电力设备与新能源研究：如何看待电新行业中AI材料的投资机会

如何看待电新行业中AI材料的投资机会长江证券研究所电力设备与新能源研究小组2026-06-25%%%%%%%%research.95579.com1分析师邬博华分析师曹海花分析师任佳惠分析师申浩树SAC执业证书编号：S0490514040001SAC执业证书编号：S0490522030001SAC执业证书编号：S0490524070005SAC执业证书编号：S0490525060004SFC执业证书编号：BQK482分析师王晓振SAC执业证书编号：S0490525090002分析师及联系人证券研究报告评级看好维持• 证券研究报告 •%%%%%%%%research.95579.com201PCB：铜箔&感光干膜02AIDC：软磁材料03MLCC：镍粉04光模块：氮化铝目 录05半导体：空白掩膜版%research.95579.com3HVLP铜箔：AI时代的痛点，兼具景气度和产业迭代01图：AI服务器中高频高速铜箔的应用场景示范图：高频率下载导体横/纵断面上的趋肤效应=AOC（光通信）=高速铜缆（电通信）两台 TOR 交换机电源供应单元AI 服务器托盘：1U×10 台设备交换机托盘：1U × 9 台设备AI 服务器托盘：1U × 8 台设备电源供应单元冷却系统AI 加速器（PCB）LPDDR（封装）交换机模块板（PCB）SSD/NAND（封装）AI 加速芯片（CPU 集成型）趋肤深度高低在高频下，电流会集中在导体的表面区域低频高频当表面粗糙度 > 趋肤深度 d 时当导体表面的微观凸起较大时，会产生传输损耗导体表面的微观凸起需要小于趋肤深度，才能减少传输损耗资料来源：富士 Chimera 研究所株式会社，三井金属，古河电工官网，长江证券研究所PCB制造技术正朝着高速高频化、高耐热化、高导热化、高密度布线化及模块化等方向迅猛发展。作为高端PCB所采用的核心导电材料，高端铜箔亦伴随应用市场的持续拓展与升级，在品种的个性化及细分领域呈现出新的变化，性能不断优化提升，逐步向高端化迈进。一方面，Gemini、NVIDIA Rubin等AI模型和算力平台的迭代，拉动了对PCB性能的要求，作为CCL中价值量占比最高的核心材料，铜箔的价值量和技术迭代不言而喻。另一方面，电信号在CCL传输过程中会产生“趋肤效应”，随着信号频率的提升，电流会愈发集中于铜箔的表层区域进行传导，高频信号传输条件下的“趋肤效应”凸显了铜箔粗糙度对插损性能的关键影响，驱动高频PCB用铜箔向低轮廓方向持续演进。%%%%%%%%research.95579.com4HVLP铜箔：4代箔成为刚需，性能要求放大规模01图：用于高频通信基础设施的高阶AI铜箔的量产产品与开发阵容随着明年Rubin等新一代产品逐步上量，HVLP4铜箔有望迎来全面替代与加速渗透阶段，需求或将迎来爆发式增长，整体HVLP铜箔亦将进入快速升级周期。尽管机架数量、层数及电路板面积等关键变量的具体增长路径仍存在不确定性，但我们判断，随着机架数量的提升，PCB层数亦将同步增加。以交换机板为例，其层数预计将提升至当前水平的约1.4倍，进而显著拉动HVLP铜箔的需求。在持续强化表面平滑度的同时，相关企业亦正从铜箔厚度优化、化学处理工艺改进等方向推进技术研发。据日本三井金属相关资料显示，当前AI服务器机柜内的计算托盘与交换托盘，主要采用HVLP-3及HVLP-4级别铜箔，其中HVLP-4已经处于批量生产阶段，HVLP-5已经处于小批量试产阶段，而新一代HVLP铜箔正在开发中。