2026年半年度报告

北方华创科技集团股份有限公司 2026 年半年度报告全文1北方华创科技集团股份有限公司2026 年半年度报告2026 年 8 月北方华创科技集团股份有限公司 2026 年半年度报告全文2第一节 重要提示、目录和释义公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。公司负责人赵晋荣、主管会计工作负责人李延辉及会计机构负责人（会计主管人员）崔卉淼声明：保证本半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。所有董事均已出席了审议本次半年报的董事会会议。公司存在的风险详细内容见本报告“第三节 管理层讨论与分析”——“十、公司面临的风险和应对措施”，敬请广大投资者注意投资风险。公司计划不派发现金红利，不送红股，不以公积金转增股本。北方华创科技集团股份有限公司 2026 年半年度报告全文3目录第一节 重要提示、目录和释义...................................................................................................................................... 2第二节 公司简介和主要财务指标...................................................................................................................................7第三节 管理层讨论与分析............................................................................................................................................. 10第四节 公司治理、环境和社会...................................................................................................................................... 32第五节 重要事项........................................................................................................................................................... 36第六节 股份变动及股东情况..........................................................................................................................................40第七节 债券相关情况.................................................................................................................................................... 46第八节 财务报告........................................................................................................................................................... 47北方华创科技集团股份有限公司 2026 年半年度报告全文4备查文件目录（一）载有公司法定代表人签名的 2026 年半年度报告原件。（二）载有公司法定代表人、主管会计工作负责人及会计机构负责人签名并盖章的财务报表。（三）报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。（四）其他相关资料。北方华创科技集团股份有限公司 2026 年半年度报告全文5释义释义项指释义内容公司、本公司、北方华创指北方华创科技集团股份有限公司北京电控指北京电子控股有限责任公司七星集团指北京七星华电科技集团有限责任公司芯源微指沈阳芯源微电子设备股份有限公司硅元科电指北京硅元科电微电子技术有限责任公司中国证监会指中国证券监督管理委员会公司章程指北方华创科技集团股份有限公司章程AI指Artificial Intelligence，人工智能PVD指Physical Vapor Deposition，物理气相沉积MEMS指Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统TSV指Through Silicon Via，硅通孔技术，可以穿过硅基板实现硅片内部垂直电互联ICP指Inductively Coupled Plasma，电感性耦合的等离子体源CCP指Capacitively Coupled Plasma，电容性耦合的等离子体源Bevel指Wafer Bevel，晶圆斜边（倒角）CVD指Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积EPI指Epitaxy，外延ALD指Atomic Layer Deposition，原子层沉积ECP指Electrochemical Copper Plating，电化学铜电镀MOCVD指Metal–Organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉积RTP指Rapid Thermal Processing，快速热处理CMOS指Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互补金属氧化物半导体SOI指Silicon on Insulator，绝缘衬底上的硅ArF指Argon Fluoride，氟化氩准分子激光（193nm）KrF指Krypton Fluoride，氟化氪准分子激光（248nm）BGA指Ball Grid Array，球栅阵列封装WLCSP指Wafer-Level Chip-Scale Package，晶圆级芯片尺寸封装2.5D/3D指2.5D/3D Packaging，2.5D/3D 封装技术PI指Polyimide，聚酰亚胺，一种耐高温高分子材料Chiplet指芯粒，模块化芯片设计与集成方法HBM指High Bandwidth Memory，高带宽内存TOPCon指Tunnel Oxide Passivated Contact Solar Cell，隧穿氧化层钝化接触太阳能电池HJT指Heterojunction with Intrinsic Thin-layer，异质结太阳能电池XBC指Inter-digitated Back Contact，背接触技术TGV指Through Glass Via，玻璃通孔技术RDL指Redistribution Lay