PCB设备专题报告：mSAP工艺应用场景拓展，设备股迎成长新机遇

PCB设备专题报告mSAP工艺应用场景拓展，设备股迎成长新机遇证券研究报告请务必阅读正文之后的免责声明部分1首席证券分析师：周尔双执业证书编号：S0600515110002zhouersh@dwzq.com.cn研究助理：陶泽执业证书编号：S0600125080004taoz@dwzq.com.cn2026 年 6 月 26 日投资要点⚫AI硬件升级驱动PCB性能要求提升，mSAP工艺应用边界持续拓宽，迎来扩产放量。伴随1.6T光模块、CoWoP工艺及NPO的加速渗透，mSAP工艺正快速向光模块、先进封装等场景拓展。1.6T光模块量产落地促使PCB 线路精度要求提升至15μm级别，布线密度大幅提升。传统Tenting工艺难以满足高密度互联需求，mSAP工艺通过超薄种子铜层、图形电镀、闪蚀等流程，可实现陡直线路侧壁与高精度线宽控制，能够适配高密度布线与低信号损耗需求，成为高阶 PCB的主流升级方案。长期来看，CoWoP、NPO等下一代封装与光学技术演进，将进一步推进PCB载板化需求，持续打开mSAP工艺的市场空间。下游PCB厂商加速mSAP产能布局，鹏鼎、深南、兴森、景旺、红板、方正等头部厂商均投资规划新增多条mSAP产线，直接拉动高阶设备需求增长。⚫mSAP工艺驱动设备技术升级，钻孔/电镀/LDI/成型四大核心环节受益。mSAP工艺突破了传统减成法的精细线路局限，对多环节核心设备提出更高阶的技术要求，微孔加工精度、曝光对位精度、电镀铜厚均匀性等技术门槛大幅抬升：①钻孔环节：孔径缩小至50μm左右，超快激光钻孔机具备更强的小孔加工能力，成为解决CO2激光钻局限的更优解决方案；②电镀环节：要求铜厚均匀性偏差控制在±5%以内，垂直连续电镀（VCP）设备、水平三合一设备价值量大幅攀升；③曝光环节：线宽线距缩小至15μm，倒逼激光直接成像（LDI）设备成像精度与对位精度要求提升；④成型环节：针对1.6T光模块等小面积复杂结构，CCD锣机等高精度成型设备成为刚需。技术升级带动设备单价与壁垒同步提升。⚫国产厂商突破技术壁垒，国产替代与批量交付正加速兑现。国内厂商已实现多环节技术突破，逐步进入头部客户供应链。 ①大族数控：覆盖钻孔、曝光、成型全流程，超快激光钻孔机已在头部客户实现批量化生产，CCD锣机成为1.6T光模块成型的优质方案；②东威科技：mSAP移载式VCP及水平镀三合一设备量产领先，打破国外垄断。国产设备凭借产品性能、交付周期与本地化服务优势加速替代；③芯碁微装：作为PCB直写光刻龙头，MAS6P系列LDI设备解析能力达6/6μm，生产效率领先国际同类产品；④洪田股份：通过收购东莞速远、控股洪镭光学，布局高端电镀与光刻环节，解决mSAP高孔径比多层板填孔工艺，可满足HDI及IC封装基板的mSAP工艺需求。⚫投资建议：推荐【大族数控】【东威科技】【芯碁微装】【洪田股份】。⚫风险提示：宏观经济波动风险， PCB工艺进展不及预期风险，算力服务器需求不及预期风险。23目录1. PCB载板化，mSAP工艺带来设备价值抬升2. 设备：钻孔/电镀/LDI/成型均有受益3. 风险提示1.1 受益于AI PCB硬件升级，mSAP工艺关注度提高4数据来源：深圳市赛姆烯金科技有限公司，东吴证券研究所◆ 过往mSAP工艺主要应用于手机主板、BT载板领域。◆ 1.6T光模块对PCB性能要求提升，需要使用mSAP工艺。1.6T光模块采用8×224Gbps PAM4通道设计，奈奎斯特频率高达56GHz，信号对插损、回波损耗、串扰及阻抗波动极度敏感，且OSFP-XD封装尺寸受限，需在有限空间内集成16-20层线路，线宽/线距需缩小至15μm/15μm，布线密度大幅提升。