存储行业：周期上行与国产化双重大机遇

分析师马天翼登记编号：S1220525040003王海维登记编号：S1220525040004金晶登记编号：S1220525050002存储行业：周期上行与国产化双重大机遇科 技 电 子 团 队 • 行 业 深 度 报 告证券研究报告 | 电子 | 2025年05月13日核心观点存储行业拐点已至，全面迎来上涨周期：1）现货价格止跌回升，Q2迎来全面上行。 DRAM & NAND价格指数自2023年9月触底后进入上行通道，受到下游需求不振、旺季不旺影响，指数于2024年4月下旬开始震荡下行，2024年第四季度以来海外大厂陆续减产控产，于25年3月中旬开始触底反弹。2）海外大厂持续减产，多厂商宣布涨价。自24Q4以来，海外大厂陆续宣布减产，控产叠加下游需求复苏，进入25年3月以来，多家厂商宣布Q2涨价。3月6日，NAND原厂Sandisk（闪迪）向客户发送涨价函将于今年4月1日开始涨价超10%，该举措适用于所有面向渠道和消费类产品，此外将继续进行频繁的定价审查，预计在接下来的季度有额外的涨幅。3月14日，根据渠道反馈，长江存储零售品牌致态也将于4月起面向渠道上调提货价格，幅度或将超过10%。3月25日，美光正式发布涨价函，提出在多领域有超预期增长，存储市场有望在2025、2026年保持持续增长。其余厂商如三星电子、SK海力士等NAND厂商均将从4月起提高报价。3）国内存储厂商有望迎来营收、业绩快速提升： IC设计公司主要在利基市场，受AI需求爆发叠加海外大厂退出双重利好，营收、业绩稳步增长。模组厂收入规模快速增长：德明利由23年的18亿元增长250%至24年的48亿元，佰维存储营收规模近翻倍，江波龙24年相较于23年收入增长75%；业绩稳步提升：受到存储周期影响模组厂23年业绩大多为负，24年伴随周期上行叠加国产化机遇，在研发高投入的情况下，24年模组厂业绩迎来逆转向好。我们认为国内模组厂刚刚登上历史舞台，在存储国产化大机遇下，叠加下游AI催化等带来的周期上行，未来仍大有可为！受益AI+全面爆发，看好国产化主线：从下游应用来看，手机、服务器、PC合计在DRAM和NAND占比近80%。AI+浪潮下，AIphone、AI PC等端侧及服务器的需求有望拉动存储芯片景气度。25年2月，三星电子宣布与中国存储芯片厂商长江存储签署了专利许可协议，将从后者获得3D NAND“混合键合”专利，进一步标志着国产存储在世界存储市场的崛起。目前国产 DRAM 和 NAND Flash 芯片市场份额低于 5%，国产存储大有可为。1）服务器：阿里财报显示24Q4资本开支317亿元，环比大增80%，未来三年阿里将投入超过3800亿元，用于建设云和AI硬件基础设施，总额超过去十年总和；FY24Q4腾讯资本开支为366亿元，同比+386%，环比+144%，24全年资本开支768亿元，同比+221%。国内云商资本开支大增，充分利好服务器-存储器产业链；2）AI端侧：端侧AI智能化对存储小型化、高性能以及低功耗提出了极高的要求。其中高性能指的是高带宽及读写速度，AI端侧存储需在短时间内完成大量数据的读写操作；低功耗与小型化指的是在满足高性能的前提下尽可能地降低功耗、节省空间。3）新型存储：除HBM外，HBF、CXL等新型存储产品技术有望实现从云端到边缘的算力重构。2核心观点➢ 投资建议：通过对产业链主要企业减产动作、库存及价格逐渐见底等观测，我们认为当前存储行业已来到拐点，有望迎来上行周期，叠加下游需求复苏及AI持续赋能，我们在当前时点看好存储产业尤其是国产化进程加速，建议重点关注企业级存储相关厂商及端侧AI拉动存储需求：1）存储模组:德明利、香农芯创、佰维存储、联芸科技、江波龙、朗科科技等；2）端侧AI存储：兆易创新、北京君正、佰维存储、普冉股份、东芯股份、恒烁股份等；3）存储接口芯片：澜起科技、聚辰股份等。➢ 风险提示： AI 技术进展不及预期风险，下游需求复苏不及预期风险，存储周期上行持续性不及预期风险。341.供给：拐点已至，存储迎来上行周期1.1.现货价格止跌回升，Q2迎来全面上行5➢ 存储价格指数触底反弹DRAM & NAND价格指数自2023年9月触底后进入上行通道，受到下游需求不振、旺季不旺影响，指数于2024年4月下旬开始震荡下行，2024年第四季度以来海外大厂陆续减产控产，于25年3月中旬开始触底反弹。图：DRAM&NAND价格指数资料来源：iFind，方正证券研究所020040060080010001200140016002021-06-15 2021-09-07 2021-12-07 2022-03-08 2022-05-31 2022-08-23 2022-11-22 2023-02-21 2023-05-16 2023-08-08 2023-11-07 2024-01-30 2024-04-30 2024-07-23 2024-10-22 2025-01-14 2025-04-22DRAM指数NAND指数1.1.现货价格止跌回升，Q2迎来全面上行6➢ NAND价格走势：1）Wafer端：进入2月以来，NAND Wafer价格触底开始反弹，以TLC 512Gb为例，2月10日价格到达2.40美元触底后开始反弹，截至4月28日到达2.75美元，相较于底部涨幅14.5%。2）现货LASH颗粒：25年2月触底，开启上行趋势。以Flash: MLC 256Gb 32GBx8为例，2月17日价格到达9.8美元后开始反弹，截至5月5日到达10.52美元，相较于底部涨幅7%。图：NAND Wafer价格走势资料来源： iFind，方正证券研究所0.001.002.003.004.005.006.007.008.00现货平均价:Wafer:128Gb TLC现货平均价:Wafer:256Gb TLC现货平均价:Wafer:512Gb TLC现货平均价:Wafer:1Tb图：现货FLASH颗粒价格走势024681012142022-12-052023-03-152023-06-232023-10-012024-01-092024-04-182024-07-272024-11-042025-02-122025-05-232025-08-31现货平均价:Flash:MLC 32Gb 4GBx8现货平均价:Flash:MLC 64Gb 8GBx8现货平均价:Flash:MLC 256Gb 32GBx81.1.现货价格止跌回升，Q2迎来全面上行7➢ NAND价格走势：3）模组端：SSD和eMMC等25年3月触底，开启上行趋势。◆ SSD模组：3月中下旬触底，以SSD/256GB/SATA3行业市场价为例，3月17日价格到达15美元，截至5月6日，价格到达17美元，涨幅13.3%。◆ 嵌入式模组：3月中下旬触底，以eMMC/128GB/5.1市场价为例， 3月11日价格到达6.4美元，截至5月6日，价格到达6.8美元，涨幅6.25%。图：SSD模组价格走势资料来源： iFind，方正证券研究所图：嵌入式模组051015202530352023-03-072023-05-302023-08-252023-11-242024-02-