AIDC行业专题系列：数据中心功率升级，Busbar全面液冷趋势明确

西南证券研究院 2026年8月 AIDC专题系列—— 数据中心功率升级， Busbar全面液冷趋势明确 分析师：卢书剑 执业证号：S1250526050002 邮箱：lusj@swsc.com.cn 1  Busbar：数据中心升级的必然选择：母排（Busbar），又称母线、汇流排或载流排，是一种用于汇集和分配电流的导电金属导体。相较于传统电缆，Busbar具备传输效率高、损耗低、散热性好、安装便捷的优势。随数据中心功率升级，模块化解决方案及节省机柜空间等驱使下，Busbar替代传统线缆已成必然趋势。  Busbar升级：液冷与800V：当电流大于4000A时，传统风冷散热方案已经无法满足；液冷Busbar成为必需选择：液冷方案可大幅提升载流能力，降低系统损耗与空间占用，提升系统可靠性与稳定性。当前技术路线下800V电力架构为数据中心终极解决方案。液冷与800V架构带动Busbar产品制造设计难度升级及需求提升，价值量往上游加工环节转移。  相关标的：金田股份、硕贝德、和胜股份等。  风险提示：AI发展不及预期的风险；原材料价格波动风险；新技术验证风险。 核心观点 Busbar： 数据中心升级的必然选择 2 01  Busbar：母排（Busbar），又称母线、汇流排或载流排，是一种用于汇集和分配电流的导电金属导体。Busbar主要由铜或铝材质的导体、绝缘层、支架组成（铜因导电性能更优，广泛应用于高功率场景）。  在ORv3设计中，Busbar可分为竖排（VBB）与横排（HBB）；竖排用于整柜汇流，横排用于柜间电力传输。相较于传统电缆，Busbar具备传输效率高、损耗低、散热性好、安装便捷的优势。 数据来源：OCP，零氪1+1，西南证券整理 3 ORV3 Busbar（HBB+VBB） Busbar：数据中心升级的必然选择  数据中心机柜转向高功率：随芯片功率提升及模型要求高密度堆叠，数据中心机柜功率逐步增加。根 据 英 伟 达 白 皮 书 ， 其 机 柜 产 品 从 最 早 的 Ampere10kw 系 列 机 柜 功 率 逐 步 提 升 ， 当 前Rubin200kw+系列产品已进入批量生产；未来，机柜功率将升级至MW级。  高功率下的大电流使Busbar应用成为必然趋势：我们假设不同的芯片功率及输出电压，当机柜功率上升到220kw的情况下，假设Powershelf输出电压为54V，电流载荷已超过4000A；通过引入液冷散热的方式，在Busbar的重量略有下降的情况下实现了更大的载流。 数据来源：Nvidia，西南证券整理 4 机柜功率与电流情况 Busbar：数据中心高功率趋势 英伟达机柜系列 功率（kw） PSU/PowerShelf输出电压（V） 电流（A） 3 12 250 132 54 2444 220 54 4074 1200 800 1500  服务器盲插优势明确：盲插是指采用标准机柜、盲插流体连接器、集中供电模块，将服务器节点推入液冷机柜并自动对接，即可完成液冷回路、电源及信号的同步连接。盲插相比传统PDU配电方案，具备部署效率较高，运维成本显著低，可靠性高等显著优势。  在盲插架构里，Busbar全面替代传统线缆，省却线缆布线空间，大幅提升了服务器安装运维效率。 数据来源：麦麦网液冷产业链，云帆热管理，中兴通讯官网，西南证券整理 5 中兴通讯液冷盲插机柜 Busbar：盲插优势明确，替代传统线缆 Busbar与线缆对比 Busbar升级： 液冷与800V 6 02  液冷需求：随载流量增加，Busbar发热功率为： 发热功率与电流的二次方成正比。根据风帆热管理，当电流大于4000A时，传统风冷方案已经无法完成散热；液冷Busbar成为必需选择。 相比风冷方案，液冷方案可：  大幅提升载流能力。风冷Busbar额定电流仅2916A，而ORv3HPR液冷Busbar的额定电流可达15625A，功率承载能力从140kW提升至750kW。  降低系统损耗与空间占用。液冷技术可降低铜材消耗，减轻了柜体重量，同时缩小配电系统的整体体积，缓解AI设备占用空间过大的问题。此外，液冷Busbar适配48V架构，可将配电总线损耗较12V架构降低94%，进一步提升电力传输效率，助力数据中心PUE降至1.3以下，甚至接近1.05的最优水平。  提升系统可靠性与稳定性。液冷方式可避免风冷风扇带来的振动、噪声等问题，同时将Busbar的温度控制在稳定范围，减少因过热导致的材料变形、接触电阻增大等问题，延长设备使用寿命。 数据来源：零氪1+1，西南证券整理 7 液冷：大电流下的散热需求 𝑃 = 𝐼2𝑅  增加冷却液通道以提升散热效率：液冷方案要求在Busbar内部增加液冷导流槽，以匹配冷却液流道。为提升散热效率，厂商逐步增加冷却液通道，在Computex2026台北大会，Molex开发了一种独特的多通道架构，将冷却液路径分割成多达七个独立的通道，实现在15000A电流下，温升仅为15°C。  异型设计显著提升加工难度：相比传统Busbar，液冷Busbar断面造型日趋复杂，平直度和光滑度要求更高；多孔液冷母线加工效率与弧线连续性远超传统水准。 数据来源：Molex，风帆热管理，西南证券整理 8 液冷：异型设计提升加工难度 Molex7通道液冷Busbar 液冷Busbar结构示意图  800V架构引入电源边柜：随功率提升，为节省载流需求减少线损，英伟达引入电力800V HVDC架构，并在算力柜旁设置独立电源边柜。  一代方案（当前方案）：Sidecar输出800V电压，算力柜内Powershelf降压至50V，输出至托盘；  二代方案：Sidecar输出800V电压，算力柜托盘端直降至50V/12V；  三代方案：舍弃Sidecar，SST输出800V电压直接入柜，算力柜托盘端直降至50V/12V/6V。 数据来源：Nvidia，西南证券整理 9 电力架构：800V架构 英伟达800V方案  边柜增加提升Busbar需求：在当前方案下，Sidecar与算力柜基本为1:1设计，多出的Rack设计需要新增Busbar来对输出电流进行汇流，单柜增加一组竖排Busbar需求。  Busbar升级趋势明确：进入800V架构后，800VBusbar将替代之前的50VBusbar。由于承担电压需求较之前明显增加，Busbar的加工难度、尺寸精度、表面精度要求等都进一步提升。  柜内Busbar：在远期800V直接入柜的方案，PSU分散到各层；由于托盘功率提升，柜内模块化连接的Busbar使用也成必要。 数据来源：Nvidia，西南证券整理 10 电力架构：800V增加Busbar需求 英伟达Sidecar设计 800V入柜示意图  宽体柜方案：OCP的宽体柜将算力柜内的PSU移出至电力柜内，输出50V电压至算力柜。OCP的HPRv3架构里，机柜功率增大至250kw；Sidecar输出的48V电压下电流超过5000A。传统电缆在大电流的情况下，柜间非常难以安装，而适合快速对插的HBB横排产品成为必然的选择。  横排：OCP在宽体柜中使用