电新行业铜箔专题：AI驱动高端电子铜箔量价齐升，锂电供需反转盈利拐点已现

AI驱动高端电子铜箔量价齐升，锂电供需反转盈利拐点已现——铜箔专题证券研究报告请务必阅读正文之后的免责声明部分电新首席证券分析师 ：曾朵红执业证书编号：S0600516080001联系邮箱：zengdh@dwzq.com.cn电动车首席证券分析师 ：阮巧燕执业证书编号：S0600517120002联系邮箱：ruanqy@dwzq.com.cn联系电话：021-601997932026年6月10日2摘要◆ AI铜箔：GPU平台迭代驱动铜箔代际跃升，且单台用量增加，海外产能紧缺，国产化加速。AI服务器从H100向GB200、Rubin升级，信号速率跃升，铜箔代际从RTF→HVLP1/2→HVLP3/4刚性迭代，PCB层数从20层升至40层+，单台高端铜箔用量从GB200的12kg增至GB300的30kg，Rubin系列若考虑使用LPU，用量或提升至100kg。我们测算2026年全球AI服务器高端铜箔需求2.4万吨，同比+260%，27年翻番至5万吨，30年需求达到11万吨+。当前，三井金属、卢森堡铜箔、中国台湾金居三家占全球高端有效供给80-90%，27年开始缺口扩大，国内德福、铜冠等厂商加速高端铜箔送样测试，26年有望开始批量出货，27-28年放量。同时，高端铜箔产能扩产核心瓶颈在于日本三船表面处理机，目前产能已被德福预定，订单排至28年，扩产有限，我们预计加工费有望持续上涨，当前HVLP3/4单吨利润达5-10万，载体铜箔盈利更高，厂商弹性大。◆ 锂电铜箔：储能爆发+海外放量+单车带电量上行三重驱动需求高增，但26-27年新增产能极少供给趋紧，加工费触底回升盈利逐季改善。我们预计2026年全球锂电需求35%左右增长，27年25%+增长，对应全球锂电铜箔需求分别为163/197万吨。供给端，锂电铜箔加工费下行周期持续4年，厂商扩产意愿低，26年全球锂电铜箔有效产能175万吨仅新增21万吨，27年198万吨新增23万吨，产能利用率26年为93%，27年提升至100%，供需格局持续收紧。盈利端，年初以来二线客户加工费已上调1500-2000元/吨， 26Q1嘉元、中一、铜冠、德福、诺德全面扭亏，单吨利润达到2-3k元，考虑1万吨capex投资4-5亿，厂商目标合理单吨利润8k，仍在与下游持续议价，我们预计27年单吨利润有望提升至6-8k。◆ 产业链：海外高端铜箔龙头扩产保守，订单外溢至中国；国内电子箔厂商加速认证，锂电厂商稳基本盘拓电子箔。 海外三井金属、古河电工、中国台湾金居垄断HVLP3+及载体铜箔，但扩产保守，27-28年高端铜箔供给缺口扩大，RTF及HVLP1-2订单率先外溢，HVLP3-4逐步突破。国内厂商有所分化，德福科技、铜冠铜箔侧重电子箔，德福RTF-3和HVLP1-3已批量供货，HVLP4及载体铜箔正在测试中，进展顺利，订单有望突破，26年底RTF及HVLP单月出货量有望达到2k吨；铜冠RTF及HVLP1-2代已大规模量产，RTF产销能力居内资首位，HVLP3-4已经通过部分客户测试，进度领先。嘉元科技、诺德股份、海亮股份、中一科技以锂电为主，并且加速高端电子箔验证，取得明显进展。◆ 投资建议：看好铜箔板块量利双升，建议增持铜箔板块，关注德福科技、嘉元科技、铜冠铜箔、中一科技、诺德股份、海亮股份、泰金新能、宝鼎科技等。 极薄化+高端化为趋势，行业产能利用率回升至满产，加工费触底回升，板块26年盈利弹性显著。