电子元器件行业芯片国产化专题报告之五：DRAM，产业结构变化孕育中国玩家进场良机

请务必阅读正文之后的免责条款部分 [Table_MainInfo] [Table_Title]2019.05.29 DRAM：产业结构变化孕育中国玩家进场良机 —芯片国产化专题报告之五 王聪（分析师） 张天闻（研究助理） 021-38676820 021-38677388 wangcong@gtjas.com zhangtianwen@gtjas.com 证书编号 S0880517010002 S0880118090094 本报告导读： 考虑到 DRAM 下滑周期预计 2020 年结束，同时市场与产能都在中国的背景下，为中国公司带来新机遇。 摘要： [Table_Summary] 投资建议。在终端市场与制造产能都在中国的背景下，以存储器为代表的核心半导体芯片国产化大势所趋。具体到选股思路我们认为存在晶圆产线拉动、高科技重大技术突破、自主可控三条主线。推荐韦尔股份、闻泰科技、中芯国际、北方华创、盛美半导体、汇顶科技、纳思达、国科微等，另紫光国微等龙头公司有望受益。 随着移动端增长结构的改变，以及大数据、AI 和数据中心等新需求的兴起，DRAM 市场正面临巨大的增长机会和结构性变化。虽然DRAM 总体位元需求依然会维持在 20%左右，但需求结构正在发生改变。智能手机出货量面临瓶颈的背景下，移动端 DRAM 需求增长主要来自单机内存容量的提升。但服务器和企业用 DRAM 需求则受益于大数据和 AI 训练等新需求而快速增长。新兴需求推动当前高度集中的 DRAM 市场格局难以适应推陈出新不断发展的需求变化，正是新厂商的进入良机。在制程进步放缓背景下，DRAM 供给增长主要靠产能推动，由于产能变动相对稳定，供给增速不及需求增速，DRAM 市场周期有望在2020 年重返紧平衡。厂商对产能的调整依然较谨慎，2019 年~2020年均没有大规模扩产计划，我们预计需求增速的反超会在 2019 年消化库存，2020 年前后会重新进入紧平衡周期。市场和产能供给皆在中国，国产存储器产业崛起大势所趋。在供给端，中国大陆已经成为全球半导体资本支出规模最大、增速最快的地区。未来几年大陆晶圆资本支出千亿量级，同时内资占比显著提升，尤其是以合肥长鑫等为代表的存储器厂将陆续投产。在需求端，中国的半导体消费已占到全球 60%以上，国产智能机、PC、服务器市场份额不断提高，未来有望快速吸收国产存储器产能，形成良性闭环。 风险提示：中美贸易战带来的不确定性；行业景气度回升不及预期。 [Table_Invest]评级： 增持 上次评级：增持 [Table_subIndustry]细分行业评级 半导体 增持 [Table_Report]相关报告 电子元器件：《行业景气回升，自主可控迫在眉睫》 2019.05.13 电子元器件：《2019 华虹集团国产设备订单拉动分析—半导体设备国产化系列跟踪》 2019.04.12 电子元器件：《半导体设备国产化系列跟踪：上海微电子—对接市场补国产光刻缺口，砥砺前行促企业创新发展》 2019.04.11 电子元器件：《半导体设备国产化系列跟踪：中微半导体—刻蚀、MOCVD》 2019.03.25 电子元器件：《下一个时代：5G+AI》 2019.02.18 行业专题研究电子元器件 股票研究 证券研究报告 行业专题研究 请务必阅读正文之后的免责条款部分 2 of 25 目 录 1. DRAM 技术规格发展性能不断提升 .................................................... 3 2. 市场波动减弱需求增强，2020 或重回平衡 ........................................ 6 2.1. DRAM 长盛不衰，占据存储半壁江山 ......................................... 6 2.2. 需求多元致周期波动减弱，2020 年预计重回平衡 ..................... 8 3. 从存储产业发展历史中探寻中国存储发展路线 ............................... 13 3.1. 美国主导时期：原发技术驱动的半导体存储黎明 .................... 13 3.2. 日本存储的崛起：开创“官产学”一体发展模式 ......................... 13 3.3. 韩国存储的崛起：研发+扶持打赢持久战 .................................. 15 4. 时势起东风至，中国存储蓄势待发 ................................................... 16 4.1. DRAM 巨头壁垒明显，需要外部力量助力打破 ....................... 17 4.2. 从自主研发到收购兼并，中国 DRAM 产业从 Fabless 走向 IDM发展模式 .................................................................................................. 18 4.3. 产能需求双驱动，多方合力襄助中国存储 ................................ 20 5. 投资建议 ............................................................................................... 23 6. 风险提示 ............................................................................................... 24 行业专题研究 请务必阅读正文之后的免责条款部分 3 of 25 1. DRAM 技术规格发展性能不断提升 DRAM 存储器和 Flash 闪存芯片是当前市场中最为重要的存储器。DRAM 是最为常见的系统内存，虽然性能较为出色，但是其断电易失，相比于其同级别的易失性存储器，其成本更低，故而其在系统内存中最为常见；Flash 则是应用最广泛的非易失性存储，其断电非易失性使其主要被应用于大容量存储领域。 图 1：DRAM 和 Flash 是存储器的重要分类 数据来源：EE Times，国泰君安证券研究 DRAM：内存常用的存储介质。DRAM 的数据可存储时间非常短，其使用电容存储来保持数据，因而必须每隔一段时间进行一次刷新，否则信息就会丢失。与 SRAM 相比，DRAM 虽然速度更慢，且保持数据的时间也相对较短，但其价格却更加便宜。由于技术上的差别，DRAM 的功耗较低，集成度高且体积更小，并且在速度上也优于所有的 ROM，故而被