电子行业：继续把握存储产业链高确定性成长机遇

有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 电子行业 ⚫ 事件：长鑫科技 IPO 更新财报，26Q1 实现营收 508 亿元，实现净利润 330 亿元，扣非归母净利润 263 亿元。据我们测算，26Q1 长鑫科技营收环比增速达 71%。公司指引 26H1 实现营收 1100-1200 亿元，实现净利润 660-750 亿元，实现扣非归母净利润 520-580 亿元。 ⚫ 存储供需紧张持续，厂商业绩继续强劲成长。部分投资者担忧消费电子需求可能承压，影响存储需求及未来价格涨幅。但我们认为 AI 存储需求强劲，存储价格有望继续保持强劲表现。供给方面，存储原厂优先分配位元产出至服务器相关存储产品，有望推动消费电子存储领域同样保持供给紧张态势。根据 TrendForce，2026 年第二季 Mobile DRAM 合约价持续大幅上扬，第二季 LPDDR4X 平均销售单价（ASP）将至少季增 70%–75%，LPDDR5X 则季增 78%–83%。价格强劲上涨有望继续带动存储厂商的业绩高成长。铠侠预计 FY26Q1（4-6 月）营收及利润都将实现显著环比增长，其中预计营业收入将达 17500 亿日元，环比增长 74.5%；Non-GAAP 营业利润将达 13000 亿日元，营业利润率将超 74%，Non-GAAP 净利润预计 8700 亿日元，净利润率接近 50%。 ⚫ 存储相关配套芯片有望充分受益存储整体量的成长及迭代升级。此前市场更多关注直接受益存储价格上涨的存储芯片厂商，忽略了存储相关配套芯片厂商的成长性。我们认为，存储相关配套芯片有望充分受益存储整体量的成长及迭代升级。相关领域的国内企业持续布局新产品，推动自身成长。在内存模组相关领域，CPU 在 AI 服务器用量增加将推动内存模组需求增长，内存接口芯片、SPD 等芯片有望深度受益于内存模组数量提高；MRCD/MDB 等芯片还有望深度受益于 MRDIMM 等高性能内存模组标准的渗透率提升；此外 VPD 也有望受益于 CXL 内存模组的起量。在固态硬盘领域，VPD 有望受益于新一代 EDSFF eSSD 模组的推出；SSD 主控芯片有望受益于企业级固态硬盘的量提升以及迭代升级。目前部分国内企业已经在存储相关配套芯片领域获得较强的市场竞争力，有望深度受益。 ⚫ 利基存储产能有望持续受到主流存储的挤压。海外原厂持续退出 MLC/SLC NAND等利基存储产能。三星电子已从 26 年 3 月起逐步停止其位于韩国华城 12 号产线的 2D NAND 生产；铠侠也在 26 年 3 月正式通知客户逐步退出 2D NAND 市场。在海外原厂退出产能下，据全球半导体观察公众号，近期 64Gb MLC NAND 现货价较 2025 年底水平暴涨超 300%，近期交易价达到 20 至 28 美元区间。展望未来，利基存储产能有望持续受到主流存储的挤压。 ⚫ 建议继续把握存储产业链高确定性成长机遇。相关标的：国内存储芯片设计厂商兆易创新、普冉股份、聚辰股份、东芯股份、北京君正等；受益存储技术迭代的澜起科技、联芸科技、翱捷科技等；国产存储模组厂商江波龙、德明利、佰维存储、大普微-UW 等；半导体设备企业中微公司、精智达、京仪装备、微导纳米、拓荆科技、北方华创等；国内封测企业深科技、汇成股份、通富微电等；配套逻辑芯片厂商晶合集成等。 风险提示 AI 落地不及预期，技术迭代速度不及预期，国产化进展不及预期 投资建议与投资标的 核心观点 国家/地区 中国 行业 电子行业 报告发布日期 2026 年 05 月 19 日 蒯剑 执业证书编号：S0860514050005 香港证监会牌照：BPT856 kuaijian@orientsec.com.cn 021-63326320 薛宏伟 执业证书编号：S0860524110001 xuehongwei@orientsec.com.cn 021-63326320 李晋杰 执业证书编号：S0860125070012 lijinjie@orientsec.com.cn 021-63326320 SPD 深度受益内存模组量扩张，VPD 在下一代 eSSD 打开空间 2026-05-13 存内计算从底层解决内存墙瓶颈，产业逐步推进 2026-04-27 AI 存储需求强劲，关注 CXL 内存池方案进展 2026-04-14 CXL 方案优化 AI 存储架构，头部厂商有望加速应用 2026-03-17 继续把握存储产业链高确定性成长机遇 看好（维持） 电子行业动态跟踪 —— 继续把握存储产业链高确定性成长机遇 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 2 投资建议：继续把握存储产业链高确定性成长机遇 建议继续把握存储产业链高确定性成长机遇。相关标的：国内存储芯片设计厂商兆易创新(603986，买入)、普冉股份(688766，未评级)、聚辰股份(688123，未评级)、东芯股份(688110，未评级)、北京君正(300223，买入)等；受益存储技术迭代的澜起科技(688008，买入)、联芸科技(688449，未评级)、翱捷科技-U(688220，未评级)等；国产存储模组厂商江波龙(301308，未评级)、德明利(001309，未评级)、佰维存储(688525，未评级)、大普微-UW(301666，未评级)等；半导体设备企业中微公司(688012，买入)、精智达(688627，未评级)、京仪装备(688652，未评级)、微导纳米(688147，未评级)、拓荆科技(688072，买入)、北方华创(002371，买入)等；国内封测企业深科技(000021，未评级)、汇成股份(688403，未评级)、通富微电(002156，买入)等；配套逻辑芯片厂商晶合集成(688249，买入)等。 风险提示 AI 落地不及预期：若 AI 落地不及预期，可能导致存储芯片下游需求增长不及预期。 技术迭代速度不及预期：若 DRAM 性能优化及存算架构互联等技术迭代速度不及预期，可能影响存储芯片下游需求。 国产化进展不及预期：若国产厂商在存储技术突破等方面进展不及预期，可能导致国产化进程不及预期。 依据《 发 布证 券 研究 报 告暂 行 规定 》 以下条款： 发 布 对具 体 股票 作 出明 确 估值 和 投资 评 级的 证 券研 究 报 电子行业动态跟踪 —— 继续把握存储产业链高确定性成长机遇 有关分析师的申明，见本报告最后部分。其他重要信息披露见分析师申明之后部分，或请与您的投资代表联系。并请阅读本证券研究报告最后一页的免责申明。 3 Tabl e_Disclai mer 分析师申明 每位负责撰写本研究报告全部或部分内容的研究分析师在此作以下声明： 分析师在本报告中对所提及的证券或发行人发表的任何建议和观点均准确地反映了其个人对该证券或发行人的看法和判断；分析