半导体化学品专题：先进制程抬升材料价值量，半导体含氟材料加速国产化

先进制程抬升材料价值量，半导体含氟材料加速国产化——半导体化学品专题证券研究报告请务必阅读正文之后的免责声明部分电新首席证券分析师 ：曾朵红执业证书编号：S0600516080001联系邮箱：zengdh@dwzq.com.cn电动车首席证券分析师 ：阮巧燕执业证书编号：S0600517120002联系邮箱：ruanqy@dwzq.com.cn联系电话：021-601997932026年9月22日2摘要◆ 先进制程提升半导体化学品使用强度，高端光刻胶、电子特气价值量弹性和国产替代空间更突出。根据SEMI，2026年全球半导体化学品市场预计超过200亿美元，其中电子气体、湿电子化学品占比约31%、19%，贡献主要基础价值量。随着≤7nm先进制程产能增速快于行业整体，光刻、刻蚀及CMP循环次数增加，推动单位晶圆材料用量与高端品占比同步提升。分品类看，先进制程对光刻胶、CMP及电子特气的边际拉动更明显；国产替代方面，2025年，湿化学品整体国产化率我们预计已达50%-60%，而KrF/ArF光刻胶国产化率我们预计不足3%/1%，电子特气国产化率我们预计约25%，高端光刻胶与电子特气仍是国产替代空间更大的方向。◆ 氟化液及氢氟酸：3M退出打开PFPE/HFE替代窗口，HF受晶圆扩产与高等级化驱动。PFPE主要用于半导体设备温控，3M于2022年底宣布退出PFAS制造，我们预计当时3M占全球半导体控温液约80%份额（按产量计）；2025年底正式退出后，原有份额开始重新分配，新宙邦可承接主要份额。我们预计2030年PFPE需求1.2万吨、市场空间63亿元，具备量产和设备认证能力的国内厂商有望承接份额。HFE主要用于半导体及精密电子清洗，3M Novec退出后进入替代期，海外仍以AGC、Chemours等为主；我们预计2030年全球需求0.76万吨、市场空间14.4亿元，竞争重点转向客户认证和稳定供货。电子级HF受晶圆投片增长、先进/存储占比提升及G5/G5+渗透驱动，我们预计2030年需求27万吨、市场空间54亿元，高等级有效供给仍受提纯、洁净包装和客户认证约束。◆ 含氟电子特气：需求重心由成熟清洗气向先进刻蚀/沉积气体升级，WF6、C4F6供需偏紧、量价弹性突出。WF6用于CVD/ALD钨沉积，受先进存储、逻辑金属化及海外供给扰动驱动，我们测算2025-2030年全球需求由约0.94万吨增至1.93万吨，市场空间由103亿元增至221亿元；2026年供需仍偏紧，产品价格中枢上移，2026年中船特气具备2000吨6N级产能，另有1000吨规划产能我们预计2027年投产。C4F6用于高深宽比介质刻蚀，受先进逻辑、HBM及3D NAND推动，我们测算2025-2030年全球需求由0.2-0.3万吨增至0.6万吨，市场空间由55亿元增至140亿元；2026年5N级有效需求约0.22万吨，存在供需缺口。国内昊华科技、中船特气等已形成产能或小批量供应。◆ 含氟聚合物：PFA和FFKM弹性较大，高端有效供给仍受纯度、洁净加工及认证体系约束。PFA是湿法工艺核心结构材料，应用于湿法设备管路、阀门、接头、槽体及过滤器外壳等环节；2025年全球半导体级PFA需求约2万吨，我们预计2030年超纯PFA需求或至4万吨左右。截至2026H1，科慕+大金名义产能占全球PFA名义产能40%+，国内巨化逐步突破 。PTFE用量最大，中低端国产供给充足但超纯级仍依赖海外。FFKM是刻蚀、沉积设备关键密封材料，我们预计2026年全球半导体级生胶需求约200吨。