电子行业周报：联发科天玑9400横空出世，AMD最强AI芯片闪耀登场

S 2024 年 10 月 13 日 联发科天玑 9400 横空出世，AMD 最强 AI 芯片闪耀登场 —电子行业周报 推荐(维持) 投资要点 分析师：毛正 S1050521120001 maozheng@cfsc.com.cn 分析师：吕卓阳 S1050523060001 lvzy@cfsc.com.cn 行业相对表现 表现 1M 3M 12M 电子(申万) 27.6 10.8 3.4 沪深 300 22.5 11.9 5.0 市场表现 资料来源：Wind，华鑫证券研究 相关研究 1、《电子行业周报：纯血鸿蒙即将公测，特斯拉即将发布 Robotaxi》2024-09-30 2、《电子行业周报：华为有望推出鸿蒙版 PC，高通向英特尔发出收购要约》2024-09-23 3、《电子行业周报：苹果 iPhone16和华为三折叠手机发布，上海微电子极紫外相关专利公布》2024-09- 17 ▌ 上周回顾 10 月 08 日-10 月 11 日当周，申万一级行业均处于下跌态势。其中电子行业下跌 11.65%，位列第 22 位。估值前三的行 业 为 计 算 机 、 国 防 军 工 、 综 合 ， 电 子 行 业 市 盈 率 为49.76。 电子行业细分板块比较，10 月 08 日-10 月 11 日当周，电子行业细分板块均处于下跌态势。其中，分立器件、数字芯片设计、集成电路封测跌幅最小。估值方面，半导体材料、数字芯片设计、模拟芯片设计估值水平位列前三，分立器件、LED 估值排名本周第四、五位。 ▌ 采用台积电第二代 3nm 工艺打造的联发科天玑9400 旗舰芯片横空出世 联发科近日推出新一代高智能、高性能、高能效、低能耗的旗舰 5G 智能体 AI 芯片天玑 9400。天玑 9400 采用台积电第二代 3nm 工艺打造，拥有 291 亿晶体管，较前一代增加28%，但功耗却同比大降 40%。根据 IDC 预测，预计 2024 年全球生成式人工智能手机出货量将同比增长 363.6%，达到 2.342 亿部，出货总量占 2024 年整个智能手机市场的 19%，预计 AI 手机的出货量将在 2028 年达到 9.12 亿部，2024-2028 年的复合年增长率(CAGR)为 78.4%。NPU 方面，天玑9400 集成了性能更强、能效更高的第八代 AI 处理器 NPU 890，其端侧多模态 AI 运算性能高达 50 Tokens/s。与天玑9300 相比，其大语言模型（LLM）的提示词处理性能实现了80%的提升，Stable Diffusion 的执行性能提升了 2 倍，AI模型文本长度提升达 8 倍，但功耗同比大幅下降了 35%。其率先支持时域张量（Temporat Tensor）硬件指令加速、率先支持端侧高画质高画质 DiT（Diffusion Transformer）技术、率先支持端侧混合专家（MoE）模型。CPU 方面，联发科在天玑 9400 上采用了 1 个 Cortex-X925（3.62GHz）超大核、3 个 Cortex-X4（3.3GHz）超大核和 4 个 Cortex-A720 （2.4GHz）大核的新一代“全大核”设计。在 5G 性能方面，其新一代 3GPP R17 5G 调制解调器，支持四载波聚合（4CC-CA），Sub-6GHz 网络下行传输速率可达 7Gbps，支持 5G/4G -40-30-20-1001020(%)电子沪深300证券研究报告 行业研究 证券研究报告 请阅读最后一页重要免责声明 2 诚信、专业、稳健、高效 多制式双卡双通。能把 16 种场景辨别准确率提升 99.5%，还可以将功耗降低 18%的同时，将网速提升 30%。 我们认为，AI 手机元年已经开启，伴随手机 SOC 和存储的进一步升级迭代，AI 手机端侧功能将进一步丰富，早期端侧模型能力可能覆盖场景有限，但随着核心硬件和端侧模型参数的提升，用户或将快速改变与终端的交互模式，AI 时代终将全面开启。 ▌ AMD 最强大模型芯片面世，谷歌、OpenAI、微软、Meta 等核心生态伙伴现场支持 AMD 旗舰 AI 芯片 AMD Instinct MI325X GPU 首次启用 HBM3E高带宽内存，AI 峰值算力达到 21PFLOPS，并与去年发布的、同样采用 HBM3E 的英伟达 H200 GPU 用数据掰手腕：内存容量是 H200 的 1.8 倍，内存带宽、FP16 和 FP8 峰值理论算力都是 H200 的 1.3 倍。与 NVIDIA H200 HGX 相比，新平台在内存容量（1.8 倍）、内存带宽（1.3 倍）和 FP16 和 FP8 Flops（1.3 倍）上的表现都领先于前者，单 GPU 还是在 8 GPU 的Meta Llama-2 训练场景，AMD Instinct MI325X 平台的表现都不逊色于前者。在架构表现大幅提升的同时，新一代的Instinct GPU 还使用了先进的 3nm 工艺技术构建，搭载高达288 GB 的 HBM3E 内存，并支持 FP4 和 FP6 AI 数据类型，进一步提升了整体的性能表现。AMD 还披露了最新的 AI 芯片路线图，采用 CDNA 4 架构的 MI350 系列明年上市，其中MI355X 的 AI 峰值算力达到 74PFLOPS，MI400 系列将采用更先进的 CDNA 架构。 ▌ 台积电 2nm 即将公布，因特尔、三星加入 2nm 技术竞赛 在今年 12 月于旧金山举行的国际电子设备会议 (IEDM) 上，英特尔试图展示重回芯片制造和代工领域的前沿。台积电的研究人员表示，公司将在本届的 IEDM 公布专为 AI、移动和高性能计算而设计的 N2 制造工艺，在 IEDM 会议上，台积电的研究人员预计将报告称，与 2022 年推出的 N3（标称 3nm）工艺相比，N2 的速度可提高 15% 或功耗降低 30%，芯片密度也可提高 15% 或更高。台积电的 G. Yeap 等人撰写的论文 2.1 2nm 平台技术，具有节能纳米片晶体管和互连，与 3DIC 共同优化，适用于 AI、HPC 和移动 SoC 应用，还将展示具有世界纪录密度为每平方毫米 38Mbits 的 SRAM 宏。英特尔、三星和台积电正处于在其 2 纳米节点中实施背面供电技术的竞争前沿，旨在增强其在 AI 芯片市场的竞争力。这项创新技术有望通过将供电网络重新定位到硅片背面来提高芯片效率，此举旨在简化电源效率、减少干扰并提高整体性能。英特尔今年在商业化方面处于领先地位，三星电子和台积电紧随其后，准备在 2025 年进行大规模生产，业界对背面供电的变革性影响充满期待。 证券研究报告 请阅读最后一页重要免责声明 3 诚信、专业、稳健、高效 建议关注： 苹果产业链：立讯精密、领益智造、鹏鼎控股、歌尔股份、瑞声科技、舜宇光学、高伟电子、赛腾股份、中石科技、思泉新材等。 ▌ 风险提示 半导体制裁加码，晶圆厂扩产不及预期，研发进展不及预期，地缘政治不稳定，推荐公司业绩不及预期等风险。 重点关注公司及盈利预测 公司代码 名称 2024-10-1