电子行业AI动态跟踪系列(十七)：存储，AI加剧行业供需失衡，产业链盈利水平持续提升

AI动态跟踪系列（十七）存储：AI加剧行业供需失衡，产业链盈利水平持续提升证券研究报告2026年7月29日请务必阅读正文后免责条款电子行业 强于大市（维持）电子信息团队CSP资本开支持续加大，彰显AI行业高景气2资料来源：TrendForce，平安证券研究所2023-2026年全球八大CSP资本支出预测 根据TrendForce数据，为了加快AI应用的发展与升级，全球CSP持续加大对AI基础设施的投入，预计2026年全球CSP合计资本开支将同比+61%至7100亿美元。为了提高在AI竞赛中的市场地位以及满足下游AI需求的增长，部分CSP开始上修资本开支，Google在26年二季度业绩交流中提到，26年二季度公司资本开支同比+99.6%至449亿美元，26年全年资本开支预期由上一季度的1800-1900亿美元上调至1950-2050亿美元，进一步彰显出AI领域的高景气。-20%0%20%40%60%80%0200400600800资本开支（十亿美元）同比增速（%）2027年全球存储产值将增长至1.28万亿美元3资料来源：TrendForce，平安证券研究所2023-2027年DRAM与NAND Flash产值预测（单位：十亿美元） 得益AI高景气，存储产值快速增长。当前AI发展重心逐步由大模型训练转向以推理为核心的Agentic AI应用，持续拉升存储需求，由于短期产业供应依旧呈现偏紧态势，推动存储产品价格上涨，带动存储产值整体高增，预计2026年全球半导体存储将达到8893亿美元，2027年有望同比+44%至1.28万亿美元。其中，2027年DRAM产值将增长至9033亿美元，而NAND Flash将增长至3794亿美元。本轮存储景气周期主要来源于服务器4资料来源：Omdia，长鑫科技招股书，TrendForce，平安证券研究所2025-2030年DRAM下游应用市场需求占比 从下游领域看，本轮存储上行周期的下游贡献主要来自于服务器端。由于服务器（尤其是AI服务器）对于存储产品规格以及容量的高要求，推动服务器领域在存储市场占比不断提升，预计2027年服务器在DRAM和NAND Flash中的占比将分别增长至64%和51.1%。结合当前AI高景气，预计服务器存储占比有望呈现不断增长态势，成为未来存储最核心的应用下游领域。2026-2027年各NAND Flash位元需求占比预测Rubin全面量产，进一步驱动存储需求提升5资料来源：闪存市场，平安证券研究所Vera Rubin Pod主要芯片涉及的存储参数 Rubin全面量产，单机存储用量提升明显。近期，英伟达宣布Rubin服务器开始批量交付，相较于前两代AI服务器平台，Rubin NVL72的GPU和CPU内存容量均实现明显增加。其中，Rubin NVL72的GPU内存是H100 DGX x8的4.1倍，CPU内存为3.4倍。随着Rubin服务器出货量的持续增加，将对未来存储需求增长形成有效支撑。0102030405060GPU Memory（TB）CPU Memory（TB）H100 DGX x8GB200 NVL72RUBIN NVL72英伟达不同机架的内存容量新增产能短期无法规模落地，供应紧缺态势仍将延续6资料来源：闪存市场，平安证券研究所存储原厂扩产计划 为了应对当前快速增长的存储需求，各家存储原厂开始加大产能扩建，但新增产能大规模释放普遍要在2027年后，短期供应紧缺问题仍难以得到明显缓解。厂商核心扩产项目/地点预计投产/量产时间产出产品关键产能目标三星电子韩国平泽P4工厂2026年底（原计划2027Q1，已提前）DRAMNAND Flash预计满产后，DRAM月产能10-12万片，NAND Flash月产能5-6万片韩国平泽P5工厂2028年投产，2030年满产DRAMNAND Flash目前处于早期建设阶段，具体产能规模尚未最终确定韩国华城17号线制程升级扩建，2026年底满产DRAM新增3-4万片/月，该产线总产能：8-10万片/月SK海力士韩国龙仁半导体集群一期2027年2月起陆续投产DRAM规划在3年间新增DRAM月产能至36万片韩国清州M15X2026-2027年DRAM/HBM2027年产能增长至8万片/月美国印第安纳州2028年下半年HBM负责HBM与先进封装，强化北美供应链美光美国爱达荷州2027-2030年DRAM/HBM满产后月产能可达10万片最先进DRAM晶圆美国纽约州2028年下半年投产，2030年后满产DRAM规划最多4座晶圆厂，建设期20年以上，满产后美光40%DRAM在美国本土生产日本广岛2028年6-8月开始出货，2030年3-5月达到最大产能DRAM/HBM月产能4万片新加坡HBM封装2027年投入运营，新增NAND Flash2028年下半年投产，2030年前后满产HBMNAND FlashHBM封装预计2027年大规模量产NAND Flash投产后产能增加50%中国台湾铜锣晶圆厂2028财年开始出货DRAM/HBM2026财年启动同等规模扩建，完成后12英寸无尘室空间将达57万平方英尺铠侠/闪迪日本北上Fab2 (K2)2026年上半年产能爬坡NAND FlashK2满载后，北上工厂整体产能翻倍北上新工厂评估新建NAND Flash存储行业供不应求，预计26年供应缺口逐季放大7资料来源：Omdia，平安证券研究所24Q1-26Q4 DRAM供需比变化 AI需求强劲，存储行业延续供应紧缺态势。根据Omdia数据，在AI强力驱动下，存储需求持续增长，从25年下半年起，存储行业开始供不应求。以DRAM为例，服务器带来的强劲需求持续高于行业供应产能增长，导致2026年供应端将继续延续紧缺态势，预计供应缺口将呈现逐季放大态势。AI加剧存储供需失衡，存储价格逐季上涨8资料来源：TrendForce，平安证券研究所25Q1-26Q3存储产品合约价环比涨跌幅 AI高景气加剧存储供需失衡，存储价格延续涨价态势。根据TrendForce数据预测，整体来看，主流存储产品价格自25Q2起开始迎来全面涨价，且呈现逐季环比增加的态势。其中，DRAM方面，26Q3整体DRAM供应依旧延续紧缺态势，预计26Q3合约价将环比上涨约8-13%，而NAND Flash得益于AI推理和大型数据中心建设支撑，预计26Q3合约价将环比上涨约10-15%。25Q125Q225Q325Q426Q126Q226Q3EDRAM（包含HBM）下降0-5%上涨5-10%上涨15-20%上涨50-55%上涨80-85%上涨53-58%上涨8-13%NAND Flash下降15-20%上涨3-8%上涨3-8%上涨33-38%上涨55-60%上涨55-60%上涨10-15%-100%-50%0%50%100%150%200%250%300%350%400%SK海力士-营收同比增速美光-营收同比增速SK海力士-营业利润率美光-营业利润率存储迎来强劲上行周期，产业链盈利能力持续改善9资料来源：Wind，平安证券研究（由于美光财季时间不同，将美光数据前置一个季度用于同业比较）SK海力士和美光业绩指标变化情况 AI存储需求强劲，海外原厂业绩有望