存储行业报告：AI推理需求重塑存储范式，国产存储迎产业升级期

请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容2026年06月24日存储行业报告行业研究 · 行业专题 电子 · 半导体投资评级：优于大市（维持）证券分析师：叶子证券分析师：胡慧证券分析师：张大为证券分析师：詹浏洋证券分析师：连欣然0755-81982153021-60871321021-61761072010-88005307010-88005482yezi3@guosen.com.cnhuhui2@guosen.com.cnzhangdawei1@guosen.com.cnzhanliuyang@guosen.com.cnlianxinran@guosen.com.cnS0980522100003S0980521080002S0980524100002S0980524060001S0980525080004证券研究报告 | AI推理需求重塑存储范式，国产存储迎产业升级期请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容AI推理需求重塑存储范式，国产存储迎产业升级期l供需共振，存储市场实现跨越式增长。自2024年生成式AI爆发以来，AI服务器对HBM（高带宽内存）、DDR5及高容量NAND的需求呈现指数级与结构性缺口。经历行业过往巨亏后，海外存储原厂自2023年起陆续减产，随着减产效应的深化以及AI推理需求的加速拉升，25年下半年全球存储行业进入供不应求的加速爆发期：根据IDC数据，全球DRAM营收在2025年突破1500亿美元后，预计26年市场有望增至5607亿美元以上，同比增长272%；NAND营收也有望从2025年的671亿美元增至2026年的2890亿美元，同比增长331%；预计2Q26后虽然环比增速有所放缓，但在AI应用持续深化与海外原厂保持谨慎扩产的双重共振下，存储价格有望维持高位。lAI需求重塑存储新范式，存储已不再是单纯的算力配套资源，而是成为了决定AI系统整体性能与上限的核心基础设施。服务器逐步超越手机成为存储需求最主要的市场，2026年服务器DRAM占比预计将超过50%，服务器NAND Bit需求预计大增超60%并首次成为最大应用；其次，为了打破AI海量数据与有限显存之间的“内存墙”，一方面企业级SSD加速对传统机械硬盘的加速替代，同时催生出高带宽闪存（HBF）充当GPU的“高速硬缓存层”；另一方面，DRAM技术中长期向3D DRAM架构演进以满足快速提升的存储需求。l国产存储迎产业升级期。海外巨头将资本开支与有限的晶圆产能全力向HBM、DDR5以及AI企业级SSD等高附加值领域倾斜，战略性退出传统存量市场，这为国产存储产业链打开导入“窗口期”。在2D NAND与传统DDR4利基市场，国产存储厂商有望填补需求缺口。此外，国内存储原厂与模组厂迎来“市占率提升与利润释放”的进阶期：1Q26长江存储在NAND全球市占率升至6.8%，长鑫存储在DRAM全球市占率升至7.5%；国内模组厂商则通过进入中高端手机、企业级等市场实现规模跃升，进入“规模增长-客户加速导入-产品结构升级”的正向循环。独立第三方主控芯片厂商有望随国产原厂与模组厂增长同步扩张。l投资建议：AI需求推升存储需求，海外原厂聚焦高附加值服务器产品，需求外溢及国产化需求打开国内企业级窗口及手机品牌渗透率提升机遇，随着产业链分工重构，国产存储厂商在上行周期中有望实现利润增长-客户加速导入-产品结构升级的正向循环。此外，随海外厂商退出，国产利基存储厂商有望填补2D NAND和利基DRAM等市场的需求红利。当前行业景气度持续，建议关注存储模组厂商德明利、江波龙、佰维存储；利基存储厂商兆易创新、普冉股份。请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容目录供需共振，存储景气度持续01AI推理需求重塑存储范式02国产存储迎产业升级期03请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容存储周期：供需共振，存储市场实现跨越式增长l自2024年生成式AI爆发，AI服务器对HBM（高带宽内存）、DDR5及高容量NAND的需求呈现指数级、结构性缺口。此外，经历行业亏损后23年存储原厂陆续减产带来存储供给端收缩，带来全球存储市场24年阶段性增长，随着进一步减产且AI需求加速拉升，25年下半年存储进入加速爆发期，打破了过去二十年的常规波动周期。根据IDC数据，DRAM营收在2025年突破1500亿美元后，预计2026年市场容量将增至5607亿美元以上，同比增长272%。NAND全球营收有望从25年的671亿美元增至26年的2890亿美元，同比增长331%。在供需共振的因素影响下，存储行业规模实现跨越式增长。图：存储市场规模资料来源：IDC，国信证券经济研究所整理-50%0%50%100%150%200%250%300%350%02004006008001000120020022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202520262027202820292030DRAM 市场规模 ($B)NAND 市场规模 ($B)YoY请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容存储价格持续上涨，景气度有望保持高位l当前存储行业正处于供不应求、价格持续上行的周期阶段，呈现“价格增速放缓但有望保持高位”的态势。根据IDC数据，NAND、DRAM的供给充足率自25年下半年开始进入负值区间即行业处于供不应求状态，其中，由于HBM对晶圆的高消耗及服务器对HBM/DDR5的需求指数级增加，使得DRAM的供需缺口持续拉大；NAND在AI推理需求推动下，预计有望保持供给紧张态势。在供需错配的背景下，存储价格3Q25以来加速拉升，1Q26 DRAM和NAND的价格环比增长87%和98%，预计2Q26后存储价格环比增速放缓，但整体价格水平有望维持高位，在AI深化与原厂谨慎扩产的背景下，预计存储仍将维持高景气度。图：DRAM价格及环比增速预期资料来源：IDC，国信证券经济研究所整理0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 1Q252Q253Q254Q251Q26 2Q26E 3Q26E 4Q26E 1Q27E 2Q27E 3Q27E 4Q27EDRAM ASP (US$)QoQ图：NAND价格及环比增速预期资料来源：IDC，国信证券经济研究所整理资料来源：IDC，国信证券经济研究所整理-20%0%20%40%60%80%100%120%0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 1Q252Q253Q254Q251Q262Q26E 3Q26E 4Q26E 1Q27E 2Q27E 3Q27E 4Q27ENAND PPGB ($/Gbyte)QoQ-15%-10%-5%0%5%10%1Q252Q253Q254Q251Q262Q263Q264Q261Q272Q273Q274Q27DRAM Sufficiency RatioNAND Sufficiency Ratio备注：Sufficiency Ratio=供应/需求-1；>0为供给充足，< 0