玻璃基板行业深度报告(二)：玻璃基板商业化渐进，设备环节率先受益

2026年9月30日玻璃基板商业化渐进，设备环节率先受益——玻璃基板行业深度报告（二）行业评级：看好分析师邱世梁王华君汪成王一帆邮箱qiushiliang@stocke.com.cnwanghuajun@stocke.com.cnwangcheng05@stocke.com.cnwangyifan01@stocke.com.cn证书编号S1230520050001S1230520080005S1230525010005S1230523120007证券研究报告添加标题95%玻璃基板商业化渐进，设备环节率先受益2◼ AI先进封装升级，玻璃基板有望成为下一代核心封装材料摩尔定律放缓背景下，先进封装成为延续芯片性能的关键路径。AI芯片封装尺寸持续扩大，CoWoS面临"切圆取方"成本急剧攀升、有机基板翘曲与布线受限的双重瓶颈，硅中介层则成本高企，传统材料体系逼近物理极限。玻璃基板（TGV）凭借低介电损耗、可调CTE、优异平整度及支持大尺寸面板级加工的综合优势，有望在中介层和封装基板环节接棒，成为下一代先进封装核心材料。◼ 产业趋势：链主引领从0到1，百亿美元市场渐行渐近玻璃基板产业化进程加快：英特尔发布玻璃基板技术路线图，计划2026-2030年实现玻璃芯基板量产；台积电表示CoPoS有望接棒CoWoS，已规划2026年设立首条试验线、最快2028年底量产，并携手Ibiden、群创发布CoWoS玻璃基板开发计划。国内京东方、沃格光电、蓝思科技等积极跟进，2026-2027年为集中验证窗口，2028年前后进入首批商业化导入。玻璃基板有望开启百亿美元级渗透替代空间。◼ 设备先行：成孔与填孔是技术制高点，国产设备加速突围TGV工艺涵盖成孔、填孔、CMP抛光、RDL布线、检测等环节。成孔是最核心、壁垒最高的环节，其中激光诱导刻蚀为最优路径，全球龙头LPKF将2030年可触达市场上修超三倍至17亿欧元，验证产业化趋势。填孔环节"PVD种子层+高深宽比无空洞电镀"是关键难点，PECVD有望成为新增工艺环节；直写光刻、AOI检测同步受益。以帝尔激光、大族激光、东威科技为代表的国产设备商关键指标加速追赶，部分已完成客户验证并小批量交付，国产替代空间逐步打开。◼ 投资建议：关注玻璃基板核心环节设备标的。（1）成孔设备：TGV成孔是玻璃基板的关键工艺，相关标的帝尔激光、德龙激光、大族激光等。（2）填孔设备：种子层沉积设备和电镀设备，PECVD设备有望成为新工艺增量，相关标的盛美上海、东威科技、汇成真空、北方华创、微导纳米等。（3）直写光刻设备：光刻是RDL制造中的关键图形化工艺，直接决定后续线路的精度与封装良率，相关标的芯碁微装。◼ 风险提示：产业化进度不及预期、技术路线替代风险、国产设备验证不及预期目录C O N T E N T S产业背景：AI先进封装升级，玻璃基板需求爆发010203产业趋势：链主引领从0到1，百亿市场渐行渐近核心设备：成孔设备是核心，国产替代加速突围304重点设备公司AI先进封装升级，带动玻璃基板需求01Partone4摩尔定律面临制约，先进封装成为延续性能的关键1.15摩尔定律面临物理极限和成本制约，制程微缩驱动性能的路径难以为继。过去几十年，半导体行业主要依赖晶体管尺寸持续缩小推动芯片性能提升。随着制程进入7nm以下更先进节点，摩尔定律逐步失效：一方面，制程迭代带来的性能提升边际递减，从180nm到7nm芯片性能增长约10倍，但从7nm到3.5nm的性能增幅不足20%；另一方面，先进制程的设计成本、制造成本呈指数级飙升，导致芯片单位有效面积的成本大幅提升。