玻璃基封装行业专题：玻璃基板有望成为先进封装新平台

请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容2026年06月18日玻璃基封装行业专题玻璃基板有望成为先进封装新平台行业研究 · 行业专题 电子投资评级：优于大市（维持）证券分析师：叶子证券分析师：胡慧证券分析师：张大为证券分析师：詹浏洋证券分析师：连欣然0755-81982153021-60871321021-61761072010-88005307010-88005482yezi3@guosen.com.cnhuhui2@guosen.com.cnzhangdawei1@guosen.com.cnzhanliuyang@guosen.com.cnlianxinran@guosen.com.cnS0980522100003S0980521080002S0980524100002S0980524060001S0980525080004证券研究报告 | 2026年06月19日2026年06月21日请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容AI驱动下玻璃基板有望成为先进封装新平台l AI计算需求快速增长，推动芯片封装向更大面积，更高I/O密度、更多HBM集成和更低功耗方向持续优化。传统有机载板在大尺寸封装中面临翘曲、平整度、面积扩展等瓶颈，难以充分满足AI/HPC芯片演进需求。玻璃基板凭借低介电损耗、高平整度、与硅相近的热膨胀系数以及TGV高密度互连能力，有望成为先进封装中的重要解决方案。l头部厂商持续投入玻璃基板，表明其正成为先进封装升级的重要方向。先进封装龙头企业TSMC、Intel的封装技术持续升级。TSMC先进封装布局3D Fabric：CoWoS、InFO、SoIC，CoWoS是面向AI/HPC大芯片的封装技术，通过硅中介层、RDL中介层及LSI+RDL等路线提升封装面积、HBM集成数量以及互连能力，已在AI芯片中大量应用。Intel形成EMIB和Foveros两条路线，EMIB强调横向互连，Foveros侧重2.5D/3D堆叠。玻璃基方面，Intel已展示EMIB和玻璃基板结合的样品，采用10-2-10堆叠架构，显示其对下一代封装基板的前瞻布局。Absolics则将玻璃基板定位为面向AI、HPC和数据中心的下一代先进封装基板，布局CPU/GPU、Memory、MLCC等集成于玻璃基板。l企业正加快玻璃基封装技术布局。京东方较早启动玻璃基载板技术调研，并建设玻璃基/硅基兼容的晶圆级创新实验平台及板极玻璃基封装载板试验线，目标面向大尺寸算力芯片先进封装用玻璃基载板，目前已完成高层数玻璃基载板样品开发及送样。蓝思科技已发布TGV玻璃基板技术，并与海外客户开展玻璃芯板前、中段制程联合开发验证。深天马依托面板级扇出封装以及面板工艺积累推进玻璃基封装基板样品开发。沃格光电子公司湖北通格微覆盖玻璃基RF射频器件、光模块/CPO玻璃基封装载板、大算力芯片先进封装用全玻璃基载板，生物芯片应用玻璃基板或基础结构件等。玻璃基板制造涉及TGV、刻蚀、金属化、开孔、布线等精密加工环节，面板厂和玻璃加工厂商凭借多年大尺寸玻璃处理和良率管理经验，有望在玻璃基板产业化中具备技术优势。l风险提示：技术落地不及预期、先进封装产业化进度不及预期、下游需求不及预期、技术路线不确定性。请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容AI算力需求推动先进封装向大尺寸演进l当前先进封装主要依赖ABF/BT等有机载板、硅中介层。随着AI训练芯片和高性能计算芯片持续扩大封装尺寸、提升HBM堆叠数量和I/O密度，有机载板在大尺寸封装中的翘曲、平整度、线宽线距和信号完整性压力上升；硅中介层互连密度高，但面积受晶圆尺寸、成本和工艺复杂度约束。l封装尺寸扩大带来的问题：1）芯片在圆形晶圆上的面积利用率降低，推动面板级封装（PLP）诞生。面板级封装使用方形面板代替圆形晶圆，面积利用率提升至75%。图：圆形晶圆方形面板的面积利用率资料来源：Trendforce，国信证券经济研究所整理图：AI计算需求资料来源：艾邦半导体，中科算网，国信证券经济研究所整理请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容玻璃基板替代有机载板的优势l2）随着封装尺寸持续扩大，当前大尺寸封装采用的有机核心载板（通常是由树脂、玻璃玻纤布和铜箔层压制成的ABF材料），在回流焊加热过程中翘曲问题更加严重，导致整体良率降低。l玻璃材料在热学、电学等物理性能方面表现更佳，其具备与硅相近的热膨胀系数、低介电损耗、优良平整度和大尺寸面板级加工潜力，成为替代有机材料作为中介层或者基板的选择。有机载板玻璃芯基板CTE~7 ppm/℃3~9 ppm/℃Dielectric constant（Dk）3.7~4.7@10 GHz2.5~6@10 GHzDielectric Loss（Df）0.007~0.025@10 GHz0.0005~0.005@10 GHzThrough-Hole Density1x10x大尺寸导致有机载板翘曲问题玻璃替代有机载板芯层玻璃材料及有机材料对比图：玻璃基板与有机基板对比资料来源：Trendforce，国信证券经济研究所整理请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容玻璃基板封装三类应用形态l 玻璃基封装（Glass carriers/ Glass Core Substrate / Glass Interposer）指以玻璃作为核心载体或中介层材料，通过TGV（Through Glass Via，玻璃通孔）、RDL（Redistribution Layer，重布线层）、金属化、电镀、临时键合和面板级加工等工艺，实现芯片、HBM、I/O die和系统基板之间的高密度互连。其本质不是简单替代ABF载板，而是在AI/HPC大芯片、Chiplet、高速光电互连和面板级扇出封装等场景中，提供低翘曲、低损耗、大尺寸和高平整度的新型互连平台。l 从应用形态看，先进封装中的玻璃基板主要分为三类，1）作为封装有机载板替代/补充方案的玻璃芯基板，2）承担芯片间高密度互联功能的玻璃中介层，3）用于晶圆级或面板级制程的临时键合、搬运与支撑的玻璃载板。图：玻璃基板分类资料来源：SEMI，国信证券经济研究所整理请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容玻璃基封装核心工艺l主流玻璃基板制造工艺流程包括：玻璃通孔（TGV），聚合物覆膜、种子层溅射、电镀沉积，根据所需层数重复第2-4步可完成多层堆叠结构的制造。根据《玻璃基芯板制作流程概述》，玻璃芯基板的关键技术主要有：玻璃通孔（TGV）形成，玻璃表面及通孔内金属化、玻璃通孔填孔和玻璃表面线路。l玻璃通孔（TGV）是实现玻璃芯基板的电气互联的关键，TGV技术通过在玻璃基板中精确打孔提供高效垂直互连路径，提升芯片封装的集成度和性能。当前激光诱导后湿法刻蚀法成孔质量较高。l玻璃金属化在玻璃表面或内部通过物理或化学手段沉积金属种子层，确保玻璃表面及通孔具备导电性。l玻璃通孔填孔常用的是铜浆塞孔技术和电镀填孔技术。l玻璃表面线路部分沿用有机载板的相关技术，当前成熟的HDI和有机载板芯板图形技术有减成法和半加成法。图：玻璃芯基板工艺流程资料来源：TrendForce，国信证券经济研究所整理请务必阅读正文之后的免责声明及其项下所有内容AI及高性能计算推动先进载