海外高端密封件由杜邦、Greene Tweed等主导，国内巨化、东岳加速替代，但2025年有效产能仅8-10吨，后续放量仍取决于低析出、批次一致性及先进制程认证。◆ 投资建议：高端含氟材料国产替代持续推进，看好具备氟化工底层平台能力，并在电子级HF、HFE/PFPE、WF6/C4F6、PFA/FFKM等高端品类实现客户认证和规模放量的企业；推荐新宙邦、天赐材料，建议关注三祥新材、巨化股份、中巨芯、雅克科技、昊华科技、中船特气、安集科技、多氟多等。◆ 风险提示：下游需求不及预期；价格竞争加剧；客户认证或扩产进度不及预期；环保与PFAS监管趋严。备注：全文的“预计”如果没有特别说明，均为东吴证券研究所电新组预测3目录PART2 半导体氟化工：四类核心材料打开高端国产替代空间PART4 投资建议与风险提示PART3 产业链：平台型龙头与专精厂商多路径切入高端化学品PART1 制程升级抬升用量，高端品类国产替代加速PART1 制程升级抬升用量，高端品类国产替代加速45数据来源：半导体产业研究院，东吴证券研究所半导体工艺流程长，前道工序反复循环、化学品耗用大◆ 半导体制造工艺流程长、环节衔接紧密。半导体制造可分为前道晶圆制造和后道封装测试：前道在晶圆表面反复进行清洗、氧化/沉积、光刻、刻蚀、离子注入、CMP、金属化等工序，芯片通常包含数百道顺序工序，并形成多层金属互连；后道则围绕晶圆切割、键合、先进封装与测试展开。工艺链条越长、循环次数越多，对电子化学品的纯度、批次稳定性和连续供应能力要求越高。◆ 前道工序反复循环，决定电子化学品的高频耗用属性。每一轮图形转移都涉及超纯水清洗、光刻胶/显影液、沉积前驱体、离子注入气体及CMP抛光液等材料；其中清洗、刻蚀后冲洗和CMP是高频耗材环节。随着制程微缩、3D NAND层数提升及TSV/2.5D/3D等先进封装发展，清洗、沉积、光刻、刻蚀和CMP循环次数继续增加，电子化学品价值量有望持续提升。图：半导体制造工艺流程00000001、硅片准备/表面清洗2、氧化/外延/薄膜沉积3、光刻4、刻蚀5、离子注入/掺杂6、CMP7、金属化/互联00前 道 晶 圆 制 造后 道 / 先 进 封 装进行检测并重复若干次6数据来源：华经产业研究院，智研咨询，集成电路材料联盟，东吴证券研究所化学品贯穿半导体制造全流程，主要使用七类电子化学品◆ 半导体制造中主要使用七类电子化学品：从晶圆清洗、表面预处理及湿法刻蚀所需的湿电子化学品，到完成涂胶、曝光、显影与图形转移的光刻胶及配套材料；再到用于干法刻蚀、腔体清洗和离子注入的电子特气，以及CVD/ALD薄膜沉积所需的前驱体材料；其后由CMP材料实现多层结构平坦化，电镀液形成铜互连、TSV与RDL等导电结构，最终通过先进封装材料完成芯片—芯片及芯片—基板的高密度互连。图：七类电子化学品及对应工艺环节材料类别半导体生产工艺环节作用典型材料湿电子化学品 晶圆清洗、表面预处理、湿法刻蚀、光刻后去胶、CMP后清洗去除颗粒、金属离子、有机残留和刻蚀残留；刻蚀材料双氧水、HF、H₃PO₄、TMAH、NMP、PGMEA光刻胶及配套 涂胶、曝光、显影、抗反射控制、图形转移、去胶/剥离光刻胶在晶圆上形成可曝光的临时图形；显影液显出图形；去胶材料在刻蚀或注入后去除残胶i-line/g-line、KrF、ArF dry/immersion、EUV光刻胶CMP 材料STI、ILD/IMD、铜互连、新金属互连、3D NAND、TSV/RDL 去除多余材料，获得平坦晶圆表面，降低缺陷并保证后续光刻、沉积和互连层加工抛光液、抛光垫电子特气干法刻蚀、腔体清洗