合肥模式的运行机制、迁移边界与经验启示：从长鑫科技看地方国资硬科技产业培育

深度洞察|国资国企研究 1 从长鑫科技看地方国资硬科技产业培育 ——合肥模式的运行机制、迁移边界与经验启示 工商部｜李紫嫣 摘要 作为国内 DRAM 存储芯片实现自主突破的标杆企业，长鑫科技能够打破海外厂商长期垄断、完成产业从 0 到 1 的跨越式成长，既是企业端依托职业型创始人治理体系、合规迭代的技术路线、逆周期扩张策略，抢抓国产替代与 AI 算力红利等内生选择的结果，背后也离不开合肥国资长达十余年的系统性培育与耐心资本支持。在存储行业下行周期，合肥国资依靠持续性资本输血、逆周期产能托底，保障企业技术研发与产能迭代工作不间断；同时配套建立容错免责、长期导向的基金考核机制，并采用“最大出资不控权”的股权治理方案，平衡国有资产风险管控和市场化经营决策效率。复盘项目培育全过程可以看到，合肥模式能够成功运行，建立在较强的财政韧性、有效运行的容错机制、本土产业生态积淀、专业投资团队四大前置条件之上，多重稀缺要素决定该模式无法在各地直接复刻。地方国资布局硬科技产业时，可以借鉴合肥国资长期孵化的培育思路，避免跟风热门赛道、简单照搬成熟项目，立足既有产业底盘开展产业链补链强链建设，构建适配硬科技项目成长规律的容错考核体系，合理划分国资出资方与实业运营团队权责，走出一条与当地资源禀赋相匹配的产业培育道路。 关键词：长鑫科技；合肥模式；地方国资；产业培育；耐心资本 正文 一、长鑫科技的产业突围逻辑 2026 年 7 月 27 日，长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”，股票代码：688825.SH）于上交所科创板上市，创下科创板最大募资规模、A 股个股单日最高成交额等多项纪录，成为国内存储芯片国产替代的标志性企业。基于 Omdia 数据测算，按 2025 年第四季度DRAM1销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已增至 7.67%，位列中国第一、全球第四2。长鑫科技能够在高度垄断的全球 DRAM 赛道实现从零到一的产业化突破，是治理结构、技术策略、周期判断、产业窗口以及国资产业培育等多重因素共同作用的结果。 1 Dynamic Random Access Memory，即动态随机存取存储器，是一种半导体存储器，需要周期性刷新以维持其存储的数据。 2 根据 Omdia 数据，基于销售额测算，2025 年三星电子、SK 海力士和美光科技在全球 DRAM 市场的占有率分别为 33.96%、34.48%和 23.41%，合计占比超过 90%。 深度洞察 国资国企研究 深度洞察|国资国企研究 2 表 1 长鑫科技主要财务指标（单位：亿元、%） 指标 2026 年 1～3 月 2025 年 2024 年 2023 年 2022 年 期末总资产 3,881.66 3,367.85 2,715.99 1,927.56 1,476.94 期末所有者权益 1,916.05 1,541.00 1,042.57 651.13 642.16 营业收入 508.00 617.99 241.78 90.87 82.87 研发费用 21.54 95.93 46.07 45.20 24.86 净利润 330.12 71.44 -90.51 -192.25 -91.71 归母净利润 247.62 18.75 -71.45 -163.40 -83.28 经营性净现金流 425.66 365.20 68.97 -72.72 -19.57 投资性净现金流 -157.83 -868.23 -724.15 -440.02 -269.49 筹资性净现金流 82.63 461.21 772.14 508.07 389.71 期末资产负债率 50.64 54.24 61.61 66.22 56.52 毛利率 79.16 40.99 5.58 -1.93 -3.13 研发费用率 4.24 15.52 19.06 49.75 30.01 资料来源：长鑫科技招股说明书，大公国际整理 治理结构上，长鑫科技形成职业型创始人管控的稳定治理体系。核心管理者朱一明先生是兆易创新科技集团股份有限公司（以下简称“兆易创新”，股票代码：603986.SH）的实控人，具备成熟的存储器产业运营经验。长鑫科技依托创始人低持股、高管控的股权与治理结构，有效规避股权博弈带来的短期逐利倾向，保障企业在重资产投入、长周期研发过程中的战略稳定性。在此基础上，长鑫科技通过两期员工持股计划覆盖 6,760 人次，将核心技术人员与关键岗位员工纳入长期利益绑定；朱一明先生另承诺将个人所持 7.68 亿股于公司上市满 36 个月后分十年无偿分配给在职员工，进一步强化技术团队激励机制。 技术策略上，长鑫科技选择合规引进、迭代优化的低风险赶超路径。长鑫科技通过收购奇梦达技术资料、获取英飞凌 DRAM 专利许可等方式，直接跳过基础研发摸索阶段，将研发起点直接拉至工程化阶段，规避了同期福建晋华遭遇的专利诉讼风险，大幅压缩了基础研发的试错成本与时间。同时，长鑫科技引进了多位曾任职于美光、闪迪、三星、SK 海力士、台积电等国际头部半导体企业的资深专家与工程师，组建了兼具理论储备与量产实战能力的核心研发团队，推动 DRAM 工艺实现自主落地。 周期判断上，长鑫科技展现出极强的逆周期扩张能力。2023 年全球 DRAM 价格大幅下行，行业普遍收缩产能并缩减资本开支，长鑫科技在毛利亏损的情况下逆势推进先进工艺攻坚与DDR53产品量产，持续优化产能利用率，全年研发投入同比增幅超 80%。长鑫科技在行业底部完成产能储备与技术迭代的双重夯实，为后续行业复苏、AI 算力需求爆发做好产能铺垫。 产业窗口层面，长鑫科技精准把握国产替代推进与 AI 算力迭代升级的结构性机遇。2016年，国内 DRAM 自主量产的产能近乎空白，核心存储环节高度依赖海外供给，国产化替代存在 3 Double Data Rate，即双倍速率同步动态随机存储器，指数据传输速度为系统时钟频率的两倍。DDR、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5 分别代表不同代际的 DDR 技术。 深度洞察|国资国企研究 3 刚性且长期的产业战略需求。2025 年以来，全球 AI 产业高速扩容驱动存储需求结构迭代，海外头部厂商基于产品结构优化策略，重点倾斜高附加值 HBM4赛道，但通用高端 DRAM 仍是服务器、车载电子、智能终端等领域的核心刚需元器件，市场需求持续扩容。依托行业下行周期的工艺迭代深耕和产能扩张，长鑫科技完成了 DDR5 产品的技术储备与产能爬坡，在行业拐点形成完备的市场化供给能力，充分承接本