◆ 风险提示：价格竞争超市场预期、原材料价格不稳定；需求不及预期；技术迭代风险3目录PART2 锂电铜箔供需格局反转，盈利逐季提升PART4 投资建议与风险提示PART3 相关公司梳理：双重拉动，业绩反转持续提升可期PART1 AI服务器带动高端铜箔量利双升，国产化加速PART1 AI服务器带动高端铜箔量利双升，国产化加速45数据来源：NVIDIA，ASUS，OCP，Altera，南亚新材，东吴证券研究所铜箔是PCB的核心材料，随AI服务器升级铜箔是AI算力硬件的"神经脉络"，贯穿服务器→PCB→CCL全产业链：◆ PCB：是AI服务器的物理骨架与信号高速公路。单机内含6-8块功能异构的PCB板，按价值量可分为三层：高速互联层（GPU加速卡、NVSwitch基板、网卡板，占单机PCB价值量70%+，层数24-32层，铜箔等级HVLP-3/4/5）、通用计算层（主板、背板，占20%，14-16层）、配电与辅助层（电源板等，占10%，8层以下）。随着GPU平台迭代，PCB的层数、面积、铜箔代际同步升级。◆ CCL（覆铜板）：是PCB的基材，占PCB成本的50-60%，由树脂（环氧树脂）+玻璃纤维布+铜箔压制而成。树脂提供绝缘和粘合，玻纤布提供机械强度，铜箔提供导电通路。◆ 铜箔：是CCL的核心导电层，占CCL成本约30%，直接决定信号传输质量。铜箔表面粗糙度（Rz）越小，高频信号损耗越低。铜箔有光面和毛面之分，光面用于精细线路蚀刻，毛面用于与树脂结合增强附着力。图：服务器的构成及pcb的应用图：PCB与CCL的构成关系6数据来源：三井金属，3DInCites，Solus，IPC，LOTTE，东吴证券研究所GPU升级驱动铜箔代际跃升：信号速率提升是核心驱动力◆ GPU平台迭代是铜箔代际升级的核心驱动力。英伟达芯片信号速率从A100的56G NRZ跃升至Rubin的448GPAM4，速率每翻一倍，对铜箔表面粗糙度的要求就降低一个数量级——从RTF的Rz 2-5μm，到HVLP-3的<1.5μm，再到HVLP-4的<1.0μm，直至HVLP-5的<0.5μm（行业基本HVLP1-2为一个代际，3-4为一个代际，5尚未使用）。◆ 核心原理在于趋肤效应的物理约束。高速信号在铜箔中传输时，电流并非均匀分布，而是集中在表面极薄的纳米级深度内。铜箔表面越粗糙，信号在凹凸处散射越严重，插入损耗和误码率随之指数级上升。当信号速率达到112G PAM4（H100平台），RTF铜箔的损耗已无法满足PCIe 6.0标准的信号完整性要求，HVLP铜箔成为刚性需求。同时，光模块向1.6T升级，带动载体铜箔需求。图：电子铜箔分类图：不同类型铜箔性能对比铜箔类型 Rz粗糙度铜厚信号速率 对应GPU 服务器应用光模块应用HTE5-10μm35μm<25G通用CPU 普通主板—RTF-1/23-5μm18-35μm 25-56GA100/V100传统服务器—RTF-32-3μm12-18μm 56-100G ConnectX-7网卡板—HVLP-1/21.5-2.5μm12-18μm 56-100G ConnectX-7网卡板—HVLP-31-1.5μm 12-18μm100-112GH100/H200GPU加速卡800G光模块HVLP-40.5-1μm6-9μm200GGB200/B200NVSwitch基板1.6T光模块HVLP-5<0.5μm3-6μm448G+RubinGPU加速卡3.2T/CPO载体铜箔 <<0.5μm3-5μmmSAPRubin UltraIC载板CPO光引擎7数据来源：Trendforce，三井金属，方邦股份，国家知识产权局，Rogers，东吴证券研究所载体铜箔：技术壁垒最高，AI光