中国台湾厂商台燿科技推出的M9系列产品TU-953Q，介质损耗Df低至0.00074，即采用HVLP4铜箔方案。未来随着GPU、ASIC架构新一代计算平台对M8.5及以上高端覆铜板的用量持续提升。资料来源：三井金属，长江证券研究所应用场景AI服务器交换机路由器传输损耗低高超高阶高阶铜箔类别产品类型截面/表面形貌新一代铜箔正在开发中开发中小批量试产阶段批量生产阶段%%%%%%%%research.95579.com5HVLP铜箔：AI建设需求旺盛，带动HVLP-4需求扩容01图：用于高频通信基础设施的高阶AI铜箔的量产产品与开发阵容HVLP-4铜箔依托于“薄、平、滑”的性能优势成为新一代AI芯片的必选材料。全球对于AI大模型的训练和推理的需求，算力追求呈指数级的增长，正持续推动上游材料体系加速升级。此外，全球的通信行业也在从5G向6G去过渡，6G频段将升至太赫兹级别，毫米波频段的扩展和massive MIMO技术的应用也对信号传输的损耗提出了更高的要求，因此HVLP铜箔将成为未来产业的关键材料。HVLP-4铜箔已逐步替代前代产品，成为高端高速材料的行业标杆，未来3-5年有望主导AI服务器、6G通信、智能驾驶等高端应用领域。AI巨头算力中心持续扩张、全球6G基础设施建设稳步推进、智能驾驶域控制器技术不断迭代，多重需求共振，将共同带动HVLP-4铜箔市场需求持续增长。整体来看，考虑到英伟达Rubin、谷歌V7/8、AWS T3均采用M8+材料体系（对应HVLP-4+）。因此随着明年Rubin等新品的起量，HVLP4铜箔有望进入全面替代、加速渗透的阶段，需求有望爆发，整个HVLP铜箔将进入快速升级期。资料来源：三井金属，长江证券研究所应用场景AI服务器交换机路由器传输损耗低高超高阶高阶铜箔类别产品类型截面/表面形貌新一代铜箔正在开发中开发中小批量试产阶段批量生产阶段%research.95579.com6转产周期长，工艺配方和生产良率系主要壁垒01图：电解铜箔的生产流程以及不同规格铜箔的转产示意图资料来源：嘉元科技招股书，长江证券研究所HVLP系高壁垒产品，生产约束和客户验证放大供给矛盾。生产HVLP铜箔的过程相较于常规标箔更为严苛精密，从源头毛箔开始便对其表面粗糙度有着极高标准。具体工艺流程涵盖了酸洗、粗化、固化、合金化、钝化及硅烷偶联化等一系列复杂步骤。其中，核心技术挑战主要包括：开发并制造低粗糙度毛箔原料、精确调控粗化和固化阶段铜瘤生长、优化合金化及钝化过程中的高温抗氧化性能，以及精准实施硅烷偶联剂涂覆技术。整体来看，HVLP-4的生产难度极高，核心在于添加剂配方、偶联剂涂覆和制程参数控制，同时掌握纳米级电镀等尖端工艺，核心后处理设备仍依赖于日本进口，导致know-how积累下很难短期实现突破。另外，HVLP-4铜箔具备极强的客户粘性，替换周期长，订单多以“锁量锁价”形式签订，利润确定性强，是高壁垒、高溢价的技术成长型赛道。溶铜工序生箔工序后处理工序分切工序锂电铜箔电子电路铜箔RTF铜箔HVLP铜箔反转粗化工艺极低轮廓工艺后处理后处理%%%%%%%%research.95579.com7日系把握高端产能，代际迭代引发产能缩水01图：三井金属的HVLP铜箔的产能规划目标（吨/月） 图：HVLP-4铜箔的供需缺口测算（吨/月）7%24%40%36%0%10%20%30%40%50%010002000300040002025E2026E2027E2028E三井金属古河电工福田金属卢森堡铜箔台湾金居缺口供给缺口2025年8月2025年11月台湾工厂生产能力马来工厂生产能力根据实际需求提升生产能力资料来