先进封装成为芯片提升集成度与系统性能的核心路径。为延续芯片性能提升，当前半导体产业重心已转向以异构集成、2.5D和3D封装为代表的先进封装技术。先进封装通过将多个独立制造、功能各异的芯片或芯粒集成到单一封装内，实现更高的系统性能、更低的功耗和延迟。图：芯片单位成本随制程升级持续上升图：制程迭代带来的性能提升边际递减图：2.5D和3D封装结构示意图资料来源：AMD，芯语，浙商证券研究所先进封装重点公司之一——台积电1.26台积电量产先进封装技术以3D Fabric品牌，主要包括InFo（Integrated Fan-Out）、CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）、SoIC（System-on-Integrated-Chips）。3D Fabric支持同构与异构芯片的高密度集成，满足对高性能、高计算密度、高能效、低延迟及高集成度的需求。其中，CoWoS和InFO属于后道先进封装技术，SoIC属于前道3D芯片堆叠。面向未来，台积电提出了CoPoS和WMCM两大平台。CoPoS是现有CoWoS的演进版，核心逻辑是变圆为方（将封装基底从传统的圆形晶圆改为巨大的方形面板，大幅提高材料利用率），旨在提高大尺寸AI芯片的生产效率、产能并降低成本。WMCM是InFo的进阶方案，主要变化是DRAM芯片从顶部移至侧面以优化散热路径，苹果的iphone 18 A20 Pro芯片有望首次采用台积电2nm制程的WMCM平台技术。图：台积电先进3D Fabric先进封装技术组合图：面向未来，台积电提出CoPoS和WMCM两大新平台资料来源：财联社，芯智讯，未来半导体，浙商证券研究所先进封装重点公司之一——台积电1.27CoWoS是台积电面向高性能计算（HPC）和AI应用的2.5D先进封装技术。通过将多个系统级芯片（SoC）与高带宽内存（HBM）堆栈进行高密度集成，为产品提供更强的计算性能和更高的内存带宽。根据中介层的不同，台积电将CoWoS分为CoWoS-S、CoWoS-R和CoWoS-L三种类型。目前公司研发重点已转向CoWoS-L，CoWoS-L结合了CoWoS-S和CoWoS-R的技术优点，使用RDL中介层与局部硅互连LSI，兼顾大尺寸和局部高密度互连优势。CoWoS向更大封装面积演进。为满足AI应用对单一封装内更高算力与更大内存容量的需求，台积电持续扩展CoWoS技术，以实现更多硅芯片的集成。目前台积电已开始生产5.5倍光罩尺寸的CoWoS，并规划推出更大尺寸的方案；14倍光罩尺寸的CoWoS预计于2028年量产，可集成约10颗大型计算芯片和20组HBM堆叠；随后，台积电计划于2029年进一步将CoWoS扩展至超过14倍光罩尺寸。封装方式CoWoS - SCoWoS - RCoWoS - L示意图中介层（interposer）硅中介层RDL中介层RDL中介层+局部硅互连 (LSI)产品特点具有高密度互连布线能力；目前支持最大3.3X光罩尺寸的硅中介层RDL中介层由聚合物和铜布线组成，相对硅中介层具有更好的机械柔性；支持更大中介层尺寸以满足复杂的功能需求对于布线密度高的区域，可采用LSI；对于布线密度较为宽松的区域，则通过中介层和其表面的RDL层进行信号互连；兼顾大尺寸和局部高密度互连。产品进展2012年投产，已实现多年量产2023年起已实现量产公司首款3.5倍光罩尺寸的 CoWoS -L 自2024年起量产；5.5倍光罩尺寸CoWoS-L预计将于2026年完成认证；9.5倍光罩尺寸的CoWoS-L进一步研发也在顺利推进资料来源：台