通信行业专题报告：光芯片产业梳理

证券研究报告 | 行业专题 | 通信 http://www.stocke.com.cn 1/23 请务必阅读正文之后的免责条款部分 、 通信 报告日期：2026 年 06 月 30 日 光芯片产业梳理 ——行业专题报告 投资要点 ❑ 高端有源芯片 IDM 模式构成重要价值壁垒 高速 EML、CW 光源等有源芯片需在 InP 衬底上完成纳米级外延与光栅刻蚀，工艺高度耦合且迭代周期短，IDM 模式能够整合设计、制造、封测全链条，有助于保障良率与响应速度。全球高端产能集中于海外，国内掌握 IDM 全流程的领先企业，在 800G/1.6T 需求扩张阶段具备较强利润弹性。 ❑ InP 衬底与外延的国产替代正填补供应链短板 InP 衬底是高速有源芯片的关键基底，全球产能集中于少数海外厂商且供需缺口较大，已成为产业扩张的突出瓶颈。国内云南锗业、北京通美已实现 6 英寸量产，九峰山实验室依托国产 MOCVD 取得 6 英寸外延工艺突破。从材料到外延的国产链条逐步打通，相关企业迎来从突破到放量的成长窗口。 ❑ 硅光与 TFLN 率先商用者有望抢占下一代技术先机 随着光模块速率向 1.6T 及以上演进，传统 VCSEL 逐步让位，硅光凭借 CMOS兼容和成本优势渗透率快速提升，LightCounting 在 2026 年 6 月发布的报告中指出，2026 年基于硅光的光模块销售额将首次超过整体市场的 50%；TFLN 在3.2T 以上超高速调制中性能突出，2026 年进入产业化元年。率先完成硅光芯片设计流片、TFLN 器件量产及先进封装配套的企业，有望获得先发优势。 ❑ 风险提示 InP 衬底供给持续短缺风险 技术路线迭代加速与产业化不及预期的双重风险。 关键设备与材料“卡脖子”风险。 行业评级: 看好(维持) 分析师：邓贺方 执业证书号：S1230525070001 denghefang@stocke.com.cn 分析师：周艺轩 执业证书号：S1230524060001 zhouyixuan@stocke.com.cn 相关报告 1 《光模块技术路线梳理》 2026.06.12 行业专题 http://www.stocke.com.cn 2/23 请务必阅读正文之后的免责条款部分 正文目录 1 光芯片产业全景图谱 ................................................................................................................................... 5 1.1 光芯片：高速光模块的核心价值与壁垒环节 .................................................................................................................. 5 1.2 功能维度：有源、无源芯片的价值分层.......................................................................................................................... 6 1.2.1 有源光芯片：光电转换核心，价值主导 .............................................................................................................. 6 1.2.2 无源光芯片 .............................................................................................................................................................. 8 1.3 材料体系：GaAs/InP 有源基底，硅光（SiPh）/薄膜铌酸锂（TFLN）集成调制基底 ............................................... 8 1.3.1 InP（磷化铟）：有源发光与高速调制的核心基底 ................................................................................................ 8 1.3.2 GaAs（砷化镓）：短距 VCSEL 的主导材料平台.................................................................................................. 9 1.3.3 硅光（SiPh）：高密度集成与 CMOS 兼容性的平台化底座................................................................................ 9 1.3.4 TFLN（薄膜铌酸锂）：面向 3.2T 及以上的下一代超高速调制平台 .................................................................. 9 1.4 场景维度：短距/多模/长距/相干/CPO 场景的芯片适配方案 ....................................................................................... 10 1.4.1 短距与多模：VCSEL 仍是性价比之王，但边界清晰 ....................................................................................... 10 1.4.2 中长距：EML 与硅光+CW 共同主导，取决于距离与供给 ............................................................................. 10 1.4.3 更长距离与相干方向：InP 仍是基本盘，TFLN 打开增量空间 ....................................................................... 10 1.4.4 CPO：硅光为主平台，InP 负责光源，VCSEL 与 TFLN 分别卡位短距和高性能补位 .................................. 11 2 核心技术路线与代际演进逻辑 ......................................................................................................