科技行业：韩国1.3万亿美元战略落地，体量空前但供需可控，聚焦设备结构性机遇

免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。 1 证券研究报告 科技 韩国 1.3 万亿美元战略落地：体量空前但供需可控，聚焦设备结构性机遇 华泰研究 科技 增持 (维持) 科技 增持 (维持) 黄乐平，PhD 研究员 SAC No. S0570521050001 SFC No. AUZ066 leping.huang@htsc.com +(852) 3658 6000 何翩翩 研究员 SAC No. S0570523020002 SFC No. ASI353 purdyho@htsc.com +(852) 3658 6000 陈旭东 研究员 SAC No. S0570521070004 SFC No. BPH392 chenxudong@htsc.com +(86) 21 2897 2228 于可熠 研究员 SAC No. S0570525030001 SFC No. BVF938 yukeyi@htsc.com +(86) 21 2897 2228 行业走势图 资料来源：Wind，华泰研究 2026 年 6 月 29 日│中国内地 动态点评 6 月 29 日，韩国总统李在明在青瓦台主持“大韩民国大飞跃三大超级项目”国民报告会，三星电子董事长李在镕、SK 集团董事长崔泰源同台直接发布投资计划。该战略覆盖 2026-2036 年，总投资约 2000 万亿韩元（约 1.3 万亿美元）。该项目以“半导体、AI 数据中心、物理 AI”为三大支柱，旨在打破韩国首都圈工业垄断、将国家资源向光州（存储器），大邱（机器人），忠清（数据中心，显示）等首都圈以外地区倾斜，对韩国科技产业发展是标志性事件。1.3 万亿美元的投资规模相当于台积电在美国亚利桑那州投资规模（1650 亿美元）的 7.8 倍，对全球半导体产业的竞争格局，供需关系都或将产生深远影响，产业链相关公司包括 ASML/AMAT/TEL 等。 计划要点：在首都圈外建“半导体、数据中心、物理 AI”三大新产业集群 韩国总统李在明强调，将国家资源向首都圈以外地区倾斜，在西南部的光州、东南部的大邱、和中部的忠清分别建设新一代半导体、机器人和 AI 数据中心产业集群。半导体方面，三星电子与 SK 海力士在目前现有的龙仁产业集群（合计 10 座先进工艺晶圆厂）的基础上，在光州再分别投资建设至少 2座前道晶圆厂。韩国产业通商部长官也宣布，政府会加快审批手续，帮助两家将目前建设中的龙仁集群达产时点分别整体提前约 7 年、12 年到 2035年左右。此外，三星和 SK 集团在忠清、大邱也宣布了显示、HBM 先进封装、物理 AI/机器人、造船等其它项目，合计投资规模 2000 万亿韩元。 产业地理空间重构：从首都圈“一极”走向四大板块横向协同 此前韩国半导体产业链高度集中于首尔、龙仁首都圈，龙仁集群承载多数先进系统芯片与存储的研发及前道产能，但 AI 驱动下的能耗与土地瓶颈使老基地扩建承压。本轮战略在保障龙仁大幅提速的同时，向外重构产业空间：首尔聚焦高阶研发，忠清承接先进封装（HBM）与数据中心，光州承接代工与存储前道制造，岭南承载物理 AI 生态。我们认为，这批“四区联动”的“政治产能”叠加龙仁提速，或将系统性扩充韩国本土先进制程、存储与封装产能，并影响 2028 年后全球相关产能的释放节奏。 总投资规模较大，具体其中半导体设备占比有待进一步分析 10 年 2000 万亿韩元（1.3 万亿美元）的投资规模较大，相当于台积电在美国亚利桑那州投资规模（1650 亿美元）的 7.8 倍。年化来看，1300 亿美元相当于 2025 年全球 WFE 规模（约 1100-1200 亿美元）的 108%-118%，但其中包含 AI 数据中心、显示、电池与机器人等非半导体板块，半导体内部亦含土地、厂房、电网与工业用水等基建投入，实际落到光刻机等前道半导体设备（WFE）的比例料显著低于传统半导体资本开支中设备约 70%的惯例。叠加十年投资周期与电力、用水、人才等落地约束的天然调节，我们判断，本轮扩张印证存储端需求或维持高景气，三星与 SK 海力士提前加码扩产，产业链供需有望走向健康可控、相关设备需求或出现前置。 投资建议：全球半导体设备企业有望在这轮存储周期中受益 AI 高景气下先进制程、HBM 与先进封装产能扩张将带来持续的设备增量需求，设备厂商在本轮跨越十年的长线投资下或迎来长期结构性利好。产业链相关海外公司包括光刻龙头 ASML、应用材料、东京电子等全球主要前道设备供应商，以及存储收入占比较高的 Kokusai Electric 等；中国企业中，清洗设备厂商盛美上海、热处理设备厂商屹唐股份等在韩国均有业务布局，在产业链中亦持续扮演重要角色。 风险提示：AI 进展不及预期；宏观和地缘政治；半导体周期下行；研报涉及的未上市/未覆盖个股，系客观信息整理，不代表团队对该公司推荐/覆盖。 (3)22477297Jun-25Oct-25Feb-26Jun-26(%)科技沪深300 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。 2 科技 图表1： 韩国“三大国家项目”半导体产业集群地理位置分布 资料来源：自然资源部（天地图），华泰研究 图表2： 韩国宣布“三大国家项目”：2026-2036 年投资 1.3 万亿美元 资料来源：Factset，华泰研究 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。 3 科技 图表3： 韩国半导体产能情况 资料来源：Bloomberg，各公司官网，MBS NEWS，华泰研究 图表4： 存储供应商扩产情况 资料来源：Trendforce，华泰研究 图表5： 存储板块估值表 注：预期数据来源为 Factset 一致预期，股价截至 2026 年 6 月 26 日。 资料来源：Factset，华泰研究 公司规划名字地点Fab数量定位影响与政策华城园区（既有基地）京畿道华城既有多座（Line 11–17，含12/13/15/16/17） 传统量产与先进制程研发既有据点，与器兴、平泽并列平泽园区扩产京畿道平泽P1–P6（P4-5在建、P6规划）高阶存储与代工复合中心既有主力天安先进封装集群忠清南道天安（+温阳）现有封装厂区扩展HBM 先进封装基地忠清地区含 HBM 晶圆厂与后道封装龙仁系统半导体国家产业园区京畿道龙仁6座全新最尖端系统半导体（逻辑/代工）投资大幅加速，完工较原定 2047 年提前约 7 年；以快捷通道+15GW供电推进西南圈光州新基地全罗道光州2座全新第二存储器生产基地西南圈合计 4 座存储 fab利川园区（既有基地）京畿道利川既有 M14/M16（含M10）高阶 DRAM 大本营既有据点；本次未单列利川新增清州 NAND 基地忠清北道清州M11/M12/M15/M15xNAND 闪存基地重点投向 NAND龙仁存储集群京畿道龙仁4座全新新一代 DRAM 基地重点投资DRAM；原定 2045