计算机行业研究：电容为什么叫电RAM

敬请参阅最后一页特别声明 1 行业观点  功耗爆发叠加脉冲负载，电容成为算力的“能量缓冲”。AI 服务器单卡功耗从 GB200 的约 1200W 抬升至 GB300的约 1400W，整机柜满载功耗从风冷 H100 的约 40kW 跃迁至 GB300 NVL72 的 132-140kW、Rubin Ultra Kyber机架的约 600kW 量级。与 CPU 时代的稳态用电不同，数千颗 GPU 在锁步协同下执行相同计算，功率在微秒至亚毫秒级阶跃式突变，而传统 UPS 切换响应在毫秒级，两者存在两到三个数量级的错配。要在 GPU 瞬时拉满功率时供得上电，必须依靠从纳秒到秒级的多级电力缓存逐级接力——这正是电容被称为“电 RAM”的物理本源：HBM 是算力的数据缓冲，电容是算力的能量缓冲。  四类电容在多级缓存中各司其职，电源高压化带来配比跃升。贴近 GPU/CPU 的 MLCC 与 MLPC 承担纳秒级电压滤波；PSU 电源侧的牛角型铝电解电容承担中间级滤波，伴随单模块功率从约 5.5kW 向 18.5kW 升级、供电向 800V 直流演进，单机铝电解电容配比同步抬升；机柜电源架的超级电容承担毫秒至秒级储能调峰。据村田制作所披露，GB300 单台 AI 服务器搭载约 3 万颗 MLCC、单一 AI 机柜消耗高达 44 万颗；据 TrendForce 数据，VR200 单机柜 MLCC 用量约 60 万颗，较 GB300 高出 30%以上。四类电容功能互补、并存放量，并非替代关系。  AI 需求爆发驱动电容全面通胀，复制存储量价齐升路径。据村田制作所预估，AI 服务器用 MLCC 需求将以年均约 30%的速度扩大，2030 年较 2025 年增加约 3.3 倍；据 Mordor Intelligence，全球 MLCC 市场规模将从 2025年的 272.5 亿美元增长至 2030 年的 611.2 亿美元。需求暴增叠加日韩高端产能向 AI 倾斜挤占消费级供给，被动元件已进入全品类、多轮次涨价周期——AI 服务器专用 MLCC 调价幅度达 30%-35%，高端现货价上涨 15%-35%，交期由 8 周拉长至 16-24 周。电容环节正沿“需求暴增→产能转向高端→中低端供给紧缩→价格反向传导”复制存储的量价齐升。  材料-工艺-成品全链条卡位，电容主场在中国。MLCC 高端市场约 77%由村田、三星电机、太阳诱电等日韩厂商占据，国内厂商承接海外溢出、并因日韩产能挤占消费级而受益于消费级 MLCC 涨价；铝电解电容、超级电容、MLPC 三个细分赛道，中国厂商已具备从电极箔到成品的全产业链能力。电极箔在铝电解电容成本中占比超 70%，中国厂商在腐蚀箔、化成箔、积层箔三个细分均具备核心竞争力——积层箔比容较传统化成箔高 20%-40%、相同容量下体积缩小约 20%，东阳光与日本东洋铝业合作掌握全球独家专利。电容主场在中国，具备更强的产业纵深。 相关标的  1）电容：江海股份、东阳光、海星股份、思源电气、艾华集团、万裕科技等。  2）MLCC：三环集团、风华高科、火炬电子、洁美科技、博纤新材、商络电子、信维通信等。  3）SST：四方股份、金盘科技、阳光电源、京泉华、可立克等。  4）SST 需要用到的 SiC：天岳先进、晶升股份、宇晶股份、三安光电等。 风险提示  AI 资本开支不及预期的风险；AI 服务器代际推进不及预期的风险；800V HVDC 与 SST 渗透不及预期的风险；海外大客户认证进度不及预期的风险。 行业周报 敬请参阅最后一页特别声明 2 扫码获取更多服务 内容目录 一、为什么叫“电 RAM”：功耗爆发叠加脉冲负载，逼出电的多级缓存 .................................. 3 1.1 单卡与整机柜功耗同步跃迁，AI 供电系统面临极限挑战 ...................................... 3 1.2 GPU 阶跃式脉冲负载与传统稳态供电错配，催生多级缓存需求 ................................ 3 1.3 多级电力缓存与多级存储高度对称，电容卡位“电 RAM” ...................................... 3 二、多级缓存结构：四类电容在不同环节各司其职 .................................................. 4 2.1 从芯片到机柜的四级电力缓存，响应速度逐级递减、缓冲时间逐级递增 ........................ 4 2.2 MLCC 与 MLPC 贴近 GPU 承担纳秒级滤波，用量随 GPU 数量指数放大 ....................... 4 2.3 PSU 电源高压化推升牛角电解电容配比，单模块功率向 18.5kW 升级 .......................... 4 2.4 超级电容部署机柜电源架承担秒级调峰，从选配走向标配 .................................... 5 三、需求爆发驱动电容全面通胀：AI 电容市场快速膨胀 .............................................. 6 3.1 AI 需求爆发推动电容用量呈数量级膨胀 .................................................... 6 3.2 供需剪刀差形成，被动元件进入全品类涨价周期 ............................................ 6 3.3 电容复制存储量价齐升路径，全面通胀逻辑加速兑现 ........................................ 6 四、分环节竞争格局与中国卡位 .................................................................. 6 4.1 MLCC：日韩主导高端、国产承接溢出，消费级同步受益于产能挤占 ........................... 6 4.2 铝电解电容：电极箔国产卡位深厚，积层箔对化成箔形成代际接力 ............................ 7 4.3 超级电容：LIC 与 EDLC 双路径并行，下游需求各有承接 .................................... 7 五、相关标的 .................................................................................. 8 六、风险提示 .................................................................................. 8 图表目录 图表 1： NVIDA AI 服务器 GPU 单卡功耗代际跃迁 ............