计算机行业研究：电RAM与DRAM对比分析

敬请参阅最后一页特别声明 1 行业观点  电容是算力系统的"电 RAM"，这一比喻正在从叙事走向工程现实。我们在电容系列第一篇（5 月 16 日）即提出"电容是新的电 RAM"——HBM 是数据的缓冲、电容是能量的缓冲。电 RAM 与 DRAM 的相似之处主要有以下几点：存储系统的"DRAM 刷新—缓存层级—容量墙"，分别对应电容在 AI 供电系统中的"充放电响应—多级时间常数—容量配置"。二者在系统角色、层级结构、量价驱动上高度同构，并非只是修辞上的相似。算力越强，对"电能缓冲"的依赖越深，正如算力越强对"数据缓冲"的依赖越深——这是电容需求脱离"按 GPU 颗数线性外推"的根本原因。  电容体系是一张"按时间常数分层"的缓冲网络，每一类电容对应一个供电时间尺度。沿着从芯片到电网的方向，硅电容在封装内承担亚纳秒级瞬态去耦，MLCC 在板级承担纳秒级高频去耦，MLPC（多层聚合物电容）在板级承担微秒级中高频滤波与储能、并在高容值区间替代多颗 MLCC，牛角铝电解电容在电源模块承担微秒至毫秒级的稳压削峰，超级电容与锂离子电容在机柜侧承担毫秒至秒级的备电与功率缓冲，薄膜电容则在高压直流母线承担纹波吸收。这套"时间常数阶梯"与 DRAM/SRAM/寄存器的"访问延迟阶梯"在结构上高度对应：越靠近运算核心，响应越快、单位价值越高、技术壁垒越陡。这意味着 AI 供电升级不是某一类电容的单点放量，而是整张缓冲网络的同步加密。  市场对电容需求的认知，仍停留在"白区"，而真正的增量大量发生在"灰区"。过去多数测算只覆盖电源模块（PSU）内部、即靠近服务器与机柜的"白区"用量；但随着机柜功率向兆瓦级演进、供电架构走向 800V 高压直流（HVDC）与固态变压器（SST），从电网接入到机柜之间的多级降压、配电、电容箱、Power Rack 等"灰区"环节，同样需要大量电容承担稳压与缓冲。换言之，电容用量的扩张是系统级的，既在白区加密、也在灰区铺开。若仅按白区口径测算，对真实需求存在系统性低估——这正是我们持续强调"数量随功率增长、结构随电压架构迁移"的原因。  量随功率增长，价随结构升级，电容正进入"量价齐升"的兑现期。需求侧，GPU 出货保持高增长，单 GPU 功率与供电复杂度抬升带动单卡电容价值量提升，叠加冗余与结构系数，需求弹性显著高于 GPU 颗数增速；供给侧，高端铝箔、活性炭等关键材料受限，海外厂商扩产文化偏保守，国产高自供率、强工程能力的厂商获得份额与定价窗口。价格侧，传统铝电解电容下半年进入涨价通道，日系大厂已相继发函调涨，AI 高端新品则按"重定价"逻辑兑现更陡的价值量提升。 相关标的  1）电容：江海股份、东阳光、火炬电子、海星股份、祥和实业、万裕科技、元力股份、思源电气、艾华集团等。  2）MLCC：三环集团、风华高科、洁美科技、博纤新材、国瓷材料、火炬电子、力源信息、雅创电子、商络电子、利和兴、信维通信等。  3）SST：四方股份、金盘科技、阳光电源、可立克、京泉华等。  4）SST 需要用到的 SiC：天岳先进、晶升股份、宇晶股份、三安光电等。 风险提示  上游高端材料保供风险；客户验证与导入不及预期风险；产能指标与审批风险；价格回落风险；海外厂商扩产与同业竞争风险；需求测算偏乐观风险。 行业研究 敬请参阅最后一页特别声明 2 扫码获取更多服务 内容目录 一、电 RAM 不是比喻：电容与 DRAM 在系统角色上高度同构 ........................................ 4 1.1 同构一：DRAM 要"刷新"，电容要"充放电"，都是为运算提供即时缓冲 ......................... 4 1.2 同构二：DRAM 有"缓存层级"，电容有"时间常数阶梯"，越近核心越贵越快 ..................... 4 1.3 同构三：DRAM 有"容量墙"，电容有"功率墙"，需求都脱离线性外推 ........................... 4 二、按时间常数分层：六类电容各就各位，构成完整的"电能缓冲网络" ................................. 4 2.1 硅电容：封装内的亚纳秒级去耦，最靠近运算核心 .......................................... 4 2.2 MLCC：板级的纳秒级高频去耦，数量最庞大的一层 ......................................... 5 2.3 MLPC：板级微秒级中高频滤波与储能，高容值区间替代多颗 MLCC ........................... 5 2.4 牛角铝电解电容：电源模块的微秒至毫秒级稳压削峰，AI 电源高压化的直接受益者 .............. 5 2.5 超级电容与锂离子电容：机柜侧的毫秒至秒级备电与功率缓冲，从选配走向必配 ................ 6 2.6 薄膜电容：高压直流母线的纹波吸收，800V 架构下的承接环节 ............................... 7 三、白区与灰区：被市场忽视的系统级增量 ........................................................ 7 3.1 认知差的来源：多数测算只覆盖 PSU 内部 ................................................. 7 3.2 灰区在哪里：多级降压、配电、电容箱、Power Rack ....................................... 7 3.3 系统级扩张：白区加密 + 灰区铺开 ....................................................... 7 四、量价齐升的兑现逻辑：材料约束、扩产门槛与国产替代窗口 ...................................... 8 4.1 量：需求弹性显著高于 GPU 出货增速 ..................................................... 8 4.2 价：传统品步入涨价通道，AI 新品按"重定价"逻辑兑现 ...................................... 8 4.3 约束：高端材料是真瓶颈 ................................................................ 8 4.4 门槛：扩产是电耗能源、扩产决心、环保指标的综合门槛 .................................... 8 4.5 窗口：海外保守扩产，国产高自供率厂商抢占份额与定价权 .................................. 9 五、相关标的 .....................................................