先进封装材料行业深度报告：算力向上，材料先行——先进封装材料的增量逻辑

证 券 研 究 报 告 证监会审核华创证券投资咨询业务资格批文号：证监许可（2009）1210 号 半导体材料 2026 年 09 月 21 日 推荐 （首次） 算力向上，材料先行——先进封装材料的增 量逻辑  AI/HPC 需求增长推动先进封装由后道工艺向系统级集成平台升级，2029 年全球先进封装市场有望达 674 亿美元。1）目前，先进制程微缩面临成本、功耗和良率的约束，单纯依靠晶体管缩放提升芯片性能的难度增加，Chiplet 和异质集成逐渐成为延续算力增长的重要路径。2）AI 加速器需要在同一封装内集成逻辑芯片、HBM 和 I/O 芯片，对存储带宽、互连密度和散热能力提出更高要求，先进封装由此成为影响系统性能和功耗的关键环节。根据 Yole 数据，全球先进封装市场规模预计由 2024 年的 407.6 亿美元增长至 2029 年的 674.4亿美元，CAGR 为 10.6%；先进封装占全球封测市场的比重预计由 40.2%提升至约 50%。  Chiplet 与 HBM 推动先进封装向高密度横向互连和三维垂直集成演进。1）在横向互连方面，Fan-out 利用多层 RDL 将 I/O 由芯片范围内扇出至更大面积；2.5D 封装则通过硅中介层、RDL 中介层或局部硅桥，实现逻辑裸片、HBM 与I/O 裸片之间的高密度互连。2）在垂直集成方面，3D 封装通过 TSV 等垂直通道，并结合微凸点或铜—铜混合键合完成多层裸片堆叠。随着互连间距持续缩小，封装内连接形态由较大间距焊料凸点向铜柱、微凸点及无凸点混合键合演进。与此同时，为承载更大封装面积并改善翘曲控制、信号完整性和制造效率，大尺寸 FCBGA、玻璃芯基板及面板级封装等技术路线加快发展。  全球先进封装进入平台化竞争阶段，国内企业产业化速度加快。1）台积电、英特尔和三星分别围绕 3DFabric、EMIB/Foveros 及 I-Cube/X-Cube 构建先进封装平台，竞争范围已经覆盖设计、晶圆制造、中介层、封装和测试，先进封装能力逐渐成为高端芯片制造体系的重要组成部分。2）国内长电科技、通富微电、华天科技、盛合晶微和甬矽电子以倒装、晶圆级封装和 SiP 为基础，持续向 Fan-out、FCBGA 及 2.5D/3D 封装延伸，部分项目已经进入规模生产、小量试产或客户验证阶段。  工艺复杂度提升有望带动全球先进封装材料市场 2030 年增长至 1647 亿元，中国市场有望达 365 亿元。1）多层 RDL、细间距凸点、TSV、晶圆减薄和混合键合将增加封装基板、介电材料、光刻胶、电镀液、金属靶材、CMP 材料及清洗液需求；大尺寸和高功耗封装则推动底部填充料、塑封料、胶黏剂及热界面材料向低翘曲、高可靠和高导热方向升级。2）根据弗若斯特沙利文数据，全球先进封装材料市场规模预计由 2025 年的1,044亿元增长至 2030 年的1,647亿元；中国市场预计由 203 亿元增长至 365 亿元，中国同期增速高于全球。  关注先进封装领域材料增量空间。工艺步骤增加和材料性能升级将扩大本土供应商的导入空间，建议关注：鼎龙股份、安集科技、江丰电子、中船特气、上海新阳、艾森股份、飞凯材料、华海诚科、联瑞新材、德邦科技、天承科技、金宏气体、中巨芯、晶瑞电材、彤程新材、雅克科技。  风险提示：AI 及高性能计算需求不及预期风险、先进封装技术产业化不及预期风险、下游客户认证周期较长风险、国产材料发展进度不及预期风险、新增产能利用率不足风险、行业竞争加剧风险、技术路线快速迭代风险、国际贸易摩擦及供应链风险。 证券分析师：孙维容 邮箱：sunweirong@hcyjs.com 执业编号：S0360526020001 证券分析师：王锐 邮箱：wangrui3@hcyjs.com 执业编号：S0360526040006 行业基本数据 占比% 股票家数(只) 23 0.00 总市值(亿元) 11,387.86 0.88 流通市值(亿元) 5,794.41 0.58 相对指数表现 % 1M 6M 12M 绝对表现 -16.3% 49.3% 118.5% 相对表现 -13.6% 49.2% 106.7% -3%62%127%192%25/0925/1126/0226/0426/0726/092025-09-22~2026-09-21半导体材料沪深300华创证券研究所 先进封装材料行业深度报告 先进封装材料行业深度报告 证监会审核华创证券投资咨询业务资格批文号：证监许可（2009）1210 号 投资主题 报告亮点 本文从“算力需求—封装架构—关键工艺—材料增量—国内产业化进展”五个层次系统梳理先进封装产业链，不仅分析 Chiplet、HBM、Fan-out 及 2.5D/3D集成的发展趋势，还进一步分析 RDL、TSV、微凸点、混合键合和晶圆减薄等关键工艺对应的材料需求。 投资逻辑 AI、高性能计算和数据中心对计算能力、存储带宽及互连效率的要求持续提高，推动逻辑芯片、HBM 和 I/O 芯片在同一封装内集成。封装由传统后道制造环节升级为决定系统性能、功耗和可靠性的关键平台。Chiplet 与 HBM 发展将带动 Fan-out、FCBGA、2.5D/3D、TSV、微凸点及混合键合等技术加快应用，国内封测企业也正由倒装、晶圆级封装和 SiP 向多芯片异质集成延伸，部分平台已进入量产、试产或客户验证阶段。与此同时，多层 RDL、TSV、晶圆减薄和混合键合增加了光刻、介电层涂覆、种子层沉积、电镀、CMP、清洗及临时键合等工艺步骤，推动 CMP 材料、湿电子化学品、金属靶材、封装光刻胶、PI 材料、底填与塑封材料、导热填料及热界面材料的用量和性能要求同步提升。工艺步骤增加和材料性能升级将扩大本土供应商的导入空间，建议关注：鼎龙股份、安集科技、江丰电子、中船特气、上海新阳、艾森股份、飞凯材料、华海诚科、联瑞新材、德邦科技、天承科技、金宏气体、中巨芯、晶瑞电材、彤程新材、雅克科技。 先进封装材料行业深度报告 证监会审核华创证券投资咨询业务资格批文号：证监许可（2009）1210 号 3 目 录 一、全球先进封装市场与技术趋势：异质集成推动封装向系统级平台升级 ............. 7 （一）人工智能构成全球先进封装市场增长的核心驱动力 ......................................... 7 （二）摩尔定律放缓，芯片性能提升转向系统级集成 ................................................. 7 （三）Chiplet 重构芯片设计，HBM 推动计算与存储紧密集成 ................................... 8 （四）横向互连与纵向堆叠构成先进封装主要集成方式 ............................................. 9 （五）混合键合：下一代互联技术，大幅度提升互联密度 ................