半导体行业深度跟踪：海外资本开支持续上行，自主可控产业链加速放量

敬请阅读末页的重要说明 证券研究报告 | 行业深度报告 2026 年 08 月 12 日 推荐（维持） 半导体行业深度跟踪 TMT 及中小盘/电子 7月以来费城半导体指数有所调整，2026年全球CSP合计资本开支预计约8300亿美元，带动 AI 产业链景气度持续提升。存储行业供需缺口将延续至 2027 年，国内模组公司进入利润放量期。全球 CPU 市场空间大幅提升，国产算力订单及营收高速增长，同时带动国内先进制程需求。国内存储扩产趋势明确，国产化率迎来提升，设备订单持续向好、材料随产能突破瓶颈后迎来规模化提升。建议关注受益于供需紧张的存储、需求持续向好的算力及代工、扩产周期的设备材料等，同时建议关注各科创指数和半导体指数核心成分股。 ❑ 7月A股半导体指数跑输费城半导体指数、中国台湾半导体指数。半导体（SW）行业指数-35.38%，电子（SW）行业指数-34.72%，同期费城半导体指数/中国台湾半导体指数-20.61%/-4.88%。 ❑ 行业景气跟踪：需求或受存储涨价影响，预计存储供给持续紧张。 1、需求端：存储涨价导致消费类需求仍承压，AI 算力建设是亮点。手机：H1 手机出货同比-5.4%、苹果逆势增长，产业链预计存储涨价导致手机大盘全年下滑近 14%；近期国内端侧手机模型首次获批，端侧 AI 产业进程加速。PC：Q2 出货同比-4.7%是九季度连涨后首次下滑，因前期提前为存储涨价备货透支需求，产业链预计存储涨价背景下 PC 全年出货下滑 11%。穿戴/IoT：AI/AR 眼镜 H1 出货均同比大幅增长约 190%，创新关注 AI 耳机、眼镜、IoT机器人等新形态终端。汽车：国内汽车 H1 销量同比下滑 4%、全年销量承压，关注智驾技术进展及应用下沉趋势。服务器：2026Q2，CSPs 进一步上调资本开支，进一步满足算力需求，26M6 信骅营收 13.1 亿新台币，同比+67%/环比+2%。 ❑ 2、库存端：功率 MCU 及模拟 DOI 环比下降，库存周转加快。26Q1 国内手机链芯片厂商平均库存显著降低，DOI 达 175 天。海外模拟与功率器件厂商去库存成效显著，指引库存周转加快、去库存趋势延续。TI 26Q2 库存 46.05亿美元、环比-0.90 亿美元，DOI 212 天/环比-6 天，将向 150-250 天区间的下限靠近；英飞凌 26Q2 DOI 从 177 天环比下降至 170 天，目标 2026 财年末降至 150 天左右；PI 26Q2 库存环比减少 519 万美元，DOI 下降 9 天至 286天，预计 2H26 继续改善，渠道库存已回到 7–8 周合理区间；ST 26Q2 库存为 31.88 亿美元，环比+0.15 亿，DOI 为 137 天。 3、供给端：2026 年全球晶圆厂资本开支持续增长，国内先进及成熟制程扩产均可期。1）存储方面，三大原厂显著加码资本开支，投资重心进一步向HBM、先进 DRAM/NAND 及洁净室基础设施倾斜。①三星 26Q2 资本开支16.8 万亿韩元，其中 DS 部门 15.4 万亿韩元，重点推进平泽新厂及基础设施建设，并加速 HBM4、DDR5、SOCAMM2 等高附加值产品布局；②美光将FY2026 资本支出进一步上修至约 270 亿美元，并预计 FY27 资本开支继续明显提升，增量中过半来自厂房和洁净室建设，设备支出预计也将同比增长；③SK 海力士 2026 年资本开支预计达到 40 万亿韩元区间高位，主要用于 M15X量产、龙仁一期洁净室建设以及 P&T7 先进封装厂、M17 NAND 生产基地等项目。预计 2026 年 DRAM 和 NAND 资本开支继续增长，但新增供给仍难以完全匹配需求。①预计 2026 年 300mm DRAM 晶圆厂设备投资同比增长 29%至 370 亿美元，主要投向 HBM、DDR5 及先进制程迁移。②预计全球 300mm 3D NAND 晶圆厂设备投资同比增长 28%至 140 亿美元，重点用于高层数制程升级及企业级 SSD 相关产能建设。③国内存储原厂预计持续扩产，市占率有望持续提升；2）逻辑方面，2026 年全球半导体制造设备支出预计达到 1659亿美元，同比增长 23.2%，较此前预测明显上修，资金主要投向先进工艺产 行业规模 占比% 股票家数（只） 531 10.2 总市值（十亿元） 19288.6 17.5 流通市值（十亿元） 16341.7 16.4 行业指数 % 1m 6m 12m 绝对表现 -17.6 15.2 56.3 相对表现 -15.1 16.3 43.1 资料来源：公司数据、招商证券 相关报告 1、《半导体自主可控跟踪报告—需求旺盛带动国内外产能持续扩张，设备材料 等订 单及 业绩 趋势 向好 》2026-05-15 2、《存储行业深度跟踪报告—长协锁单彰显紧缺延续，行业景气有望延续至 2027 年》2026-05-13 3、《半导体行业深度跟踪—AI 拉动从算力芯片扩散明显，自主可控产业链景气向好》2026-05-12 鄢凡 S1090511060002 yanfan@cmschina.com.cn 谌薇 S1090524070008 shenwei3@cmschina.com.cn 涂锟山 S1090525040004 tukunshan@cmschina.com.cn 王焱仟 研究助理 wangyanqian@cmschina.com.cn -20020406080100Aug/25Dec/25Mar/26Jul/26(%)电子沪深300海外资本开支持续上行，自主可控产业链加速放量 敬请阅读末页的重要说明 2 行业深度报告 能，成熟制程工艺仍然处于积极扩产态势；台积电将 2026 全年美元口径收入增速上调至略高于 40%，同时将 2026 年资本支出由 520–560 亿美元大幅上调至 600–640 亿美元，其中约 70%-80%用于先进制程技术，约 10%用于特殊制程技术，约 10%-20%用于先进封装、测试、掩膜制造及其他领域；UMC上调 2026 资本开支至 20 亿美元，主要用于 12 英寸晶圆；中芯国际 2026 年资本开支约 80 亿美元；华虹半导体 26Q1 资本开支 9.2 亿美元，Fab9B 预计26Q4 开始设备进场，并于 2027 年进入产能爬坡阶段；世界先进（VIS）资本开支继续维持 600 亿—700 亿新台币，主要用于 12 英寸产线建设。 4、价格端：DRAM 现货价持续上涨，Q3 通用存储合约价涨幅大幅收敛。现货价方面，DRAM 现货价持续创新高，NAND 现货此前受高价抑制、市场买盘偏弱，近期有回升态势。合约价方面，AI 服务器与数据中心需求仍提供支撑，但受消费级需求下修、高基数及客户价格承受力接近上限影响，TrendForce 预计 26Q3 一般型 DRAM 环比+13-18%，NAND Flash 合约价环比+10%-15%，涨幅较前几季明显收敛。利基存储供给更为紧张，26H1 NOR Flash、SLC NAND 合约价涨幅均超