续创阶段新高（YTD+72.09%），NAND 指数报2959.28点高位震荡（YTD+49.26%），DRAM 涨幅强于NAND。Ø颗粒价格端，现货、合约全面上行：10月13日，现货DDR5 16Gb月环比+10.25%续创阶段新高，涨价向eTT/低密度颗粒扩散（月环比+12.43%~13.71%，包揽涨幅前三）；DRAM 合约价 8月全线上涨（月环比+1.89%~4.83%）；NAND 现货 MLC 领涨（月环比+7.24%）、合约价 SLC 领涨（月环比+16.51%~28.22%）。Ø台股端，9 月台系存储厂合计营收 1280.95 亿新台币，同比 +287.22%（南亚科 +576.62% 居首），环比 -1.60% 小幅回落、创见环比+24.77% 领跑。Ø交期及价格端，2026Q3 存储器件交期普遍拉长、价格上行（44款中 39款交期拉长、40款价格上行）；2026Q4，DRAM原厂持续将先进制程投入生产Server应用的高性能产品，整体维持供不应求格局，但是合约价涨势放缓，TrendForce预计Conventional DRAM（一般型DRAM）将环比+10%~15%。NAND Flash市场呈现AI加速与消费性需求低但仍连带涨价的双轨发展，预计整体合约价格将环比+15%~20%。Ø催化端，美光 FY2026Q4 营收 542 亿美元（同比 +379%）、三星 Q3 营业利润 107.4 万亿韩元（单季首破 100 万亿）、SK 海力士预计约 74万亿韩元，原厂财报超预期兑现；OCP 全球峰会、CEATEC、先进存力大会等会议密集，三星、SK 海力士 Q3 财报10 月底披露。请务必阅读报告附注中的风险提示和免责声明55DRAM指数续创新高，NAND指数高位震荡u 10月13日，DRAM指数报4407.53点（月环比+1.12%），单月延续上行；NAND指数报2959.28点（月环比-0.49%），高位震荡。u 年初以来DRAM指数自2561.20点升至4407.53点（YTD+72.09%），NAND指数自1982.64点升至2959.28点（YTD+49.26%）。u NAND指数于3月24日见阶段高点3229.87点后震荡回落，DRAM指数持续创阶段新高，两者走势自二季度起分化。资料来源：ifind，国海证券研究所05001,0001,5002,0002,5003,0003,5004,0004,5005,0002021-06-152021-08-152021-10-152021-12-152022-02-152022-04-152022-06-152022-08-152022-10-152022-12-152023-02-152023-04-152023-06-152023-08-152023-10-152023-12-152024-02-152024-04-152024-06-152024-08-152024-10-152024-12-152025-02-152025-04-152025-06-152025-08-152025-10-152025-12-152026-02-152026-04-152026-06-152026-08-15DRAM指数NAND指数单位：美元请务必阅读报