传统减成法蚀刻精度低、线路侧壁不规则，无法实现细线路和高阻抗稳定性，而mSAP通过超薄种子铜层、图形电镀、闪蚀等流程，可实现陡直的线路侧壁和±1-2μm的线宽公差，有效降低信号损耗，适配高密度互联需求。◆ 面向未来，CoWoP工艺的渗透、NPO的渗透将进一步打开mSAP工艺的使用空间。图：1.6T光模块PCB实物图图：BT载板与ABF载板1.1 受益于AI PCB硬件升级，mSAP工艺关注度提高5数据来源：智能计算芯世界，光芯，东吴证券研究所◆ CoWoP工艺要求最底层的PCB达到类载板级别的线宽线距。伴随封装技术的持续推进，CoWoP工艺（Chip-On-Wafer-On-PCB）提上产业化日程。相比于CoWoS工艺（Chip-On-Wafer-On-Substrate），CoWoP工艺省略了封装基板，因此对最底层的PCB提出了接近载板化的布线要求。线宽线距的缩小倒逼PCB厂使用mSAP工艺进行布线。◆ NPO工艺需要更精细的线路以提供更高的带宽。NPO（近封装光学）虽然将光引擎从交换机外的可插拔模块中搬到Switch ASIC旁，但实质上光引擎与ASIC仍共存于系统级PCB上，信号传输依靠PCB走线。伴随信号传输速率的不断提高，奈奎斯特频率越高/趋肤效应加剧，需要更高的铜表面质量。另外带宽需求的提高带动更密集的SerDes走线要求，需要进一步缩小线宽线距。需要使用mSAP工艺。图：CoWoP工艺要求PCB达到类载板级别图：近封装光学对PCB走线的要求提高类型CoWoSCoWoP结构层次芯片-硅基中介层-ABF载板-PCB芯片-硅基中介层-类载板级别PCB线宽线距5-8μm（CoWoS-L）8-12μm（CoWoS-R）10-15μm（CoWoS-S）15-20μm（CoWoP类载板）工艺ABF-SAP法PCB-Tenting法类载板级别PCB-mSAP法1.2 PCB升级，从Tenting法到mSAP法再到SAP法⚫ 从Tenting法-mSAP法-SAP法，本质上是为了做出更加精密的线路。⚫ Tenting法为传统主流工艺。以12μm底铜的覆铜板为起点，经激光钻孔+除胶→水平电镀沉铜（1-2μm）→VCP垂直电镀增厚→贴干膜→曝光显影（线路处干膜聚合）→蚀刻去铜→剥膜成型留下线路。核心逻辑为“全铜减去多余”，工艺成熟、成本低，但铜层越厚侧蚀越严重，线宽/间距（L/S）极限约35μm，难以满足高密度互联需求。⚫ 现阶段主流的HDI、高多层（高频高速）等PCB主要都使用Tenting法进行加工。6数据来源：元器件封装测试之友，东吴证券研究所图：Tenting法加工PCB流程核心层加工流程（CCL）增层加工流程（PP+铜箔）1.2 PCB升级，从Tenting法到mSAP法再到SAP法7数据来源：IDC，Prismark，东吴证券研究所⚫ mSAP法为改良型半加成法。核心层的加工仍然为Tenting工艺，在增层上使用mSAP工艺。增层以2μm底铜的载体铜箔（种子层）为起点，经激光钻孔+除胶→闪镀沉铜增厚（3-5μm）→贴膜→曝光显影（非线路处干膜聚合）→蚀刻去铜（非线路处的铜被去除掉）→VCP电镀增厚+填孔（使得线路与激光孔铜厚增加很多）→剥膜闪蚀（把被干膜覆盖的非线路部分种子层快速刻蚀掉，而线路上的铜晶格发生变化不会被刻蚀）。核心逻辑为“种子层薄易去除+VCP加成增厚出电路”，由于种子层较薄，因此可减轻侧蚀，线宽/间距极限约15μm，初步满足高密度互联的需求