计算机行业研究：电Ram和功率半导体开启涨价潮

敬请参阅最后一页特别声明 1 行业观点  电容与功率半导体正从结构性短缺走向系统性涨价，全产业链调价周期已开启。涨价已从 MLCC 向铝电解电容、薄膜电容、超级电容及功率器件全面扩散，日系、台系及大陆厂商先后发函调涨，形成全品类涨价浪潮。具体而言，日本尼吉康于 6 月宣布全面涨价 10%-15%，佳美工同步跟进，国内江海股份于6 月 20 日将调价范围扩大至三大品类。驱动逻辑可从两个维度理解：成本侧，地缘冲突推高铝箔、化工原料及电力等核心生产要素价格；需求侧，AI 服务器电容用量为传统服务器的 3 至 10 倍，功率订单呈现爆满状态。成本推动与需求拉动形成合力，行业加速低端产能出清，电力电子产业链价格传导机制已全面激活，市场份额向具备全链条能力的头部企业集中。  电容是算力系统的“电 RAM”，这一比喻正在从叙事走向工程现实。我们在电容系列第一篇即提出“电容是新的电RAM”——HBM 是数据的缓冲、电容是能量的缓冲。电 RAM 与 DRAM 在系统角色上存在三重高度同构：DRAM的“刷新—缓存层级—容量墙”，分别对应电容在 AI 供电系统中的“充放电响应—多级时间常数—容量配置”。二者在物理层面共享电荷存储与释放的器件原理，在系统层面共同承担“为高速运算提供够快、够近的即时缓冲”的核心角色。算力越强，对电能缓冲的依赖越深，正如算力越强对数据缓冲的依赖越深——这是电容需求脱离“按 GPU颗数线性外推”的根本原因。此外，市场对电容需求的认知长期停留在电源模块（PSU）内部的“白区”，而真正的增量大量发生在从电网接入到机柜之间多级降压、配电的“灰区”环节，系统级需求爆发正被市场系统性低估。  电容体系是一张“按时间常数分层”的缓冲网络，每一类电容对应一个供电时间尺度。沿着从芯片到电网的方向，硅电容在封装内承担亚纳秒级瞬态去耦，MLCC 在板级承担纳秒级高频去耦，MLPC（多层聚合物电容）在板级承担微秒级中高频滤波与储能并在高容值区间替代多颗 MLCC，牛角铝电解电容在电源模块承担微秒至毫秒级的稳压削峰，超级电容与锂离子电容在机柜侧承担毫秒至秒级的备电与功率缓冲，薄膜电容则在高压直流母线承担纹波吸收。这套“时间常数阶梯”与存储系统的“访问延迟层级”在结构上高度对应：越靠近运算核心，响应越快、单位价值越高、技术壁垒越陡。AI 供电升级不是某一类电容的单点放量，而是整张缓冲网络的同步加密。 相关标的  1）电容：江海股份、火炬电子、东阳光、海星股份、艾华集团、祥和实业、法拉电子、万裕科技、思源电气等。  2）MLCC：三环集团、风华高科、博纤新材、洁美科技、信维通信、国瓷材料、力源信息、火炬电子、利和兴、商络电子等。  3）功率半导体：士兰微、扬杰科技、斯达半导、宏微科技、时代电气等。  4）SST：四方股份、金盘科技、阳光电源、京泉华、可立克等。  5）SiC：天岳先进、晶升股份、宇晶股份、三安光电等。 风险提示  上游高端材料保供风险；客户验证与导入不及预期风险；产能指标与审批风险；价格回落风险；海外厂商扩产与同业竞争风险；需求测算偏乐观风险。 行业研究 敬请参阅最后一页特别声明 2 扫码获取更多服务 内容目录 一、电 Ram 和功率半导体开启涨价潮，打响周期底部第一枪 ......................................... 3 1.1 电容器：从铝电解到薄膜超级电容，全品类调价态势明朗 .................................... 3 1.2 功率半导体：年内多轮阶梯式调价，AI 电源订单成为最大结构性亮点 .......................... 3 二、电 RAM 不是比喻：电容与 DRAM 在系统角色上高度同构 ........................................ 4 2.1 同构一：DRAM 要"刷新"，电容要"充放电"，都是为运算提供即时缓冲 ......................... 4 2.2 同构二：DRAM 有"缓存层级"，电容有"时间常数阶梯"，越近核心越贵越快 ..................... 4 2.3 同构三：DRAM 有"容量墙"，电容有"功率墙"，需求都脱离线性外推 ........................... 4 三、按时间常数分层：六类电容各就各位，构成完整的"电能缓冲网络" ................................. 5 3.1 硅电容：封装内的亚纳秒级去耦，最靠近运算核心 .......................................... 5 3.2 MLCC：板级的纳秒级高频去耦，数量最庞大的一层 ......................................... 5 3.3 MLPC：板级微秒级中高频滤波与储能，高容值区间替代多颗 MLCC ........................... 5 3.4 牛角铝电解电容：电源模块的微秒至毫秒级稳压削峰，AI 电源高压化的直接受益者 .............. 6 3.5 超级电容与锂离子电容：机柜侧的毫秒至秒级备电与功率缓冲，从选配走向必配 ................ 6 3.6 薄膜电容：高压直流母线的纹波吸收，800V 架构下的承接环节 ............................... 7 四、相关标的 .................................................................................. 8 五、风险提示 .................................................................................. 8 图表目录 图表 1： 电容器厂商涨价时间线 .................................................................. 3 图表 2： 电容器厂商涨价时间线 .................................................................. 4 图表 3： 硅电容的厚度可以减薄至 100 ㎛或更小，便于封装 ......................................... 5 图表 4： 硅电容在封装芯片内部的位置 ............................................................ 5 图表 5： 硅电容与 MLCC 的体积对比 ............................................................. 5 图表 6： 封装后的 30µf Nanolam 电容器在 850V/125℃、670V/160℃下关键性能均保持稳定 ............. 6 图表 7