电子行业AI电源系列2：硅电容优势显著，AI需求空间广阔

01 / 8 请务必阅读末页的免责声明 [Table_IndustryAndDate] 证券研究报告 | 行业专题研究 | 电子 | 2026/08/25 [Table_Title] AI 电源系列 2 硅电容优势显著，AI 需求空间广阔 [Table_IndustryEn] Electronics [Table_Author] 王亮 耿正 张大伟 SAC 执证号：S0260519060001 SFC CE.no: BFS478 SAC 执证号：S0260520090002 SAC 执证号：S0260523050001 021-38003658 021-38003660 021-38003657 gfwangliang@gf.com.cn gengzheng@gf.com.cn zhangdawei@gf.com.cn 请注意，耿正,张大伟并非香港证券及期货事务监察委员会的注册持牌人，不可在香港从事受监管活动。 [Table_Summary] 硅电容用半导体工艺，厚度和性能优势显著。硅电容跳脱传统被动元件用陶瓷烧结的制造方式，利用半导体晶圆制程，直接在硅晶圆上透过光刻、蚀刻等技术刻出来的微型电容。硅电容厚度极薄（可低至 0.1 毫米以下），且具备极佳的高频与稳压特性，能直接贴合在 GPU/CPU 旁边，甚至整合进封装基板内，负责为高阶芯片提供极度快速、稳定的瞬间电流，是专为高阶运算打造的新世代供电元件。MLCC 与硅电容互补分工，共建AI 未来供电标准架构。根据半导体芯闻公众号，MLCC 具备成本低、供应链成熟、容量涵盖范围广等优势，是系统级与板端电源稳定的主力元件。以 NVIDIA 架构为例，从 GB200 到下一代 Rubin 世代，因功耗翻倍，单板 MLCC 用量预估将从约 6500 颗增至近 12000 颗。MLCC 将持续主导PCB、VRM、OAM 板等外围供电市场。硅电容则专注于 MLCC 难以涵盖的高阶增量市场，定位为封装级与近芯片的电源完整性补充元件。未来的供电标准架构，预期将走向板端 MLCC 负责大后方稳压，封装级硅电容负责前线瞬态供电的模式。 硅电容可应用于 AI 算力芯片和光模块领域。（1）算力芯片：硅电容凭借超低阻抗和极快响应，紧贴芯片放置，能有效滤除噪声，确保芯片稳定运行，亦可搭配基板/ PCB 板埋容方式靠近主芯片。根据三星电机官网，根据贴装位置不同，硅电容主要包括 Top-side、Land-side 和 Embedded三种方式：①Top-side，在 GPU/CPU/ASIC 侧面或 Interposer 上表面贴装；②Land-side，置于 Silicon Interposer 底部、靠近芯片供电 Bump；③Embedded，直接埋入 Package Substrate 内部。三种方式均主要服务于近芯片电源去耦与瞬态供电，区别在于与芯片供电端距离及封装集成程度，其中 Land-side 及 Embedded 方案可进一步缩短供电路径、降低寄生参数，提升电源完整性。（2）高速光模块：在 800G/1.6T 的高速光模块中，信号传输极易受损，硅电容的高频低插损特性，是保证数据传输不失真的关键。 硅电容随着 AI 量价提升，市场空间广阔。（1）量：结合村田光模块架构图，一个 800G/1.6T 光模块涉及的耦合及近端去耦电容数量约可达 30-60 颗，且随着 Lane 数、差分通道数和硅光集成度提升，用量亦有提升空间。（2）价：GPU/ASIC 单芯片功耗持续由千瓦级向更高水平演进，供电电压却维持在 1V 左右甚至进一步下降，意味着核心供电电流及瞬态电流波动显著放大，对近芯片去耦电容的低 ESR、低 ESL 与高频响应能力提出更高要求；同时，先进封装向 2.5D/3D 演进，芯片与封装基板空间更加紧凑，也进一步凸显硅电容高容值密度、超薄化以及可嵌入封装的优势，推动单颗容量、单芯片使用面积及整体价值量持续提升。 投资建议。硅电容以半导体工艺重构电容性能边界，为高阶运算打造的新世代供电元件。AI 算力重构供电体系，硅电容迎来广阔增长空间。建议关注硅电容产业链。 风险提示。下游需求不及预期；新品研发不及预期；行业竞争加剧。 [Table_DocReport] 相关研究 半导体制造崛起系列:LRCX 业绩创新高，刻蚀沉积优势持续扩大 2026-08-02 半导体制造崛起系列:泰瑞达业绩创新高，迈入新一轮增长周期 2026-08-02 半导体制造崛起系列:KLA 营收创新高，业绩增长确定性持续提升 2026-07-31 请务必阅读末页的免责声明 02 / 8 [Table_PageText1] 行业专题研究 | 电子 [Table_impcom] 重点公司估值和财务分析表 股票简称 股票代码 货币 最新 最近 评级 合理价值 EPS(元) PE(x) EV/EBITDA(x) ROE(%) 收盘价 报告日期 （元/股） 2026E 2027E 2026E 2027E 2026E 2027E 2026E 2027E 芯联集成-U 688469.SH CNY 8.68 2026/08/19 买入 11.56 0.05 0.09 173.60 96.44 15.80 13.18 3.40 5.30 斯达半导 603290.SH CNY 92.99 2025/12/29 买入 125.51 3.14 3.87 29.61 24.03 15.84 13.45 9.90 11.20 数据来源：Wind、广发证券发展研究中心 备注：表中估值指标按照最新收盘价计算 请务必阅读末页的免责声明 03 / 8 [Table_PageText1] 行业专题研究 | 电子 一、硅电容优势显著，AI 需求空间广阔 图 1：硅电容器结构示意图 数据来源：村田官网、广发证券发展研究中心 图 2：硅电容性能优势 数据来源：村田官网、广发证券发展研究中心 请务必阅读末页的免责声明 04 / 8 [Table_PageText1] 行业专题研究 | 电子 图 3：硅电容在 GPU 中的应用 数据来源：三星电机官网、广发证券发展研究中心 图 4：硅电容在光模块中的应用 数据来源：村田官网、广发证券发展研究中心 二、投资建议 硅电容以半导体工艺重构电容性能边界，为高阶运算打造的新世代供电元件。AI 算力重构供电体系，硅电容迎来广阔增长空间。建议关注硅电容产业链。 请务必阅读末页的免责声明 05 / 8 [Table_PageText1] 行业专题研究