中小盘行业新质策略系列之碳化硅：AI赋能打开成长空间，供需共振开启量价齐升

证券研究报告 | 行业周报 请仔细阅读本报告末页声明 gszqdatemark 中小盘 新质策略系列之碳化硅：AI 赋能打开成长空间，供需共振开启量价齐升 一、碳化硅：第三代半导体核心材料，全球格局加速重构 碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体的核心代表材料之一，凭借高禁带宽度、高热导率、高击穿电场等特性，可突破传统硅基器件的物理性能极限，适配高压、高温、高功率、高频等应用场景，是支撑新能源革命与 AI 算力升级的底层核心材料。碳化硅器件产业链分为上游衬底与外延、中游器件与模块、下游应用三大环节，其中衬底是产业重要技术壁垒，据华经产业研究院数据，占器件总制造成本的 47%。市场层面，据 QYResearch 数据，2025 年全球碳化硅功率器件市场销售额达406.91 亿元，预计 2026-2032 年 CAGR 20.5%，2032 年达 1479.68亿元。竞争格局上，全球碳化硅器件市场仍由意法半导体、英飞凌等海外巨头主导；国内企业沿产业链各环节加速突围，在衬底制造、器件设计、模块封装等领域持续实现技术突破，国产化率稳步提升，全球产业竞争格局正加速重构。 二、发展动能研判：供需重塑抬升行业景气，多元需求与技术升级共拓长期空间 （一）供需格局边际反转，行业步入量价齐升上行周期 经历 2025 年的市场出清后，碳化硅行业供需格局已实现实质性改善。价格端，2025 年 6 英寸衬底均价一度从年初 4000-4500 元/片回落至2000 元/片附近，2026 年 4 月以来已出现较大幅度反弹，8 英寸产品同步止跌企稳并小幅上涨；中游器件环节，海外功率半导体龙头英飞凌、意法半导体均已发布年内第二轮调价通知，国内厂商同步跟进调价，行业价格周期明确反转。供给端，中小产能持续出清，有效供给向头部集中，当前头部衬底厂商产能利用率已超 90%，部分高端规格产品供给偏紧。需求端，传统赛道需求稳步增长，叠加新兴场景放量与终端备库存需求，行业订单能见度显著提升，部分产品交付周期大幅拉长，行业进入价涨量增的景气上行阶段。 （二）AI 算力打开成长新空间，需求结构从单核迈向多核 新能源仍是行业压舱石，碳化硅功率器件逐步从高端车型向中低端市场渗透，光伏储能、充电桩、轨交等领域需求同步扩容。而 AI 数据中心正成为行业重要增长极，随着大模型算力需求升级，AI 芯片功耗持续攀升，机柜功率密度从百千瓦级向兆瓦级演进，传统供电架构的损耗与散热瓶颈日益凸显，800V 高压直流供电架构已成为行业技术共识，驱动数据中心供电体系全面升级。碳化硅凭借高效率、高频、高温与高功率密度的材料特性，能够显著提升服务器电源模块的功率密度与能量转化效率，有效降低数据中心 PUE 值，是支撑高压直流架构落地的关键器件。此外，碳化硅应用版图持续延伸，加速向 AI 眼镜光波导、先进封装等新兴领域拓展，下游需求多元化趋势愈发明确。 （三）大尺寸迭代驱动降本增效，国内头部厂商话语权持续提升 衬底尺寸升级是碳化硅行业降本增效和扩大应用的核心方向之一，也是产业竞争的战略制高点。8 英寸衬底单片芯片产出量约为 6 英寸的 2倍，可带动全产业链单位成本下行，是推动碳化硅从高端选配走向规增持（维持） 作者 分析师 花小伟 执业证书编号：S0680526020001 邮箱：huaxiaowei@gszq.com 相关研究 1、《中小盘：新质策略系列之 MLCC：AI 算力驱动涨价潮，国产替代加速推进》 2026-06-18 2、《中小盘：新质策略系列之半导体硅片：涨价拐点已至，国产替代迎黄金窗口》 2026-06-09 3、《中小盘：新质策略系列之集成电路先进封测：后摩尔时代技术破局，四大共振驱动行业高景气》 2026-06-02 2026 06 26年 月 日 gszqdatemark P.2 请仔细阅读本报告末页声明 模化普及的重要抓手。当前行业处于尺寸迭代关键窗口期：6 英寸导电型衬底仍是出货主流，但 6 英寸器件赛道竞争已进入红海；8 英寸经济性逐步被验证，成为当前竞争主战场；12 英寸代表下一代技术方向，是全球产业话语权的重要争夺点。国内厂商在本轮升级中实现跨越式突破，头部企业已完成 8 英寸碳化硅衬底规模化量产，带动国内形成从材料到器件的完整 8 英寸技术生态，同时率先推进 12 英寸全系列产品技术攻关。长期来看，大尺寸升级将推动衬底成本中枢持续下移，加速多场景替代渗透，同时抬高行业壁垒，推动产能出清与份额向头部集中，国内领先厂商的全球产业话语权将稳步提升。 三、投资建议 当前碳化硅行业正处于景气度上行、需求扩容、国产替代加速的多重红利期，具备技术壁垒、产能先发优势与头部客户资源的企业将持续扩大市场份额。建议关注以下优质标的： 士兰微：国内综合型半导体 IDM 核心厂商，深耕 SiC 功率器件领域，6 英寸 SiC 功率器件芯片产线已形成月产 1 万片 MOS上量，8 英寸 SiC 功率器件芯片产线 2025 年四季度通线，月产能 5000片，预计 2026 年下半年投产；自主研发的Ⅱ代 SiC-MOS厂商认证并批量应用于 AI 算力中心电源，配套高性能中低压 MOS同步出货，第Ⅳ代 SiC 芯片与模块已完成客户评测并批量交付。 新洁能：国内功率半导体核心厂商，MOS体产品广泛适配 AI 服务器及数据中心的电源单元、电压调节模块、HVDC 系统、SST 等关键环节。公司自主研发的 SiC MOS能效对标欧美竞品，第 2 代、2.5 代 SiC MOS盖 650V/750V/900V/1200V/1700V 电压段；第三代 SiC MOS平台完成工艺开发，相关产品处于可靠性验证阶段。 天岳先进：全球宽禁带半导体材料行业龙头，据日本富士经济数据，2025 年导电型 SiC 衬底全球市占率达 27.6%，位列全球第一；公司已实现 8 英寸 SiC 衬底量产，率先完成 2 英寸至 8 英寸 SiC 衬底商业化，并推出 12 英寸 SiC 衬底产品，掌握 SiC 衬底生产环节核心技术；目前已与全球前十大功率半导体器件制造商中半数以上建立合作，产品广泛应用于新能源汽车、AI 数据中心等终端领域，并持续拓展先进封装等新兴应用场景。 风险提示：技术迭代不及预期，国产替代进度不及预期，下游需求波动，供给超预期释放，原材料价格波动。 2026 06 26年 月 日 gszqdatemark P.3 请仔细阅读本报告末页声明 图表目录 图表 1： 碳化硅产品多维度分类及核心特征 .............................................................................................. 4 图表 2： 碳化硅功率器件产业链图谱及核心环节分布 ..............................................................