存储芯片，不能输掉的战争

存储芯片，不能输掉的战争 2024-10-15 请务必阅读正文之后的免责声明 1 / 7 存储芯片，不能输掉的战争 原创 来觅研究院 RimeData 来觅数据 撰稿 李沛瑶 2024-10-15 导读：2024 年 9 月 30 日，上交所官网显示武汉新芯集成电路科创板 IPO 申请获上交所受理。这是“科八条”后第二家获得受理的科创板 IPO 项目，也是沪市今年以来第二家获得受理的 IPO 项目。武汉新芯此前被紫光集团收购，后成为长江存储子公司，此次拆分上市意义重大。国内存储芯片突围战到了什么阶段？相关产业链公司投融市场表现如何？本文尝试分析和探讨。 综述 存储芯片也称存储器，是一种常见的集成电路，用于在电子设备中存储和检索数据根据其工作原理和用途的不同，可以分为几种类型：随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）、闪存（Flash Memory）等。 我们通常讲的内存，其实包含存储芯片不同的规格，以普通手机为例，16GB+256GB 的内存规格中蕴含了两种不同的存储芯片，其中 16GB 指 RAM，主要用于传输和读取信息；而 256GB 则指 Flash，主要用于存储信息。当然，手机里也包括 ROM，一般用于存储固定系统代码，一旦写入不可更改。电子产品通常会使用多种存储芯片，以满足消费者不同的场景需求。 存储芯片，不能输掉的战争 2024-10-15 请务必阅读正文之后的免责声明 2 / 7 图表 1：存储芯片的分类 资料来源：公开资料，来觅数据整理 日常使用的存储芯片主要包括 DRAM、NAND Flash、NOR Flash，三者市场份额约为 57%、40%、2%，由于存储原理与成本不同，不同存储芯片的使用范围亦存在差别。从产业进度看，DRAM 技术更新最快，制程最为领先，主要是向传输高速、低功耗演进；NAND Flash 技术进步方向主要是高密度存储和 3D 堆叠；NOR Flash 制程进步不大，主要朝着大容量进步。 图表 2：不同存储芯片对比 DRAM NAND Flash NOR Flash 当前制程 12/14nm 16/15nm 55/45nm 读取速度 极快 低速 高速 写入速度 极快 高速 低速 寿命 理论无限，一般为 5 年 百万次 十万次 技术进步方向 传输高速、低功耗、HBM 高密度存储、3D 堆叠 大容量 主要种类 LPDDR、DDR、GDDR SLC、MLC、TLC、QLC SPI、CFI 终端应用 智能手机、服务器 SSD、eMMC/EMCP、U 盘 智能穿戴、汽车电子 容量 低（MB/GB） 高（GB/TB） 中（MB/GB） 资料来源：公开资料，来觅数据整理 存储芯片，不能输掉的战争 2024-10-15 请务必阅读正文之后的免责声明 3 / 7 存储芯片的发展对于提高电子设备的性能和存储容量至关重要。随着技术的进步，存储芯片的容量和速度不断提高，同时成本也在降低，这使得它们在个人电脑、服务器、移动设备和其他电子设备中得到了广泛应用。以中国为例，智能手机在存储芯片下游应用占比约 44.8%，PC 占比约 13.1%，服务器占比约12.4%，其他行业占比约 29.8%。 存储芯片市场空间巨大，目前市场规模占据整个半导体市场的 27%，目前整体市场规模超 1500 亿美元，预计未来将持续增长至整个半导体市场的 50%。存储芯片在半导体行业内具有独特地位，众所周知，半导体下游细分市场广阔，经常需要针对下游来配置不同需求的芯片，但存储芯片规格变化不大，功能又不可或缺，通常被视为半导体行业的大宗商品，一定程度上能够预示电子行业的景气程度。 由于存储芯片的特性，行业自动向资本密集型、技术密集型发展，IDM 模式成为行业主流。又由于资本开支巨大，通常出现以国别为形式的垄断公司，例如美国美光、韩国三星、SK 海力士、以及日本东芝等。存储的产业转移通常代表了电子工业的发展水平，因此存储的竞争通常也被称为“国运之战”。2023 年DRAM 市场上，三星和 SK 海力士合计共占据约 67%的市场份额，美光占比 28.5%，剩下不到 10%的市场份额由南亚、华邦等厂商占据。在 2023 年的 NAND Flash 市场中，三星和 SK 海力士共占据 49.5%的市场份额，铠侠占比 21.6%，美光占比 10.3%。 图表 3：2023 年 DRAM 和 NAND Flash 市场占比 资料来源：公开资料，来觅数据整理 在存储芯片领域，中国厂商今年来也迅速崛起，在全球竞争格局中占据一席之地。长江存储（YMTC）、存储芯片，不能输掉的战争 2024-10-15 请务必阅读正文之后的免责声明 4 / 7 合肥长鑫（CXMT）等企业正奋起直追，通过巨额投资和技术创新，正逐步缩小与国际巨头的差距。来觅研究院预计，2024 年长江存储全球市场占比约 8%，合肥长鑫全球市场占比约 10%，与海外龙头仍然存在差距。国内企业正加大对技术研发的投入，特别是在高密度存储技术、低功耗技术以及存算一体融合上，取得了重要进展。 从技术水平上来讲，国内厂商与海外厂商有何区别？长江存储技术实力领先。NAND Flash 制程极限为10-12nm，主要技术为 3D 堆叠，堆叠层数是衡量技术标准。长江存储采用独特的 Xstacking 技术，已实现最高 232 层堆叠，与海外龙头技术实力相当，并在小米、传音等国产供应链中得到了大批量的验证使用。不过，存储市场技术迭代飞速，目前 SK 海力士已完成 128 层 4D NAND 芯片验证，准备投入商业化生产中。 DRAM 的技术进步体现在制程进步，目前美光已率先量产 1α工艺（12-10nm），SK 海力士、三星均处于同步水平。而合肥长鑫目前工艺大致在 17